消费电子-原理图资料下载_第31页-面包板社区

【AO7407-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AO7407丝印：VBK2298品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-3A-RDS(ON)：98mΩ@4.5V，117.6mΩ@2.5V-门源电压范围：12

AO7407VB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【AO7414-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号:AO7414-VB-丝印:VBK1270-品牌:VBsemi-参数:N沟道,20V,4A,RDS(ON):45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±

AO7414VB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【AO7800-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AO7800-VB丝印：VBK3215N品牌：VBsemi参数：-类型：2个N沟道-最大耐压：20V-最大电流：2A-静态开启电阻(RDS(ON))：150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V-

AO7800VB 2个沟道 SC706 封装 mos datasheet
【AO8808A-VB】2个N沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：AO8808A-VB丝印：VBC6N2014品牌：VBsemi参数说明：-**双N沟道：**该器件包含两个N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，适用于不同类型的应用，如电源开关等。-**工作电

AO8808AVB 2个沟道 TSSOP8 封装 mos datasheet
【AO8810-VB】2个N沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：AO8810-VB丝印：VBC6N2014品牌：VBsemi参数：-沟道类型：2个N沟道-额定电压：20V-最大连续电流：7.6A-静态开启电阻（RDS(ON)）：13mΩ@4.5V,20mΩ@

AO8810VB 2个沟道 TSSOP8 封装 mos datasheet
【AOB414-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AOB414(VBL1102N)参数说明：N沟道，100V，70A，导通电阻18mΩ@10V，22mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压2V，封装：TO263。应用简介：AOB414适用于高电流

AOB414 VBsemi TO263 mos datasheet
【AOB470L-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AOB470L-VB丝印：VBL1806品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：80V-最大电流：120A-开态电阻(RDS(ON))：6mΩ@10V,10mΩ@4.5V,20Vgs(±V)

AOB470LVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【AOD240-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AOD240(VBE1405)参数说明：N沟道，40V，85A，导通电阻4mΩ@10V，5mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.85V，封装：TO252。应用简介：AOD240适用于

AOD240 VBsemi TO252 mos datasheet
【AOD2610-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AOD2610丝印：VBE1615品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：60A-RDS(ON)：9mΩ@10V，11mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-门源

AOD2610VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AOD407-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AOD407(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介：AOD4

AOD407 VBsemi TO252 mos datasheet
【AOD408-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AOD408 丝印：VBE1310 品牌：VBsemi 参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：70A-导通电阻：

AOD408VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AOD409-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AOD409(VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。应用简介：AOD40

AOD409 VBsemi TO252 mos datasheet
【AOD417-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AOD417-VB丝印：VBE2317品牌：VBsemi详细参数说明：-极性：P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-40A-导通电阻：18mΩ（在10V电压下），25mΩ（在4.5V电压下）-

AOD417VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AOD4184-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：AOD4184丝印：VBE1405品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：40V-最大电流：85A-导通电阻：4mΩ@10V,5mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs

AOD4184 VBsemi TO252 mos datasheet
【AOD4189-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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AOD4189详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-40V-额定电流:-65A-导通电阻:10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1.6Vth(V)-封装类

AOD4189VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AOD425-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号:AOD425-VB丝印:VBE2317品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-40A-静态导通电阻(RDS(ON)):18mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(

AOD425VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AOD425A-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AOD425A丝印：VBE2317品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-40A-导通电阻：18mΩ@10V,25mΩ@4.5V-门源电压：2

AOD425AVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet

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