消费电子-原理图资料下载_第37页-面包板社区

【CMD12N10-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：CMD12N10丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：100V-额定电流：18A-RDS(ON)：115mΩ@10V，121mΩ@4.5V-门源电压范围：±

CMD12N10VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【CMD20N06L-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:CMD20N06L-VB丝印:VBE1638品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:45A-静态导通电阻(RDS(ON)):24mΩ@10V-静态导通电阻(RDS

CMD20N06LVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【CMD5950-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

CMD5950详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-100V-额定电流：-40A-导通电阻：33mΩ@10V,36mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.92Vth(V)-封

CMD5950 VBsemi TO252 封装 mos datasheet
【CPH3427-TL-E-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：CPH3427-TL-E丝印：VB1102M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：2A-导通电阻：246mΩ@10V,260mΩ@4.5V-门

CPH3427TLE VBsemi sot23 mos datasheet
【DMC2038LVT-7-F-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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DMC2038LVT-7-F(VB5222)参数说明:极性：N+P沟道；额定电压：±20V；最大电流：7A/-4.5A；导通电阻：20mΩ/70mΩ@4.5V,29mΩ/106mΩ@2.5V；门源电压

DMC2038LVT7F NP VBsemi sot236 mos datasheet
【DMG1012T-VB】N沟道SC75-3封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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DMG1012T(VBTA1220N)参数说明：N沟道，20V，1A，导通电阻200mΩ@4.5V，230mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压0.6V，封装：SC75-3。应用简介：DMG10

DMG1012T VBsemi SC753 mos datasheet
【DMG2301U-7-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：DMG2301U-7-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-最大连续漏极电流：-4A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：57mΩ@4.5V，8

DMG2301U7VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【DMG2305UX-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:DMG2305UX-VB丝印:VB2355品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-5.6A-静态导通电阻(RDS(ON)):47mΩ@10V,56mΩ

DMG2305UXVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【DMG3415U-7-F-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：DMG3415U-7-F-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定工作电压：-30V-额定工作电流：-5.6A-导通电阻：47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-门源电压范围：

DMG3415U7FVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【DMG6968U-7-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：DMG6968U-7丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：N沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.2~2.2Vth(V)；SO

DMG6968U7 VBsemi sot23 mos datasheet
【DMN3024LSD-13-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：DMN3024LSD-13 丝印：VBA3316 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：2个N沟道 -额定电压：30V -额定电流：8.5A&n

DMN3024LSD13 VBsemi SOP8 mos datasheet
【DMN3033LSN-7-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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DMN3033LSN-7参数：N沟道,30V,6.5A,RDS(ON)30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.2~2.2Vth(V),SOT23应用简介：DMN3033LSN-7

DMN3033LSN7 VBsemi sot23 mos datasheet
【DMP3020LSS-13-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：DMP3020LSS-13-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-11A-导通电阻（RDS(ON)

DMP3020LSS13VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【DMP3099L-7-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：DMP3099L-7 丝印：VB2355 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：P沟道 -额定电压：-30V -额定电流：-5.6A

DMP3099L7 VBsemi sot23 mos datasheet
【DMP6180SK3-13-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：DMP6180SK3-13-VB丝印：VBE2610N品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-60V-最大电流：-38A-导通电阻（RDS(ON)）：61mΩ@10V

DMP6180SK313VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【DTM4946-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:DTM4946-VB丝印:VBA3638品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:2个N沟道-额定电压:60V-最大电流:6A-静态导通电阻(RDS(ON)):27mΩ@10V-静态导通电阻(

DTM4946VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【DTU40P06-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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DTU40P06(VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。应用简介：DTU40P0

DTU40P06 VBsemi TO252 mos datasheet