消费电子-原理图资料下载_第39页-面包板社区

【IRF9Z24NS-VB】P沟道TO263封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：361.53KB

时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：IRF9Z24NS丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数：P沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1~-3Vth(V)；TO2

IRF9Z24NSVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
A33-V2核心板引脚说明.pdf

所需E币：0

下载：0

大小：358.51KB

时间：2021.03.26

上传者：Argent

全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

A33V2 核心板引脚说明 pdf
DDR的设计资料

所需E币：0

下载：2

大小：358.46KB

时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

PC1600andPC2100DDRSDRAMUnbufferedDIMMDesignSpecificationRevision1.1June29,2001
【Si1553CDL-T1-GE3-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：357.23KB

时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

Si1553CDL-T1-GE3详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A(N沟道),-1.5A(P沟道)-导通电阻：130mΩ@4.5V(N沟道),230mΩ@4.5V

Si1553CDLT1GE3VB NP 沟道 SC706 封装 mos datasheet
【AP2307GN-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：355.53KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AP2307GN-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-最大耐压：-20V-最大电流：-4A-静态开启电阻(RDS(ON))：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源

AP2307GNVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
PW2051 1.5A DC-DC 降压转换器芯片

所需E币：0

下载：2

大小：355.47KB

时间：2022.11.03

上传者：夸克微

代理商技术支持有原厂测试板郑S13076919501

PW2051 15A dcdc 降压转换器芯片
【FDG6321C-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：354.98KB

时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

FDG6321C详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A/-1.5A-导通电阻：130mΩ/230mΩ@4.5V,160mΩ/280mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs

FDG6321C VBsemi SC706 mos datasheet
消防智能电动车设计与制作资料

所需E币：2

下载：1

大小：354.58KB

时间：2019.06.05

上传者：feiniao2008

本智能车是以铝合金为车架，AT89S52单片机为控制核心，加以直流电机、舵机、光电传感器、火焰传感器和电源电路以及其他电路构成。系统由89S52通过IO口控制小车的前进后退以及转向。舵机带动灭火风扇左
【AO7414-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：354.44KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号:AO7414-VB-丝印:VBK1270-品牌:VBsemi-参数:N沟道,20V,4A,RDS(ON):45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±

AO7414VB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【AO3460-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：354.07KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AO3460-VB丝印：VB162K品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：60V-最大持续电流（Id）：0.3A-导通电阻（RDS(ON)）：2800mΩ@10V-门源电压

AO3460VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
NDT2955 VBsemi MOSFET Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：353.9KB

时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了NDT2955MOSFET，其特征性的丝印型号为VBJ2658。这款MOSFET属于P沟道晶体管，具有出色的规格，包括最大电压等级为-60V和显著的最大电流处理能力为-6.5A。导通

NDT2955 VBsemi mosfet datasheet
【AO3421E-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：353.23KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：AO3421E-VB-丝印：VB2355-品牌：VBsemi-类型：P沟道场效应管-最大漏极电压（Vds）：-30V-最大漏极电流（Ids）：-5.6A-电阻开关特性：RDS(O

AO3421EVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
CDMA网络技术体制讲义

所需E币：4

下载：0

大小：353KB

时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

总则800MHzCDMA数字蜂窝移动通信网是公用蜂窝移动通信网的一种，它提供全国范围的公众移动通信业务，同时也可为特殊专网用户提供移动通信业务。1．本体制主要依据邮电部电信发展政策制定，遵循的原则是重
【15N10 TO252-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：352.68KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：15N10TO252-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi详细参数说明：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-额定电流：18A-静态电阻：115mΩ@10V,121mΩ@4.5V-门源

15N10 TO252VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
VBZA9945微碧半导体（VBsemi）N沟道SOP8封装MOSFET

所需E币：0

下载：3

大小：351.21KB

时间：2023.08.16

上传者：VBsemi

VBZA9945是微碧半导体（VBsemi）一款N沟道SOP8封装的MOSFET产品型号

VBZA9945 微碧 VBsemi n沟道 SOP8 mosfet
【DMC2038LVT-7-F-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：348.83KB

时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

DMC2038LVT-7-F(VB5222)参数说明:极性：N+P沟道；额定电压：±20V；最大电流：7A/-4.5A；导通电阻：20mΩ/70mΩ@4.5V,29mΩ/106mΩ@2.5V；门源电压

DMC2038LVT7F NP VBsemi sot236 mos datasheet
【APM2701ACC-TRG-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：348.8KB

时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

APM2701ACC-TRG(VB5222)参数说明：N+P沟道，±20V，7/-4.5A，导通电阻20/70mΩ@4.5V，29/106mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压0.71/

APM2701ACCTRG NP VBsemi sot236 mos datasheet

最新资讯