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【STC5NF20V-VB】2个N沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:STC5NF20V-VB丝印:VBC6N2022品牌:VBsemi**参数说明:**-极性:2个N沟道-额定电压(Vds):20V-额定电流(Id):4.8A(每个N沟道)-静态导通电阻(RDS
STC5NF20VVB
2个
沟道
TSSOP8
封装
mos
datasheet
【STD10NF10T4-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:333.56KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:STD10NF10T4丝印:VBE1101M品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N沟道MOSFET-最大耐压:100V-最大电流:18A-导通电阻:115mΩ@10V,121mΩ@4.5V-
STD10NF10T4VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【STD10PF06T4-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:392.82KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:STD10PF06T4-VB丝印:VBE2610N品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-60V-最大连续电流:-38A-静态开启电阻(RDS(ON)):61mΩ@10V,72m
STD10PF06T4VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【STD16NF06LT4-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:237.6KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:STD16NF06LT4-VB丝印:VBE1638品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:45A-静态导通电阻(RDS(ON)):24mΩ@10V,28m
STD16NF06LT4VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【STD25N10F7-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:408.77KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:STD25N10F7-VB丝印:VBE1104N品牌:VBsemi参数:-类型:N沟道-额定电压(Vds):100V-最大持续电流(Id):40A-导通电阻(RDS(ON)):30mΩ@10V-
STD25N10F7VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【STD30NF04LT-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:404.01KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:STD30NF04LT-VB丝印:VBE1410品牌:VBsemi参数:-类型:N沟道-额定电压(Vds):40V-最大持续电流(Id):50A-导通电阻(RDS(ON)):12mΩ@10V,1
STD30NF04LTVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【STD35NF06T4-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
STD35NF06T4详细参数说明:-极性:N沟道-额定电压:60V-额定电流:45A-导通电阻:24mΩ@10V,28mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:1.8Vth(V)-封装
STD35NF06T4
VBsemi
TO252
mos
datasheet
【STD35P6LLF6-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:238.56KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
详细参数说明:-型号:STD35P6LLF6-VB-丝印:VBE2625-品牌:VBsemi-功能:P沟道功率MOSFET-最大工作电压:-60V-最大工作电流:-50A-开启电阻(RDS(ON)):
STD35P6LLF6VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【STM4639-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:480.38KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
STM4639详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-11A-导通电阻:11mΩ@10V,15mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1.5Vth(V)-封装类
STM4639VB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【STM4973-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:STM4973-VB丝印:VBA4338品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-7A-静态导通电阻(RDS(ON)):35mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(
STM4973VB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【STN3NF06L-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:STN3NF06L丝印:VBJ1638品牌:VBsemi参数:-频道类型:N沟道-额定电压:60V-额定电流:7A-RDS(ON):24mΩ@10V,27mΩ@4.5V-门源电压范围:±20V-
STN3NF06LVB
沟道
SOT223
封装
mos
datasheet
【STN3PF06-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:STN3PF06-VB丝印:VBJ2658品牌:VBsemi参数:-P沟道--60V--6.5A-RDS(ON):58mΩ@10V,70mΩ@4.5V-20Vgs(±V)--1~-3Vth(V)
STN3PF06VB
沟道
SOT223
封装
mos
datasheet
【STN442D-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:STN442D-VB丝印:VBE1638品牌:VBsemi参数说明:-**N沟道:**该器件是一种N沟道MOSFET,适用于电流在N沟道中流动的应用。-**工作电压(VDS):**60V,表示M
STN442DVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【STN4828-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:STN4828-VB丝印:VBA3638品牌:VBsemi参数说明:-2个N沟道-额定电压:60V-最大电流:6A-RDS(ON):27mΩ@10V,32mΩ@4.5V-门源电压(Vgs)范围:
STN4828VB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【STN4NF03L-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:STN4NF03L-VB丝印:VBJ1322品牌:VBsemi参数:-N沟道-最大耐压:30V-最大漏电流:7A-静态导通电阻(RDS(ON)):25mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs
STN4NF03LVB
沟道
SOT223
封装
mos
datasheet
【STP30NF20-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
STP30NF20(VBM1208N)参数说明:N沟道,200V,35A,导通电阻58mΩ@10V,20Vgs(±V),阈值电压3V,封装:TO220。应用简介:STP30NF20适用于高电压应用,如
STP30NF20
VBsemi
to220
mos
datasheet
【STP3NK60ZFP-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet
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大小:326.3KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:STP3NK60ZFP-VB丝印:VBMB165R04品牌:VBsemi参数:-类型:N沟道-额定电压(Vds):650V-最大持续电流(Id):4A-导通电阻(RDS(ON)):2560mΩ@
STP3NK60ZFPVB
沟道
to220f
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