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【NCE0117-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:NCE0117-VB丝印:VBM1101M品牌:VBsemi参数:-N沟道-额定电压:100V-最大电流:18A-开态电阻(RDS(ON)):127mΩ@10V,132mΩ@4.5V,20Vgs
NCE0117VB
沟道
to220
封装
mos
datasheet
【SI4920DY-T1-E3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:SI4920DY-T1-E3丝印:VBA3316品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:2个N沟道MOSFET-最大耐压:30V-最大电流:8.5A-导通电阻:20mΩ@10V,12mΩ@4.5
SI4920DYT1E3VB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【AOD417-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:538.79KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:AOD417-VB丝印:VBE2317品牌:VBsemi详细参数说明:-极性:P沟道-最大耐压:-30V-最大电流:-40A-导通电阻:18mΩ(在10V电压下),25mΩ(在4.5V电压下)-
AOD417VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
200910190155-三电平LLC变换器的PWM控制方法
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时间:2019.06.13
上传者:feiniao2008
200910190155-三电平LLC变换器的PWM控制方法
【SI4953DY-T1-E3-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:SI4953DY-T1-E3丝印:VBA4338品牌:VBsemi参数:-频道类型:2个P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-7A-RDS(ON):35mΩ@10V,48mΩ@4.5V-门源电
SI4953DYT1E3
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
【AO4812-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:AO4812-VB丝印:VBA3328品牌:VBsemi参数:-沟道类型:2个N沟道-最大耐压:30V-最大持续电流:6.8A(在20Vgs时)-最大脉冲电流:6.0A(在20Vgs时)-开通电
AO4812VB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【SI9945AEY-T1-E3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:537.56KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
SI9945AEY-T1-E3(VBA3638)参数说明:极性:2个N沟道;额定电压:60V;最大电流:6A;导通电阻:27mΩ@10V,32mΩ@4.5V;门源电压范围:20Vgs(±V)阈值电压:
SI9945AEYT1E3
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
【IRF7314TRPBF-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
IRF7314TRPBF详细参数说明:-极性:2个P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-7A-导通电阻:35mΩ@10V,48mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1.5Vth(
IRF7314TRPBF
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
【P06B03LVG-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:536.52KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
P06B03LVG详细参数说明:-极性:2个P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-7A-导通电阻:35mΩ@10V,48mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1.5Vth(V)-
P06B03LVGVB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【AO4818-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:AO4818丝印:VBA3316品牌:VBsemi参数:2个N沟道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V);SOP8该产品
AO4818VB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【IRF7341TRPBF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
IRF7341TRPBF(VBA3638)参数说明:2个N沟道,60V,6A,导通电阻27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压1.5V,封装:SOP8。应用简介:IRF734
IRF7341TRPBF
VBsemi 138088
mos
datasheet
【FDS3672-NL-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:534.73KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:FDS3672-NL-VB丝印:VBA1104N品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:9A-静态导通电阻(RDS(ON)):32mΩ@10V-静态导通电阻(R
FDS3672NLVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
极豆导航D1后盖接口定义
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时间:2021.11.24
上传者:wqshi_814596436
这是著名的互联网车载大屏机-极豆车机的后盖接口定义。非常难得。机器虽然已经停产。但是又一定的保有量。器性能一直未能呗竞争对手超越
极豆
导航
d1
后盖
接口定义
【IRLML9303TRPBF-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:IRLML9303TRPBF-VB丝印:VB2355品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-5.6A-导通电阻(RDS(ON)):47mΩ@10V
IRLML9303TRPBFVB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
单电源运放图解资料手册
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下载:5
大小:534.5KB
时间:2019.05.29
上传者:feiniao2008
前段时间去福州出差,看到TI的《ASingle-SupplyOp-AmpCircuitCollection》这篇文章,觉得不错,就把它翻译了过来,希望能对大家有点用处。
【XP132A1275SR-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:532.21KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
XP132A1275SR详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-8A-导通电阻:16mΩ@4.5V,19.2mΩ@2.5V-门源电压:15Vgs(±V)-阈值电压:-0.6~-2
XP132A1275SRVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
dac0832.pdf
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时间:2020.06.24
上传者:Argent
有没有使用过云龙51单片机,这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料,希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
dac0832pdf
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