消费电子-原理图资料下载_第22页-面包板社区

【2SJ245S-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：2SJ245S丝印：VBE2610N品牌：VBsemi详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-38A-开通电阻（RDS(ON)）：61mΩ@10V,72mΩ@4.5V-额定

2SJ245SVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【2SJ355-VB】P沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2SJ355-VB丝印：VBI2338品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-最大持续电流（Id）：-5.8A-导通电阻（RDS(ON)）：50mΩ@10V-门源电

2SJ355VB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
【2SJ356-VB】P沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:2SJ356-VB丝印:VBI2658品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-60V-最大电流:-5A-静态导通电阻(RDS(ON)):58mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(O

2SJ356VB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
AOD482 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

AOD482是由VBsemi品牌推出的一款MOS管产品，丝印型号为VBE1104N。该产品属于N沟道类型，可承受最高100V的电压和40A的电流。其RDS(ON)参数为30mΩ（在10V工作电压下）和

AOD482 VBsemi mosfet datasheet
AOD603A VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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AOD603A（VBE5638）是一款N+P沟道MOS型晶体管，采用TO252-5封装。该产品具有±60V的耐压能力和35A的正向电流承载能力，以及-18A的反向电流承载能力。其导通电阻RDS(ON)

AOD603A VBsemi mosfet datasheet
AP2301N VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

AP2301N是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ（在

AP2301N VBsemi mosfet datasheet
AP2310GN VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

AP2310GN是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），以及20Vgs(

AP2310GN VBsemi mosfet datasheet
【2SJ518-VB】P沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2SJ518-VB丝印：VBI2658品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-60V-最大电流：-5A-开态电阻(RDS(ON))：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V)

2SJ518VB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
AP2625GY VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了AP2625GY型号的MOS管，其丝印型号为VB4290。这款MOS管是双P沟道晶体管，具有优异的性能参数。最大工作电压为-20V，最大工作电流为-4A。导通状态下的导通电阻（RDS

AP2625GY VBsemi mosfet datasheet
【2SJ598-Z-E1-AZ-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：2SJ598-Z-E1-AZ-VB丝印：VBE2610N品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-60V-最大漏电流：-38A-静态导通电阻（RDS(ON)）：61mΩ@10V,72mΩ@4

2SJ598ZE1AZVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【2SJ668-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：2SJ668丝印：VBE2610N品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-38A-导通电阻：61mΩ@10V,72mΩ@4.5V-门源电压：2

2SJ668 VBsemi TO252 mos datasheet
【2SK1273-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：2SK1273丝印：VBI1695品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：5A-RDS(ON)：76mΩ@10V，88mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-门源

2SK1273VB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
【2SK1485-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2SK1485-VB丝印：VBI1101M品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：100V-最大电流：3.1A-静态开启电阻(RDS(ON))：126mΩ@10V,139mΩ@4.5V

2SK1485VB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
【2SK2415-Z-E1-AZ-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：2SK2415-Z-E1-AZ丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：18A-RDS(ON)：73mΩ@10V，85mΩ@4.5V-门源电压范

2SK2415ZE1AZVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【2SK2498-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：2SK2498-VB丝印：VBMB1606品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-最大连续漏极电流：120A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：6mΩ@10V，7mΩ@

2SK2498VB 沟道 to220f 封装 mos datasheet
【2SK2503-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：2SK2503-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-最大连续漏极电流：18A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：73mΩ@10V，85mΩ@

2SK2503VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
APM2305AC VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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VBsemi推出了型号为APM2305AC的MOS管，丝印型号为VB2355。该MOS管是一款P沟道型产品，适用于多种电路应用。其主要特性包括耐压高达-30V，可承受-5.6A的电流，具有低导通电阻，

APM2305AC VBsemi mosfet datasheet

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