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【SM4953KC-TRG-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SM4953KC-TRG-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-2个P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-7A-开态电阻(RDS(ON))：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,2

SM4953KCTRGVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【CHMP830JGP-A-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：CHMP830JGP-A-VB丝印：VBA2317品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-7A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：23mΩ@10V

CHMP830JGPAVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【APM2054NUC-TRL-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM2054NUC-TRL-VB丝印：VBE1310品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：70A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：7mΩ@10V

APM2054NUCTRLVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【APM4303KC-TRL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM4303KC-TRL-VB丝印：VBA2309品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-11A-开态电阻(RDS(ON))：11mΩ@10V,15mΩ@4.5V,2

APM4303KCTRLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【FDG6316P-VB】2个P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FDG6316P-VB丝印：VBK4223N品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：2个P沟道-额定电压：-20V-最大电流：-1.5A-导通电阻（RDS(ON)）：230mΩ@4.5V

FDG6316PVB 2个沟道 SC706 封装 mos datasheet
【CEM6659-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:CEM6659-VB丝印:VBA5638品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N+P沟道(同时包含N沟道和P沟道)-额定电压:±60V-最大电流:6.5A(正向电流),-5A(反向电流)-静态导通

CEM6659VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【APM2321AAC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM2321AAC-TRL-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-最大连续电流：-5.6A-静态开启电阻（RDS(ON)）：47mΩ@10V,5

APM2321AACTRLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【STC5NF20V-VB】2个N沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：STC5NF20V-VB丝印：VBC6N2022品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：2个N沟道-额定电压（Vds）：20V-额定电流（Id）：4.8A(每个N沟道)-静态导通电阻（RDS

STC5NF20VVB 2个沟道 TSSOP8 封装 mos datasheet
【FDC602P-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FDC602P-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-4.8A-静态导通电阻（RDS(ON)）：49mΩ@1

FDC602PVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【APM9435KC-TRL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM9435KC-TRL-VB丝印：VBA2333品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-最大持续电流（Id）：-6A-导通电阻（RDS(ON)）：40mΩ@10

APM9435KCTRLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【NTJD4001NT1G-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:NTJD4001NT1G-VB丝印:VBK3215N品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:2A-静态导通电阻(RDS(ON)):150mΩ@4.5V,1

NTJD4001NT1GVB 2个沟道 SC706 封装 mos datasheet
【SSC8022GS6-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SSC8022GS6-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：N沟道-额定电压（Vds）：20V-额定电流（Id）：6A-静态导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.

SSC8022GS6VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【TSM3404CX RF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：TSM3404CXRF-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：30V-最大电流：6.5A-静态开启电阻(RDS(ON))：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V-

TSM3404CX RFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【NCE4606-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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型号：NCE4606-VB丝印：VBA5325品牌：VBsemi参数：-类型：N+P沟道-额定电压（Vds）：±30V-最大持续电流（Id）：9A（N沟道）/-6A（P沟道）-导通电阻（RDS(ON)

NCE4606VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【FDC6506P-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

**型号：**FDC6506P-VB **丝印：**VB4290 **品牌：**VBsemi **详细参数说明：** &nb

FDC6506PVB 2个沟道 sot236 封装 mos datasheet
基于SiC碳化硅MOS器件单相三电平 AC-DC变换器详解.pdf

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时间：2024.02.27

上传者：电子阔少

基于SiC碳化硅MOS器件单相三电平AC-DC变换器详解.pdf
M12028 内置快充协议、Type-C输入2-4节锂电池5A大电流充电管理IC方案.docx

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时间：2024.02.27

上传者：电子阔少

目前Type-C正在成为为单节和多节电池供电设备充电的标准端口。移动蓝牙、移动电源、电动工具等应用已经从专有充电端口、传统USBA口和桶形插孔端口过渡到标准化Type-C接口。那如何通过Type-c输

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