消费电子-原理图资料下载_第21页-面包板社区

【ZXMP6A18DN8TA-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：ZXMP6A18DN8TA丝印：VBA4658品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-5.3A-导通电阻：58mΩ@10V,70mΩ@4.

ZXMP6A18DN8TAVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI9948AEY-T1-E3-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：SI9948AEY-T1-E3丝印：VBA4658品牌：VBsemi详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-5.3A-开通电阻（RDS(ON)）：58mΩ@10V,70

SI9948AEYT1E3VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRF7342TRPBF-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：IRF7342TRPBF 丝印：VBA4658 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：2个P沟道 -额定电压：-60V -额定电流：-5.3A&

IRF7342TRPBF VBsemi SOP8 mos datasheet
【FDS9958-NL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：FDS9958-NL 丝印：VBA4658 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：2个P沟道 -额定电压：-60V -额定电流：-5.3A&nb

FDS9958NL VBsemi SOP8 mos datasheet
【SI4425DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SI4425DY-T1-E3-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-最大连续电流：-11A-静态开启电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V,1

SI4425DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO4419-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号:AO4419-VB-丝印:VBA2317-品牌:VBsemi-参数: -沟道类型:P沟道 -额定电压:-30V -额定电流:-7A -开启

AO4419VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【2SK3148-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2SK3148-VB丝印：VBMB1104N品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：100V-最大电流：50A-开态电阻(RDS(ON))：40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(

2SK3148VB 沟道 to220f 封装 mos datasheet
【APM2301AC-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：APM2301AC-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-20V-最大电流：-4A-导通电阻（RDS(ON)）：57mΩ@4.5V,83mΩ@

APM2301ACVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【IRFU5505PBF-VB】P沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号IRFU5505PBF-VB的详细参数和应用简介：**型号：**IRFU5505PBF-VB**丝印：**VBFB2610N**品牌：**VBsemi*

IRFU5505PBFVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
用C8051F300设计锂离子电池充电器的解决方案

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时间：2019.06.11

上传者：feiniao2008

引言鉴于产品使用的灵活性以及方便性的需要许多系统都把可充电电池作为主要的能量来源电池充电器的较典型的实现方法是用一个专门功能的集成电路IC去控制充电电流/电压的范围C8051F300系列单片机提供一个
电子设备（产品）的三防知识.

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时间：2019.06.20

上传者：feiniao2008

电子设备（产品）的三防知识.
【IRFU220NPBF-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：IRFU220NPBF-VB丝印：VBFB1203M品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：200V-最大连续漏极电流：10A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：270mΩ@1

IRFU220NPBFVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
【SI4848DY-T1-E3-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI4848DY-T1-E3-VB丝印：VBA1158N品牌：VBsemi参数：N沟道,150V,5.4A,RDS(ON),80mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V

SI4848DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【20N03-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：20N03-VB-丝印：VBE1310-品牌：VBsemi-类型：N沟道场效应管-额定电压：30V-额定电流：70A-RDS(ON)：7mΩ@10V,9mΩ@4.5V-门源电压：

20N03VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
LLC串联共振DCDC变换器

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时间：2019.06.13

上传者：feiniao2008

LLC串联共振DCDC变换器
【IRF5305STRPBF-VB】P沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：IRF5305STRPBF-VB丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-60V-最大电流：-30A-导通电阻（RDS(ON)）：58mΩ@10V,

IRF5305STRPBFVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【NTF6P02T3G-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：NTF6P02T3G丝印：VBJ2456品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-6A-导通电阻：42mΩ@10V,49mΩ@4.5V-门源电压

NTF6P02T3GVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet

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