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【FDS8858CZ-NL-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:645.53KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:FDS8858CZ-NL丝印:VBA5311品牌:VBsemi参数:-频道类型:N+P沟道-额定电压:±30V-额定电流:10A/-8A-RDS(ON):11mΩ/21mΩ@10V,13mΩ/2
FDS8858CZNLVB
NP
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【AM4929P-T1-PF-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:643.3KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:AM4929P-T1-PF-VB丝印:VBA4338品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-7A-静态导通电阻(RDS(ON)):35mΩ@10V-静态导通电
AM4929PT1PFVB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【STM4973-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:641.21KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:STM4973-VB丝印:VBA4338品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-7A-静态导通电阻(RDS(ON)):35mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(
STM4973VB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【AP4953M-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:641.15KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
根据提供的型号和参数,以下是对该MOSFET型号AP4953M-VB的详细参数和应用简介:**型号:**AP4953M-VB**丝印:**VBA4338**品牌:**VBsemi**参数:**-沟道类
AP4953MVB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【HAT1024R-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:640.6KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:HAT1024R-VB丝印:VBA4338品牌:VBsemi参数说明:-**双P沟道:**该器件包含两个P沟道MOSFET,电流在P沟道中流动,通常用于不同类型的应用,如电源开关等。-**工作电
HAT1024RVB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【APM4303KC-TRL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:640.13KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:APM4303KC-TRL-VB丝印:VBA2309品牌:VBsemi参数:-P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-11A-开态电阻(RDS(ON)):11mΩ@10V,15mΩ@4.5V,2
APM4303KCTRLVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【SI4532ADY-T1-E3-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:638.82KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:SI4532ADY-T1-E3-VB丝印:VBA5325品牌:VBsemi参数:-类型:N+P沟道-额定电压(Vds):±30V-最大持续电流(Id):9A(N沟道)/-6A(P沟道)-导通电阻
SI4532ADYT1E3VB
NP
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【IRF7309TRPBF-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:636.71KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:IRF7309TRPBF-VB丝印:VBA5325品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N+P沟道-额定电压:±30V-最大电流:9A(正向),-6A(反向)-静态导通电阻(RDS(ON)
IRF7309TRPBFVB
NP
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【HAT3029R-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:636.25KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:HAT3029R-VB丝印:VBA5325品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N+P沟道-最大耐压:±30V-最大持续电流:9A(N沟道)/-6A(P沟道)-开通电阻(RDS(ON)):15mΩ
HAT3029RVB
NP
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【NCE4606-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:635.75KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:NCE4606-VB丝印:VBA5325品牌:VBsemi参数:-类型:N+P沟道-额定电压(Vds):±30V-最大持续电流(Id):9A(N沟道)/-6A(P沟道)-导通电阻(RDS(ON)
NCE4606VB
NP
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
会所强弱电施工图
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时间:2019.06.24
上传者:feiniao2008
某某会所强弱电施工图
【ZXMP10A18KTC-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:ZXMP10A18KTC-VB丝印:VBE2102M品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-100V-最大连续电流:-10A-静态开启电阻(RDS(ON)):188mΩ@10V,
ZXMP10A18KTCVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【NCE55P04S-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:629.26KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:NCE55P04S-VB丝印:VBA4658品牌:VBsemi参数:-沟道类型:2个P沟道-额定电压:-60V-最大连续电流:-5.3A-静态开启电阻(RDS(ON)):58mΩ@10V,70m
NCE55P04SVB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【SSD12P10-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:626.18KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:SSD12P10-VB丝印:VBE2102M品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-100V-最大连续电流:-10A-静态开启电阻(RDS(ON)):188mΩ@10V,195m
SSD12P10VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【AP6679GH-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:624.45KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:AP6679GH丝印:VBE2309品牌:VBsemi详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-60A-开通电阻(RDS(ON)):9mΩ@10V,12mΩ@4.5V-额定栅
AP6679GHVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【IRLZ34NPBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet
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大小:621.64KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:IRLZ34NPBF-VB丝印:VBM1638品牌:VBsemi参数说明:-极性:N沟道-额定电压:60V-最大连续漏极电流:50A-静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):24mΩ@10V,28
IRLZ34NPBFVB
沟道
to220
封装
mos
datasheet
【STN4NF03L-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:620.63KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:STN4NF03L-VB丝印:VBJ1322品牌:VBsemi参数:-N沟道-最大耐压:30V-最大漏电流:7A-静态导通电阻(RDS(ON)):25mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs
STN4NF03LVB
沟道
SOT223
封装
mos
datasheet
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