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【SI2333CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2333CDS-T1-GE3参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON)57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V),-0.81Vth(V),SOT23应用简介：SI2333CDS

SI2333CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【IRFR4105ZTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

IRFR4105ZTRPBF-VB是VBsemi品牌的一款N沟道功率场效应晶体管。它的丝印为VBE1638，具有以下详细参数：-额定电压：60V-额定电流：45A-静态电阻：24mΩ@10V,28mΩ

IRFR4105ZTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRF7453TRPBF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRF7453TRPBF-VB丝印：VBA1203M品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：200V-最大电流：3A-RDS(ON)：300mΩ@10V,360mΩ@4.5V-门源电压（

IRF7453TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【APM1403ASC-TRL-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明:-型号:APM1403ASC-TRL-VB-丝印:VBK2298-品牌:VBsemi-类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-3A-导通电阻:98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2

APM1403ASCTRLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
XPD820规格书集成同步整流的 USB PD 控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD820是一款集成USBType-C、USBPowerDeliver（yPD）2.0/3.0以及QC3.0/2.0CLASSA快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DCP以及

XPD820 规格书集成同步整流 usb pd 控制器
兆芯 SOC ZX2800 NVR and Vehicle Demo Board

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时间：2022.05.19

上传者：指间沙漏

NVRandVehicleDemoBoard原理图和PCB资料兆芯SOCARMZX2800芯片

兆芯 SoC ZX2800 nvr and vehicle demo board
【IRF540NSTRPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：IRF540NSTRPBF丝印：VBL1104N品牌：VBsemi参数：N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO2

IRF540NSTRPBF VBsemi TO263 mos datasheet
FLUENT第一届中国用户大会论文集

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时间：2019.06.03

上传者：feiniao2008

电子设备中的各种元件的故障率往往随着自身温度的升高而成指数关系变化，为了提高电子设备的可靠性，在进行电子设备结构设计时，必须采取有效的热控制措施，以降低各种元件尤其是大功耗器件的温度。某电子设备机柜如
GB24906-2010普通照明用50V以上自镇流LED灯+安全要求

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时间：2019.06.13

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GB24906-2010普通照明用50V以上自镇流LED灯+安全要求
GB-T_24819-2009_普通照明用LED模块_安全要求

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时间：2019.06.13

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GB-T_24819-2009_普通照明用LED模块_安全要求
90W笔记本电源半桥谐振

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时间：2019.06.13

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90W笔记本电源半桥谐振
s8000应用设计手册

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时间：2019.06.24

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s8000应用设计手册
基于DDS的信号源设计资料

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时间：2019.06.06

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基于DDS的信号源设计资料
基于单片机的作息时间控制钟系统资料

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基于单片机的作息时间控制钟系统资料
单片机扩展串行通信

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时间：2019.06.06

上传者：feiniao2008

单片机串行通信发射机是用来发射信息，能完成信息准确无误的显示发射，使信息能够在两地之间传递，给人们在通信上带来方便。发射机设计的思路是:由一片单片机来控制信息的发射、存储和显示，用汇编语言编写发射程序
【IRF540NPBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:IRF540NPBF-VB丝印:VBM1104N品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:55A-静态导通电阻(RDS(ON)):36mΩ@10V-静态导通电阻(

IRF540NPBFVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【FDC3512-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：FDC3512丝印：VB7101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：3.2A-导通电阻：100mΩ@10V,127mΩ@4.5V-门源电压

FDC3512 VBsemi sot236 mos datasheet

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