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【ACE2302BBM+H-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datashee

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时间：2023.12.27

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ACE2302BBM+H(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用

ACE2302BBMH VBsemi sot23 mos Datashee
【AF2301P-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AF2301P-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-最大连续漏极电流：-4A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：57mΩ@4.5V，83mΩ

AF2301PVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
小体积超低功耗液晶显示驱动芯片-VKL144B QFN48

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时间：2021.11.30

上传者：crh18824662436

VKL144B概述:VKL144B是字段式液晶显示驱动芯片。功能特点:★液晶驱动输出：Common输出4线；Segment输出36线★内置DisplaydataRAM(DDRAM)★内置RAM容量：3

小体积超低功耗液晶显示驱动芯片 VKL144B QFN48
【AFN4634WSS8RG-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AFN4634WSS8RG丝印：VBA1303品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：18A-导通电阻：5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V-门源

AFN4634WSS8RGVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AM2308N-T1-PF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

该型号AM2308N-T1-PF-VB是VBsemi品牌的N沟道MOSFET，具有30V电压、6.5A电流的额定参数。其RDS(ON)在10V下为30mΩ，在4.5V下为33mΩ，适用于20V的门源极

AM2308NT1PFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【AM2336N-T1-PF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

AM2336N-T1-PF详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：30V-额定电流：6.5A-导通电阻：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.2~2.2Vt

AM2336NT1PFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【AM2358N-T1-PF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AM2358N-T1-PF-VB丝印：VB1695品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：60V-额定电流：4A-导通电阻：85mΩ（在10V下），96mΩ（在4.5V下）-额定输入电压：2

AM2358NT1PFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【AM2394NE-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AM2394NE(VB1102M)参数说明：N沟道，100V，2A，导通电阻246mΩ@10V，260mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2V，封装：SOT23。应用简介：AM2394

AM2394NE VBsemi sot23 mos datasheet
【AM30N10-70D-T1-PF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：AM30N10-70D-T1-PF-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi参数说明：-类型：N沟道MOSFET-工作电压：100V-额定电流：40A-开通电阻：30mΩ（10V）、31mΩ

AM30N1070DT1PFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AM4392N-T1-PF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：AM4392N-T1-PF-VB 丝印：VBA1203M 品牌：VBsemi 详细参数说明： -沟道类型：

AM4392NT1PFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【STS5DNF60L-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：STS5DNF60L-VB丝印：VBA3638品牌：VBsemi参数：-沟道类型：2个N沟道-额定电压：60V-最大连续电流：6A-静态开启电阻（RDS(ON)）：27mΩ@10V,32mΩ@4

STS5DNF60LVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI4920DY-T1-E3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：SI4920DY-T1-E3丝印：VBA3316品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：8.5A-导通电阻：20mΩ@10V,12mΩ@4.5

SI4920DYT1E3VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI4948BEY-T1-E3-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SI4948BEY-T1-E3-VB丝印：VBA4658品牌：VBsemi参数：-类型：2个P沟道-额定电压（Vds）：-60V-最大持续电流（Id）：-5.3A-导通电阻（RDS(ON)）：5

SI4948BEYT1E3VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI4953ADY-T1-E3-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：该型号VBsemiSI4953ADY-T1-E3-VB是一款SOP8封装的P沟道MOSFET。它具有两个P沟道，工作电压为-30V，最大电流为-7A。其在10V下的导通电阻为35mΩ，在

SI4953ADYT1E3VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI4953DY-T1-E3-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：SI4953DY-T1-E3丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-频道类型：2个P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-RDS(ON)：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V-门源电

SI4953DYT1E3 VBsemi SOP8 mos datasheet
【SI6913DQ-T1-GE3-VB】2个P沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI6913DQ-T1-GE3-VB丝印：VBC6P3033品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.2A-导通电阻：33mΩ@10V,40mΩ@4.5V-

SI6913DQT1GE3VB 2个沟道 TSSOP8 封装 mos datasheet
【SI7478DP-T1-GE3-VB】N沟道DFN8(5X6)封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SI7478DP-T1-GE3-VB丝印：VBQA1606品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-最大连续电流：90A-静态开启电阻（RDS(ON)）：6mΩ@10V-门源

SI7478DPT1GE3VB 沟道 DFN85X6 封装 mos datasheet

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