消费电子-原理图资料下载_第34页-面包板社区

【APM2301CAC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

名称：APM2301CAC-TRL 型号：VB2290 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57mΩ@4.

APM2301CACTRL VBsemi sot23 mos datasheet
【APM2317AC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

APM2317AC-TRL是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：参数说明：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57m

APM2317ACTRL VBsemi sot23 mos datasheet
【APM2321AAC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM2321AAC-TRL-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-最大连续电流：-5.6A-静态开启电阻（RDS(ON)）：47mΩ@10V,5

APM2321AACTRLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【APM2701AC-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：APM2701AC-VB 丝印：VB5222 品牌：VBsemi 参数说明：-沟道类型：N+P沟道-最大电压：±20V-最大电流：7A正向，4.5A反向-开通电阻：

APM2701ACVB NP 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【APM2701ACC-TRG-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

APM2701ACC-TRG(VB5222)参数说明：N+P沟道，±20V，7/-4.5A，导通电阻20/70mΩ@4.5V，29/106mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压0.71/

APM2701ACCTRG NP VBsemi sot236 mos datasheet
【APM3020PUC-TRL-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM3020PUC-TRL-VB丝印：VBE2317品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-40A-导通电阻（RDS(ON)）：18mΩ@10V

APM3020PUCTRLVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【APM3048ADU4-VB】N+P沟道TO252-5封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：APM3048ADU4丝印：VBE5638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-最大耐压：±60V-最大电流：35A/-18A-导通电阻：38mΩ/58mΩ@10V,4

APM3048ADU4 NP VBsemi TO2525 mos datasheet
【APM3055LUC-TRL-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：APM3055LUC-TRL-VB丝印：VBE1310品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-最大电流：70A-开态电阻(RDS(ON))：7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vg

APM3055LUCTRLVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【APM4303KC-TRL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM4303KC-TRL-VB丝印：VBA2309品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-11A-开态电阻(RDS(ON))：11mΩ@10V,15mΩ@4.5V,2

APM4303KCTRLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【APM4330KC-TRL-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM4330KC-TRL-VB丝印：VBA1303品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-额定电流：18A-RDS(ON)：5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V-门源极电压：20V

APM4330KCTRLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【APM4435KC-TRL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

APM4435KC-TRL(VBA2317)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-30V；最大电流：-7A；导通电阻：23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V；门源电压范围：20Vgs(

APM4435KCTRL VBsemi SOP8 mos datasheet
【APM4826KC-TRG-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

APM4826KC-TRG(VBA1311)参数说明：N沟道，30V，12A，导通电阻12mΩ@10V，15mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围0.8~2.5V，封装：SOP8

APM4826KCTRG VBsemi SOP8 mos datasheet
【APM4828KC-TRL-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM4828KC-TRL-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：30V-最大持续电流：12A-开通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10Vgs、15mΩ

APM4828KCTRLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【APM4927KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

APM4927KC-TRL-VB是一款由VBsemi品牌生产的型号，其丝印为VBA4317。该器件是一款双P沟道功率场效应晶体管，主要参数如下：-额定电压：-30V-额定电流：-8.5A-RDS(ON

APM4927KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【APM4953KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：APM4953KC-TRL-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-2个P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-开通态电阻：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V

APM4953KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【APM7313KC-TRL-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：APM7313KC-TRL-VB丝印：VBA3328品牌：VBsemi参数说明：-极性：2个N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：6.8A（上管），6.0A（下管）-静态漏极-源极电阻（R

APM7313KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【APM9435KC-TRL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM9435KC-TRL-VB丝印：VBA2333品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-最大持续电流（Id）：-6A-导通电阻（RDS(ON)）：40mΩ@10

APM9435KCTRLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet