消费电子-原理图资料下载_第21页-面包板社区

（32*8）256点LCD驱动芯片VK0256 QFP64

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时间：2023.06.19

上传者：V13632814412

品牌：永嘉微电/VINKA封装：QFP64年服务，技术支持8種WDT的基頻選擇可外接32.768KHz石英震盪器內建timebasegenerator以及WDTTimebaseorWDT溢位輸出8種的

328 256点 lcd 驱动芯片 VK0256 QFP64
AO4421 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

AO4421（VBA2658）是VBsemi一种P沟道MOS型晶体管，封装为SOP8。它的产品参数包括：最大耐压为-60V，最大漏极电流为-6A，漏源电阻RDS(ON)为50mΩ（在10V时）和61m

AO4421 VBsemi mosfet datasheet
静态显示LCD驱动芯片VKS232用于高显示品质产品，对比度好、不闪烁、可视角大

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时间：2021.12.06

上传者：crh18824662436

VKS118概述：VKS118是一个点阵式存储映射的LCD驱动器，可支持静态扫描点数最大118点（118SEGx1COM）的LCD屏。单片机可通过5线串行接口配置显示参数和读写显示数据，也可通过指令进
【15N10 TO252-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：15N10TO252-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi详细参数说明：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-额定电流：18A-静态电阻：115mΩ@10V,121mΩ@4.5V-门源

15N10 TO252VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【20N03-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：20N03-VB-丝印：VBE1310-品牌：VBsemi-类型：N沟道场效应管-额定电压：30V-额定电流：70A-RDS(ON)：7mΩ@10V,9mΩ@4.5V-门源电压：

20N03VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
远翔FP6296XR-G1规格书

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时间：2021.10.25

上传者：远翔李生13691661579

电池升压5V9V12V，内置MOS大功率升压BOOST芯片

远翔 FP6296XRG1 规格书
远翔FP5207XR-G1规格书

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时间：2021.10.25

上传者：远翔李生13691661579

电池升压5V9V12V24V36V42V，电流2A3A5A10A，外置MOS，BOOST电路升压芯片。

远翔 FP5207XRG1 规格书
【20P03-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：20P03丝印：VBE2338品牌：VBsemi详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-26A-开通电阻（RDS(ON)）：33mΩ@10V,46mΩ@4.5V-额定栅极-

20P03VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【2302-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2302-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：20V-最大电流：6A-开态电阻(RDS(ON))：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)-阈值电压

2302VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
AOD403 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了丝印型号为VBE2309的MOS管型号AOD403。这款MOS管属于P沟道类型，适用于广泛的电路应用。它具有出色的性能参数，包括最大承受电压为-30V，最大工作电流为-60A。在标准

AOD403 VBsemi mosfet datasheet
【25P03LG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：25P03LG-VB丝印：VBE2338品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-30V-最大漏电流：-26A-静态导通电阻（RDS(ON)）：33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vg

25P03LGVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【2N7002ET1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2N7002ET1G-VB丝印：VB162K品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：60V-最大持续电流：0.3A-开通电阻（RDS(ON)）：2800mΩ@10Vgs、3000m

2N7002ET1GVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【2N7002LT1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2N7002LT1G-VB丝印：VB162K品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-最大连续电流：0.3A-静态开启电阻（RDS(ON)）：2800mΩ@10V,3000m

2N7002LT1GVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【2N7002WT1G-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：2N7002WT1G-VB丝印：VBK162K品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：60V-最大电流：0.35A-导通电阻（RDS(ON)）：1800mΩ@10V,2

2N7002WT1GVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【2SJ179-VB】P沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：2SJ179-VB丝印：VBI2338品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-最大连续电流：-5.8A-静态开启电阻（RDS(ON)）：50mΩ@10V,56mΩ@4.5

2SJ179VB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
AOD4185 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

AOD4185是一款P沟道MOS型的功率开关器件，其丝印型号为VBE2412，封装为TO252。该产品具备以下参数：最大承受电压为-40V，最大电流为-65A，导通阻抗在10V电压下为10mΩ，在4.

AOD4185 VBsemi mosfet datasheet
【2SJ245S-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：2SJ245S丝印：VBE2610N品牌：VBsemi详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-38A-开通电阻（RDS(ON)）：61mΩ@10V,72mΩ@4.5V-额定

2SJ245SVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet