消费电子-原理图资料下载_第14页-面包板社区

GB-T_24906-2010_普通照明用50V以上自镇流LED灯_安全要求

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时间：2019.06.13

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GB-T_24906-2010_普通照明用50V以上自镇流LED灯_安全要求
【FDS6681Z-NL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：FDS6681Z-NL-VB丝印：VBA2305品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-15A-导通电阻（RDS(ON)）：5mΩ@10V,8mΩ

FDS6681ZNLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
无线鼠标资料

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时间：2019.06.05

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将机械鼠标的滚动动作和左右键的操作转换成开关信号，用方波电路产生的方波信号代替原鼠标内光敏传感器的脉冲信号，用相应的开关动作可以实现鼠标光标移动和鼠标的单双击操作！而用发射和接收电路代替原来的鼠标线，
【HM4447-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号:HM4447-VB丝印:VBA2305品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V(负值表示P沟道)-最大电流:-15A(负值表示P沟道)-静态导通电阻(RDS(ON)):5m

HM4447VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
L6599_LLC设计参考——ST

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时间：2019.06.14

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LLC谐振半桥工作状态和波形简化模型300W设计案例
【IRF9328TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：IRF9328TRPBF-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-11A-导通电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V,1

IRF9328TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
单工无线发射接收系统+毕业论文

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时间：2019.06.03

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本设计中采用调频立体声接收机集成芯片优化电路，使得接收灵敏度大为改善，外围元件极少。同时采用锁相环技术，增强锁定频率信号准确度。接收机采用电容分压式滤波器，具有动态范围大，调整方便的特点。
【IRFR5305TRPBF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：IRFR5305TRPBF丝印：VBE2658品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-22A-导通电阻：48mΩ@10V,57mΩ@4.5V-

IRFR5305TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
5020B原理图

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时间：2020.02.18

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一、充电电路：1.手摇发电： ①对外输出：DC插口处插入连接线公头，三相无刷电机M经传动机构手摇转动产生电能经过整流二极管（1N4007），滤波电容、稳压后输出至DC插口处，连接电子设备即可

5020B 原理图
GB-T_7000.1-2007灯具一般安全要求与试验

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时间：2019.06.13

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GB-T_7000.1-2007灯具一般安全要求与试验
【SM4953KC-TRG-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：SM4953KC-TRG-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-2个P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-7A-开态电阻(RDS(ON))：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,2

SM4953KCTRGVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
GB24906-2010普通照明用50V以上自镇流LED灯+安全要求

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时间：2019.06.13

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GB24906-2010普通照明用50V以上自镇流LED灯+安全要求
【AO8810-VB】2个N沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：AO8810-VB丝印：VBC6N2014品牌：VBsemi参数：-沟道类型：2个N沟道-额定电压：20V-最大连续电流：7.6A-静态开启电阻（RDS(ON)）：13mΩ@4.5V,20mΩ@

AO8810VB 2个沟道 TSSOP8 封装 mos datasheet
超级全-电子元器件综合基础知识

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时间：2019.06.20

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超级全-电子元器件综合基础知识
EMC原理传导(共模差模)辐射(近场远场)详解-潘俊峰

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时间：2019.06.25

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EMC原理传导(共模差模)辐射(近场远场)详解-潘俊峰
高速数字电路及 EMC

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时间：2019.05.27

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高速数字信号由信号的边沿速度决定，一般认为上升时间小于4倍信号传输延迟时可视为高速信号。平常讲的高频信号是针对信号频率而言的。设计开发高速电路应具备信号分析、传输线、模拟电路的知识。
【APM4953KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：APM4953KC-TRL-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-2个P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-开通态电阻：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V

APM4953KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet

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