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【AO4611-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:AO4611丝印:VBA5638品牌:VBsemi参数:-频道类型:N+P沟道-额定电压:±60V-额定电流:6.5A/-5A-RDS(ON):28mΩ/51mΩ@10V,34mΩ/60mΩ@4
AO4611VB
NP
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
模块化多功能实训箱实验指导书
所需E币:2
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时间:2019.06.10
上传者:feiniao2008
本实验箱利用模块化思想,分块结构设计,打破了传统实验箱的集中化、不灵活、不易学、扩展性差等缺点,使其具有如下优点:(1)、灵活性大:该实验箱由多种不同的模块组成,每个模块的位置都可随意更改,具有拼图功
【SI2333CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
SI2333CDS-T1-GE3参数:P沟道,-20V,-4A,RDS(ON)57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V),-0.81Vth(V),SOT23应用简介:SI2333CDS
SI2333CDST1GE3
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【IRFR4105ZTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
IRFR4105ZTRPBF-VB是VBsemi品牌的一款N沟道功率场效应晶体管。它的丝印为VBE1638,具有以下详细参数:-额定电压:60V-额定电流:45A-静态电阻:24mΩ@10V,28mΩ
IRFR4105ZTRPBFVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【IRF7453TRPBF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:IRF7453TRPBF-VB丝印:VBA1203M品牌:VBsemi参数说明:-N沟道-额定电压:200V-最大电流:3A-RDS(ON):300mΩ@10V,360mΩ@4.5V-门源电压(
IRF7453TRPBFVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【APM1403ASC-TRL-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet
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时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
详细参数说明:-型号:APM1403ASC-TRL-VB-丝印:VBK2298-品牌:VBsemi-类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-3A-导通电阻:98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2
APM1403ASCTRLVB
沟道
SC703
封装
mos
datasheet
XPD820规格书 集成同步整流的 USB PD 控制器
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时间:2023.10.23
上传者:国兴顺电子郑生
XPD820是一款集成USBType-C、USBPowerDeliver(yPD)2.0/3.0以及QC3.0/2.0CLASSA快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DCP以及
XPD820
规格书
集成
同步整流
usb
pd
控制器
兆芯 SOC ZX2800 NVR and Vehicle Demo Board
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大小:1.32MB
时间:2022.05.19
上传者:指间沙漏
NVRandVehicleDemoBoard原理图和PCB资料兆芯SOCARMZX2800芯片
兆芯
SoC
ZX2800
nvr
and
vehicle
demo
board
MX9291芯片说明书
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时间:2023.11.16
上传者:QQ1540182856
MX9291规格书,MX9291说明书,MX9291中文设计方案,MX9291方案应用
MX9291
芯片
说明书
【IRF540NSTRPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet
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大小:484.69KB
时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:IRF540NSTRPBF丝印:VBL1104N品牌:VBsemi参数:N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V);TO2
IRF540NSTRPBF
VBsemi
TO263
mos
datasheet
GB-T_24819-2009_普通照明用LED模块_安全要求
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时间:2019.06.13
上传者:feiniao2008
GB-T_24819-2009_普通照明用LED模块_安全要求
FLUENT第一届中国用户大会论文集
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大小:3.61MB
时间:2019.06.03
上传者:feiniao2008
电子设备中的各种元件的故障率往往随着自身温度的升高而成指数关系变化,为了提高电子设备的可靠性,在进行电子设备结构设计时,必须采取有效的热控制措施,以降低各种元件尤其是大功耗器件的温度。某电子设备机柜如
200910190155-三电平LLC变换器的PWM控制方法
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时间:2019.06.13
上传者:feiniao2008
200910190155-三电平LLC变换器的PWM控制方法
LLC串联共振DCDC变换器
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大小:514.77KB
时间:2019.06.13
上传者:feiniao2008
LLC串联共振DCDC变换器
GB24906-2010普通照明用50V以上自镇流LED灯+安全要求
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时间:2019.06.13
上传者:feiniao2008
GB24906-2010普通照明用50V以上自镇流LED灯+安全要求
s8000应用设计手册
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时间:2019.06.24
上传者:feiniao2008
s8000应用设计手册
业界广泛使用的LLC原理与设计
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大小:856.5KB
时间:2019.06.14
上传者:feiniao2008
LLC已经作为一种优秀的拓扑被业界所广泛的接受和使用。不得不感慨技术发展的速度。也正说明了LLC是一种非常优秀的拓扑,才能在如此短的时间里得到大家的认可。虽然今天LLC已经被广泛的使用,但工作中发现很
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