消费电子-原理图资料下载_第33页-面包板社区

【NTMS4177PR2G-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NTMS4177PR2G-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-11A-开通态电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-

NTMS4177PR2GVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
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时间：2020.06.24

上传者：Argent

有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。

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【SI9435BDY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI9435BDY-T1-E3-VB丝印：VBA2333品牌：VBsemi参数：-P沟道-工作电压：-30V-工作电流：-6A-导通电阻：40mΩ（在10V下）-导通电阻：54mΩ（在4.5V下

SI9435BDYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI9435DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI9435DY-T1-E3-VB丝印：VBA2333品牌：VBsemi参数：-P沟道-工作电压：-30V-工作电流：-6A-开通电阻：40mΩ@10V，54mΩ@4.5V，20Vgs(±V)-

SI9435DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRF7205TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF7205TRPBF-VB 丝印：VBA2333 品牌：VBsemi 参数：P沟道，-30V，-6A，RDS(ON)，40m

IRF7205TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRF7328TRPBF-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF7328TRPBF-VB丝印：VBA4317品牌：VBsemi参数：-2个P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-8.5A-开态电阻(RDS(ON))：21mΩ@10V,28mΩ@4.5V

IRF7328TRPBFVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
导游助理机

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时间：2019.06.06

上传者：feiniao2008

适用于教学、旅游、企业流动现场培训等移动现场扩音，还可广泛应用于现场促销、健身活动及文艺表演等场合。扩音器喇叭选择适中，在室内教学使用时能满足长宽约15米的空间清晰听到，在户外旅游讲解使用时不会影响到
【2SK2498-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2SK2498-VB丝印：VBMB1606品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-最大连续漏极电流：120A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：6mΩ@10V，7mΩ@

2SK2498VB 沟道 to220f 封装 mos datasheet
【CJ3400-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：CJ3400-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-最大电流：6.5A-开态电阻(RDS(ON))：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-

CJ3400VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【HM70P04-VB】P沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：HM70P04-VB丝印：VBM2406品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-40V-最大电流：-80A-开态电阻(RDS(ON))：4mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V,20Vgs(±

HM70P04VB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【AP18P10GH-HF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：AP18P10GH-HF-VB丝印：VBE2101M品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-100V-最大电流：-15A-导通电阻（RDS(ON)）：120mΩ@10

AP18P10GHHFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【BSS138-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:BSS138-VB丝印:VB162K品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:0.3A-静态导通电阻(RDS(ON)):2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V

BSS138VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【STS10PF30L-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：STS10PF30L-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-11A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V，

STS10PF30LVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【LR120N-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号LR120N-VB的详细参数和应用简介：**型号：**LR120N-VB**丝印：**VBE1101M**品牌：**VBsemi**参数：**-沟道类型

LR120NVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
ZXMP10A17GTA VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了型号为ZXMP10A17GTA的MOS管，这款MOS管是一款P沟道型晶体管，工作电压可达-100V，最大工作电流为-3A。其在导通状态时的导通电阻（RDS(ON)）表现出色，仅为20

ZXMP10A17GTA VBsemi mosfet datasheet
【STD25N10F7-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：STD25N10F7-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：100V-最大持续电流（Id）：40A-导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V-

STD25N10F7VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【BF1107-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:BF1107-VB丝印:VB162K品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:0.3A-静态导通电阻(RDS(ON)):2800mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(

BF1107VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet