消费电子-原理图资料下载_第28页-面包板社区

【AM4599C-T1-PF-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：型号：AM4599C-T1-PF-VB丝印：VBA5638品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N+P沟道-最大工作电压：±60V-最大工作电流：6.5A（正向）/-5A（反向）-RDS(

AM4599CT1PFVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AM4902N-T1-PF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

AM4902N-T1-PF详细参数说明：-极性：2个N沟道-额定电压：60V-额定电流：6A-导通电阻：27mΩ@10V,32mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.5Vth(V)

AM4902NT1PFVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AM4929P-T1-PF-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:AM4929P-T1-PF-VB丝印:VBA4338品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-7A-静态导通电阻(RDS(ON)):35mΩ@10V-静态导通电

AM4929PT1PFVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AM4930N-T1-PF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AM4930N-T1-PF-VB丝印：VBA3328品牌：VBsemi参数说明：-极性：2个N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：6.8A和6.0A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：

AM4930NT1PFVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO2301-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AO2301(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：-0.81V；封装

AO2301 VBsemi sot23 mos datasheet
【AO3400A-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:AO3400A-VB丝印:VB1330品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:30V-最大电流:6.5A-静态导通电阻(RDS(ON)):30mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(O

AO3400AVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【AO3401A-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

AO3401A详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.6A-导通电阻：47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1Vth(V)-封装类型

ao3401a VBsemi sot23 mos datasheet
【AO3407-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AO3407(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：AO3407适

AO3407 VBsemi sot23 mos datasheet
【AO3414-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：AO3414 丝印：VB1240 品牌：VBsemi 参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：20V-额定电流：6A-导通电阻：24

AO3414VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【AO3415-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

AO3415详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-0.81Vth(V)-封装类

AO3415 VBsemi sot23 mos datasheet
【AO3416-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AO3416丝印：VB1330品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：6.5A-导通电阻：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V-门源电压：20Vg

AO3416VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【AO3419-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：AO3419 丝印：VB2290 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：P沟道 -额定电压：-20V -额定电流：-4A -RDS(O

AO3419 VBsemi sot23 mos datasheet
东芝TB5128FTG步进电机驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.06.17

上传者：东芝铠侠代理

TB5128FTG拥有众多确保高性能、可靠性和灵活性的特性：BiCD工艺集成：在单片IC中结合了双极、CMOS和DMOS工艺，提升性能。多功能电机控制：能够通过PWM控制恒流驱动控制一个双极步进电机。

东芝 TB5128FTG 步进电机驱动 ic 产品规格书 datasheet
【AO3421E-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：AO3421E-VB-丝印：VB2355-品牌：VBsemi-类型：P沟道场效应管-最大漏极电压（Vds）：-30V-最大漏极电流（Ids）：-5.6A-电阻开关特性：RDS(O

AO3421EVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【AO3422-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:AO3422-VB丝印:VB1695品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:4A-静态导通电阻(RDS(ON)):85mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(ON))

AO3422VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【AO3423-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AO3423(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：-0.81V；封装

AO3423 VBsemi sot23 mos datasheet
【AO3460-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AO3460-VB丝印：VB162K品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：60V-最大持续电流（Id）：0.3A-导通电阻（RDS(ON)）：2800mΩ@10V-门源电压

AO3460VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet

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