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【SI6913DQ-T1-GE3-VB】2个P沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet
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大小:225.2KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:SI6913DQ-T1-GE3-VB丝印:VBC6P3033品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-5.2A-导通电阻:33mΩ@10V,40mΩ@4.5V-
SI6913DQT1GE3VB
2个
沟道
TSSOP8
封装
mos
datasheet
【SI7478DP-T1-GE3-VB】N沟道DFN8(5X6)封装MOS管Datasheet
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大小:615.53KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:SI7478DP-T1-GE3-VB丝印:VBQA1606品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大连续电流:90A-静态开启电阻(RDS(ON)):6mΩ@10V-门源
SI7478DPT1GE3VB
沟道
DFN85X6
封装
mos
datasheet
【SI9424DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:471.12KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
详细参数说明:-型号:SI9424DY-T1-E3-VB-丝印:VBA2216-品牌:VBsemi-参数:P沟道,-20V,-8A,RDS(ON),16mΩ@4.5V,19.2mΩ@2.5V,15Vg
SI9424DYT1E3VB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【SI9435BDY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:SI9435BDY-T1-E3-VB丝印:VBA2333品牌:VBsemi参数:-P沟道-工作电压:-30V-工作电流:-6A-导通电阻:40mΩ(在10V下)-导通电阻:54mΩ(在4.5V下
SI9435BDYT1E3VB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【SI9435DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:413.12KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:SI9435DY-T1-E3-VB丝印:VBA2333品牌:VBsemi参数:-P沟道-工作电压:-30V-工作电流:-6A-开通电阻:40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-
SI9435DYT1E3VB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【SI9945AEY-T1-E3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
SI9945AEY-T1-E3(VBA3638)参数说明:极性:2个N沟道;额定电压:60V;最大电流:6A;导通电阻:27mΩ@10V,32mΩ@4.5V;门源电压范围:20Vgs(±V)阈值电压:
SI9945AEYT1E3
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
【SI9945BDY-T1-E3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:572.71KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:SI9945BDY-T1-E3丝印:VBA3638品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:2个N沟道-额定电压(VDS):60V -额定电流(ID):6A -开通电阻
SI9945BDYT1E3VB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【SI9948AEY-T1-E3-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:527.79KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:SI9948AEY-T1-E3丝印:VBA4658品牌:VBsemi详细参数说明:-极性:2个P沟道-额定电压:-60V-额定电流:-5.3A-开通电阻(RDS(ON)):58mΩ@10V,70
SI9948AEYT1E3VB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【SiA400EDJ-T1-GE3-VB】N沟道DFN6(2X2)封装MOS管Datasheet
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大小:387.23KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
SiA400EDJ-T1-GE3是一款N沟道功率场效应管,具有以下参数:-最大耐压:30V-最大漏极电流:5.8A-导通时的电阻(RDS(ON)):22mΩ@10V,28mΩ@4.5V-栅极电压(Vg
SiA400EDJT1GE3
VBsemi
DFN62X2
mos
datasheet
【SIR422DP-T1-GE3-VB】N沟道DFN8(5X6)封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
SIR422DP-T1-GE详细参数说明:-极性:N沟道-额定电压:40V-额定电流:75A-导通电阻:4.7mΩ@10V,6mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:1.9Vth(V)
SIR422DPT1GE3VB
沟道
DFN85X6
封装
mos
datasheet
【SIR802DP-T1-GE3-VB】N沟道DFN8(5X6)封装MOS管Datasheet
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大小:693.56KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:SIR802DP-T1-GE3-VB丝印:VBQA1302品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压:30V-最大电流:160A-导通电阻(RDS(ON)):1.8mΩ@1
SIR802DPT1GE3VB
沟道
DFN85X6
封装
mos
datasheet
【SM2300NSAC-TRG-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:SM2300NSAC-TRG-VB丝印:VB1240品牌:VBsemi参数:-类型:N沟道-额定电压(Vds):20V-最大持续电流(Id):6A-导通电阻(RDS(ON)):24mΩ@4.5V
SM2300NSACTRGVB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
【SM3113NSUC-TRG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
详细参数说明:-型号:SM3113NSUC-TRG-VB-丝印:VBE1303-品牌:VBsemi-类型:N沟道-额定电压:30V-额定电流:100A-RDS(ON):2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
SM3113NSUCTRGVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【SM4027PSU-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:SM4027PSU-VB丝印:VBE2412品牌:VBsemi参数:-类型:P沟道-最大耐压:-40V-最大电流:-65A-静态开启电阻(RDS(ON)):10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-
SM4027PSUVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【SM4028NSUC-TRG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:SM4028NSUC-TRG-VB丝印:VBE1405品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:40V-最大连续电流:85A-静态开启电阻(RDS(ON)):4mΩ@10V,5mΩ@
SM4028NSUCTRGVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【SM4307PSKC-TRG-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:SM4307PSKC-TRG-VB丝印:VBA2311品牌:VBsemi详细参数说明:-P沟道-工作电压:-30V-工作电流:-11A-导通电阻:10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs
SM4307PSKCTRGVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【SM4953KC-TRG-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:657.45KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:SM4953KC-TRG-VB丝印:VBA4338品牌:VBsemi参数:-2个P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-7A-开态电阻(RDS(ON)):35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,2
SM4953KCTRGVB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
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