消费电子-原理图资料下载_第37页-面包板社区

【STN442D-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：STN442D-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数说明：-**N沟道：**该器件是一种N沟道MOSFET，适用于电流在N沟道中流动的应用。-**工作电压（VDS）：**60V，表示M

STN442DVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRFU014PBF-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRFU014PBF-VB丝印：VBFB1630品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：60V-最大持续电流（Id）：25A-导通电阻（RDS(ON)）：32mΩ@10V-门

IRFU014PBFVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
【AO8808A-VB】2个N沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：AO8808A-VB丝印：VBC6N2014品牌：VBsemi参数说明：-**双N沟道：**该器件包含两个N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，适用于不同类型的应用，如电源开关等。-**工作电

AO8808AVB 2个沟道 TSSOP8 封装 mos datasheet
新思科电子SYS04开发板28脚转接座说明书.pdf

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时间：2021.04.25

上传者：Argent

电子产品日新月异，不管是硬件工程师还是软件工程师，基本的模电、数电知识也是必备的条件，从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻

新思科电子 SYS04 开发板 28脚转接座说明书 pdf
【2SJ179-VB】P沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：2SJ179-VB丝印：VBI2338品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-最大连续电流：-5.8A-静态开启电阻（RDS(ON)）：50mΩ@10V,56mΩ@4.5

2SJ179VB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
【APM3048ADU4-VB】N+P沟道TO252-5封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：APM3048ADU4丝印：VBE5638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-最大耐压：±60V-最大电流：35A/-18A-导通电阻：38mΩ/58mΩ@10V,4

APM3048ADU4 NP VBsemi TO2525 mos datasheet
常见放大电路集锦

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时间：2019.05.29

上传者：feiniao2008

常见放大电路用用集锦
【ZXMP6A13GTA-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：ZXMP6A13GTA-VB丝印：VBJ2658品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-60V-最大连续电流：-6.5A-静态开启电阻（RDS(ON)）：58mΩ@10V,70m

ZXMP6A13GTAVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【2SJ518-VB】P沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2SJ518-VB丝印：VBI2658品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-60V-最大电流：-5A-开态电阻(RDS(ON))：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V)

2SJ518VB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
AP2181_AP2191.pdf

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时间：2021.03.26

上传者：Argent

全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

AP2181AP2191pdf
【2SJ356-VB】P沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:2SJ356-VB丝印:VBI2658品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-60V-最大电流:-5A-静态导通电阻(RDS(ON)):58mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(O

2SJ356VB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
【CMD20N06L-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:CMD20N06L-VB丝印:VBE1638品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:45A-静态导通电阻(RDS(ON)):24mΩ@10V-静态导通电阻(RDS

CMD20N06LVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
QM4002AD VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi引入高性能MOSFET型号QM4002AD（丝印为VBE1410），适用于各种电子应用，展现出色的性能特点。它具有出色的40V电压容忍度和最大50A的电流额定值，10V时的RDS(ON)值

QM4002AD VBsemi mosfet datasheet
氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片

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时间：2019.06.13

上传者：feiniao2008

氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片
【ME4925-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：ME4925丝印：VBA4317品牌：VBsemi参数：-频道类型：2个P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-8.5A-RDS(ON)：21mΩ@10V，28mΩ@4.5V-门源电压范围：12

ME4925VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AP9561GH-HF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AP9561GH-HF-VB 丝印：VBE2412 品牌：VBsemi 详细参数说明：-P沟道-额定电压：-40V-额定电流：-

AP9561GHHFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AO4611-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AO4611丝印：VBA5638品牌：VBsemi参数：-频道类型：N+P沟道-额定电压：±60V-额定电流：6.5A/-5A-RDS(ON)：28mΩ/51mΩ@10V,34mΩ/60mΩ@4

AO4611VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet

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