消费电子-原理图资料下载_第19页-面包板社区

【2SK3147STL-E-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：2SK3147STL-E-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：100V-最大连续漏极电流：18A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：115mΩ@1

2SK3147STLEVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
汉邦D1产品参数

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时间：2019.06.12

上传者：东亚安防

HB8200系列产品采用H.264压缩算法、LINUX操作系统和嵌入式处理器一体化的设计，在单板上集成了视音频采集、压缩、存储、网络传送、多路云台控制、报警检测等功能，保证了系统的高集成度和高可靠性。
【IRF9335TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF9335TRPBF-VB丝印：VBA2333品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-6A-开态电阻(RDS(ON))：40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20V

IRF9335TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SFT1443-H-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：SFT1443-H-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：100V-最大电流：18A-开态电阻(RDS(ON))：115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20V

SFT1443HVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【CEU12N10-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：CEU12N10-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-最大连续电流：18A-静态开启电阻（RDS(ON)）：115mΩ@10V,121mΩ@

CEU12N10VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRFR1018ETRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRFR1018ETRPBF-VB丝印：VBE1615品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：60V-最大漏电流：60A-静态导通电阻（RDS(ON)）：9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,

IRFR1018ETRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRFR48ZTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：IRFR48ZTRPBF-VB丝印：VBE1615品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：60V-最大电流：60A-开态电阻(RDS(ON))：9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs

IRFR48ZTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
XPD818规格书副边全集成 USB Type-C PD 控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD818是一款集成USBType-C、USBPowerDeliver（yPD）2.0/3.0以及QC3.0/2.0CLASSA快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DCP以及

XPD818 规格书副边全集成 usb TypeC pd 控制器
【IRFR540ZTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：IRFR540ZTRPBF-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：100V-最大电流：40A-开态电阻(RDS(ON))：30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,2

IRFR540ZTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRFR540ZPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：IRFR540ZPBF-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-最大连续电流：40A-静态开启电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V,31mΩ

IRFR540ZPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRF3710STRPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号:IRF3710STRPBF丝印:VBL1102N品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):100V -额定电流(ID):70A -开通电阻(

IRF3710STRPBFVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
AOD603A VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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AOD603A（VBE5638）是一款N+P沟道MOS型晶体管，采用TO252-5封装。该产品具有±60V的耐压能力和35A的正向电流承载能力，以及-18A的反向电流承载能力。其导通电阻RDS(ON)

AOD603A VBsemi mosfet datasheet
【AP9435K-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：AP9435K-VB丝印：VBJ2456品牌：VBsemi详细参数说明：1.P沟道2.最大耐压：-40V3.最大工作电流：-6A4.开导电阻（RDS(ON)）：42mΩ@10V，49mΩ@4.5

AP9435KVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
电流控制型脉宽调制器UC3842工作原理及应用

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时间：2019.06.20

上传者：feiniao2008

电流控制型脉宽调制器UC3842工作原理及应用
【IPP052NE7N3-G-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：IPP052NE7N3G-VB丝印：VBM1808品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：80V-最大连续电流：100A-静态开启电阻（RDS(ON)）：7mΩ@10V,9mΩ@4

IPP052NE7N3GVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
自动加料机控制系统资料

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时间：2019.06.05

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设计的由单片机控制的自动加料系统是与料斗式干燥机配套的加料系统。根据加料工艺要求，其工作原理是：先将真空管关闭，启动电机，用低真空气流将塑料树脂粒子送入真空管，电机停转，再将粒子排入料斗，如此循环。在
【50N06 30N06 20N06 25N06 35N06 60V贴片MOS管】惠海半导体

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时间：2021.06.22

上传者：东莞市惠海半导体

场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中，和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于：首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路

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