消费电子-原理图资料下载_第13页-面包板社区

【FDD8424H-VB】N+P沟道TO252-5封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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丝印：VBE5415品牌：VBsemi 型号：FDD8424H-VB 参数： -沟道类型：N+P沟道-最大电压：±40V-最大电流：50A/-50A-开通电阻：15mΩ@

FDD8424HVB NP 沟道 TO2525 封装 mos datasheet
【IRF830ASTRLPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF830ASTRLPBF-VB丝印：VBL165R10品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：650V-最大电流：10A-开态电阻(RDS(ON))：1100mΩ@10V-阈值电压(Vt

IRF830ASTRLPBFVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
多点无线数据传输系统资料

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时间：2019.06.06

上传者：feiniao2008

多点无线数据传输系统资料
【FQD3N50C-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FQD3N50C-VB丝印：VBE165R04品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：650V-最大电流：4A-导通电阻（RDS(ON)）：2200mΩ@10V,275

FQD3N50CVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【HFD4N50-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：HFD4N50-VB丝印：VBE165R04品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：650V-最大电流：4A-开态电阻(RDS(ON))：2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20V

HFD4N50VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【MDS9754URH-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：MDS9754URH丝印：VBA5325品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-最大耐压：±30V-最大电流：9A/-6A-导通电阻：15mΩ/42mΩ@10V,19mΩ

MDS9754URH NP VBsemi SOP8 mos datasheet
【C3028LD-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：C3028LD丝印：VBA5325品牌：VBsemi参数：-频道类型：N+P沟道-额定电压：±30V-额定电流：9A/-6A-RDS(ON)：15mΩ/42mΩ@10V，19mΩ/50mΩ@4.

C3028LDVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO4616-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：AO4616丝印：VBA5325品牌：VBsemi参数：N+P沟道,±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；±1.65Vth(

AO4616VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【MT4606-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

MT4606详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±30V-额定电流：9A(N沟道),-6A(P沟道)-导通电阻：15mΩ@10V(N沟道),42mΩ@10V(P沟道),19mΩ@4.5V(N沟

MT4606VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
开关电源输入滤波器的阻抗匹配

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时间：2019.06.12

上传者：feiniao2008

摘要:在设计和选用电源滤波器的过程中系统工程师发现,加了滤波器以后作用不大,甚至会发生某些频段的噪声变大。造成该现象的主要原因之一是电源滤波器的输出阻抗和开关电源输入阻抗之间相互匹配。分析了滤波器输出
【IRFZ24NS-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：IRFZ24NS丝印：VBL1632品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：40A-RDS(ON)：23mΩ@10V，27mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-

IRFZ24NSVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【IRFZ24SPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：IRFZ24SPBF-VB丝印：VBL1632品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：60V-最大电流：40A-RDS(ON)：23mΩ@10V,27mΩ@4.5V-门源电压（Vgs）范

IRFZ24SPBFVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【SIR802DP-T1-GE3-VB】N沟道DFN8(5X6)封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SIR802DP-T1-GE3-VB丝印：VBQA1302品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：30V-最大电流：160A-导通电阻（RDS(ON)）：1.8mΩ@1

SIR802DPT1GE3VB 沟道 DFN85X6 封装 mos datasheet
Fisher 500B.pdf

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时间：2021.04.23

上传者：Argent

音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品，好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛，与时俱进，增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料，欢迎下载。

Fisher 500Bpdf
【AO4480-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AO4480-VB丝印：VBA1410品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：40V-最大电流：10A-开态电阻(RDS(ON))：14mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-

AO4480VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
Toshiba东芝TB67S179FTG单极步进电机驱动IC中文产品规格书datasheet

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时间：2024.07.18

上传者：东芝铠侠代理

B67S179FTG提供多种步进分辨率设置，包括：全步、半步（a和b）、四分之一步、1/8步、1/16步和1/32步分辨率。PWM控制的同步整流以实现恒定电流驱动。通过外部组件可调的固定关断时间，确保
基于TOPSwitCh的电磁兼容性设计

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时间：2019.06.25

上传者：feiniao2008

基于TOPSwitCh的电磁兼容性设计

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