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超低功耗LCD液晶显示驱动芯片-VKL060 SSOP24资料
所需E币:0
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大小:1.4MB
时间:2021.11.30
上传者:crh18824662436
高抗干扰LCD液晶控制器及驱动系列:VK2C21A 2.4~5.5V 20seg*4com16*8  
兆芯 SOC ZX2800 NVR and Vehicle Demo Board
所需E币:1
下载:1
大小:1.32MB
时间:2022.05.19
上传者:指间沙漏
NVRandVehicleDemoBoard原理图和PCB资料兆芯SOCARMZX2800芯片
兆芯
SoC
ZX2800
nvr
and
vehicle
demo
board
XPD820规格书 集成同步整流的 USB PD 控制器
所需E币:1
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大小:438.09KB
时间:2023.10.23
上传者:国兴顺电子郑生
XPD820是一款集成USBType-C、USBPowerDeliver(yPD)2.0/3.0以及QC3.0/2.0CLASSA快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DCP以及
XPD820
规格书
集成
同步整流
usb
pd
控制器
【IRF540NPBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet
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大小:418.94KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:IRF540NPBF-VB丝印:VBM1104N品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:55A-静态导通电阻(RDS(ON)):36mΩ@10V-静态导通电阻(
IRF540NPBFVB
沟道
to220
封装
mos
datasheet
200910190155-三电平LLC变换器的PWM控制方法
所需E币:2
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大小:538.48KB
时间:2019.06.13
上传者:feiniao2008
200910190155-三电平LLC变换器的PWM控制方法
GB-T_24825-2009_LED模块用直流或交流电子控制装置_性能要求
所需E币:2
下载:1
大小:1.06MB
时间:2019.06.13
上传者:feiniao2008
GB-T_24825-2009_LED模块用直流或交流电子控制装置_性能要求
FLUENT第一届中国用户大会论文集
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大小:3.61MB
时间:2019.06.03
上传者:feiniao2008
电子设备中的各种元件的故障率往往随着自身温度的升高而成指数关系变化,为了提高电子设备的可靠性,在进行电子设备结构设计时,必须采取有效的热控制措施,以降低各种元件尤其是大功耗器件的温度。某电子设备机柜如
s8000应用设计手册
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时间:2019.06.24
上传者:feiniao2008
s8000应用设计手册
90W笔记本电源半桥谐振
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大小:44.77KB
时间:2019.06.13
上传者:feiniao2008
90W笔记本电源半桥谐振
单片机扩展串行通信
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大小:298.01KB
时间:2019.06.06
上传者:feiniao2008
单片机串行通信发射机是用来发射信息,能完成信息准确无误的显示发射,使信息能够在两地之间传递,给人们在通信上带来方便。发射机设计的思路是:由一片单片机来控制信息的发射、存储和显示,用汇编语言编写发射程序
XPD911规格书 集成同步降压多口互联控制器
所需E币:2
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大小:1.45MB
时间:2023.10.09
上传者:国兴顺电子郑生
XPD911是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery(PD)3.1以及PPS、QC3.0+/3.0/2.0快充协议、华为FCP/SCP/HVSCP快充协议、三星AFC快充协议、V
XPD911
规格书
集成
同步降压
多口
互联
控制器
【FDC3512-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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大小:244.18KB
时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:FDC3512丝印:VB7101M品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N沟道MOSFET-最大耐压:100V-最大电流:3.2A-导通电阻:100mΩ@10V,127mΩ@4.5V-门源电压
FDC3512
VBsemi
sot236
mos
datasheet
AM4424N-T1-PF VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:205.33KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
AM4424N-T1-PF(VBA1311)是VBsemi一种N沟道MOS型晶体管,封装为SOP8。它的产品参数包括:最大耐压为30V,最大漏极电流为12A,漏源电阻RDS(ON)为12mΩ(在10V
AM4424NT1PF
VBsemi
mosfet
datasheet
【AO4826-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:603.3KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:AO4826-VB丝印:VBA3638品牌:VBsemi参数说明:-2个N沟道-额定电压:60V-额定电流:6A-开通电阻:27mΩ@10V,32mΩ@4.5V-阈值电压:1.5Vth(V)-封
AO4826VB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【AO4884-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:489.42KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:AO4884丝印:VBA3410品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:2个N沟道-额定电压(VDS):40V -额定电流(ID):12A -开通电阻(RDS(ON)
AO4884VB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【AO6400-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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大小:257.43KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
型号:AO6400丝印:VB7322品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N沟道MOSFET-最大耐压:30V-最大电流:6A-导通电阻:30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(
AO6400
VBsemi
sot236
mos
datasheet
【AO6402A-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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大小:258.72KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
根据提供的型号和参数,以下是对该MOSFET型号AO6402A-VB的详细参数和应用简介:**型号:**AO6402A-VB**丝印:**VB7322**品牌:**VBsemi**参数:**-沟道类型
AO6402AVB
沟道
sot236
封装
mos
datasheet
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