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【SI1967DH-T1-GE3-VB】2个P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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SI1967DH-T1-GE3详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-1.5A-导通电阻：230mΩ@4.5V,276mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：

SI1967DHT1GE3 VBsemi SC706 mos datasheet
【SI2300DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2300DS-T1-GE3参数：N沟道,20V,6A,RDS(ON)24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.45~1Vth(V),SOT23应用简介：SI2300DS-T1-

SI2300DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2301ADS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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型号:SI2301ADS-T1-GE3-VB丝印:VB2290品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:P沟道-额定电压:-20V-最大电流:-4A-静态导通电阻(RDS(ON)):57mΩ@4.5

SI2301ADST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2301BDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2301BDS-T1-GE3(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压

SI2301BDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2301CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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型号：SI2301CDS-T1-GE3-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-20V-最大电流：-4A-导通电阻（RDS(ON)）：57mΩ@4.5

SI2301CDST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2301DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2301DS-T1-GE3(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：

SI2301DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2302ADS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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型号：SI2302ADS-T1-GE3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：20V-最大电流：6A-开态电阻(RDS(ON))：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8

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【SI2302CDS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2302CDS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT2

SI2302CDST1GE3 VBssemi sot23 mos datasheet
【SI2302DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2302DS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23

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【SI2302DS-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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型号：SI2302DS-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：20V-最大电流：6A-导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5

SI2302DSVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2305ADS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2305ADS-T1-GE3(VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，门源电压范围12V(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。

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【SI2305CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2305CDS-T1-GE3(VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。应用简介

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【SI2307DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号:SI2307DS-T1-GE3丝印:VB2355品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-30V -额定电流(ID):-5.6A -开通电

SI2307DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2308DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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名称：SI2308DS-T1-GE3 型号：VB1695 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：4A-RDS(ON)：85mΩ@10V

SI2308DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2309CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2309CDS-T1-GE3(VB2658)参数说明：P沟道，-60V，-5.2A，导通电阻40mΩ@10V，48mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-2V，封装：SOT23。应用简介：S

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【SI2309DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：SI2309DS-T1-GE3-VB丝印：VB2658品牌：VBsemi详细参数说明：-沟道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-5.2A-开通电阻：40mΩ@10V,48mΩ@4.5V

SI2309DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2312DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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型号：SI2312DS-T1-GE3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-**N沟道：**该器件是一种N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-*

SI2312DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet

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