社区首页
博客
论坛
文库
评测
芯语
活动
商城
更多
社区
论坛
博客
问答
评测中心
面包芯语
E币商城
社区活动
资讯
电子工程专辑
国际电子商情
电子技术设计
CEO专栏
eeTV
EE|Times全球联播
资源
在线研讨会
视频
白皮书
小测验
供应商资源
ASPENCORE Studio
EE直播间
活动
IIC Shanghai 2023
2023(第四届)国际 AIoT 生态发展大会
全球 MCU 生态发展大会
第四届临港半导体产业高峰论坛暨司南科技奖颁奖盛典
IIC Shenzhen 2023
第四届中国国际汽车电子高峰论坛
更多活动预告
杂志与服务
免费订阅杂志
电子工程专辑电子杂志
电子技术设计电子杂志
国际电子商情电子杂志
社区每月抽奖
登录|注册
帖子
帖子
博文
电子工程专辑
电子技术设计
国际电子商情
资料
白皮书
研讨会
芯语
文库
首页
分类
专题
技术白皮书
电子杂志
帮助
创建专题
上传文档
我的上传
我的下载
我的收藏
登录
下载首页
分类
专题
技术白皮书
帮助
面包板社区
博客
论坛
E币商城
面包芯语
帖子
帖子
博文
资料
资料
专题
热门搜索:
python
HarmonyOS
嵌入式
电源
C语言
华为
电子竞赛
单片机
PCB
技术类别:
全部
基础知识
电源/功率
PCB
单片机/嵌入式
FPGA
模拟/数字
消费电子
处理器/DSP
传感器
测试测量
物联网
通信/RF/网络
接口/内存/显示
软件/EDA/IP
工业/医疗
汽车/安防
采购/供应链/管理
AI/机器人/无人机
制造与封装
其他
资料属性:
全部
书籍
源码
原理图
电路图
综合文档
经验文摘
论文
教程与笔记习题
其他
消耗E币:
全部
免费
1-3
4-6
7-10
技术类别
资料属性
消耗E币
全部
基础知识
电源/功率
PCB
单片机/嵌入式
FPGA
模拟/数字
消费电子
处理器/DSP
传感器
测试测量
物联网
通信/RF/网络
接口/内存/显示
软件/EDA/IP
工业/医疗
汽车/安防
采购/供应链/管理
AI/机器人/无人机
制造与封装
其他
全部
全部
书籍
源码
原理图
电路图
综合文档
经验文摘
论文
教程与笔记习题
其他
全部
免费
1-3
4-6
7-10
按时间排序
按下载量排序
按文档大小排序
【STP3NK60ZFP-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:326.3KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:STP3NK60ZFP-VB丝印:VBMB165R04品牌:VBsemi参数:-类型:N沟道-额定电压(Vds):650V-最大持续电流(Id):4A-导通电阻(RDS(ON)):2560mΩ@
STP3NK60ZFPVB
沟道
to220f
封装
mos
datasheet
【FDC6420C-NL-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:324.73KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:FDC6420C-NL丝印:VB5222品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N+P沟道MOSFET-最大耐压:±20V-最大电流:7A/-4.5A-导通电阻:20mΩ/70mΩ@4.5V,2
FDC6420CNLVB
NP
沟道
sot236
封装
mos
datasheet
【AO4724-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:324.69KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:AO4724-VB丝印:VBA1311品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-最大耐压:30V-最大持续电流:12A-开通电阻(RDS(ON)):12mΩ@10Vgs、15mΩ@4.5Vgs
AO4724VB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【FDC6327C-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:324.4KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:FDC6327C-VB丝印:VB5222品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N+P沟道-额定电压:±20V-最大连续电流:7A/-4.5A-静态开启电阻(RDS(ON)):20mΩ/70mΩ@4
FDC6327CVB
NP
沟道
sot236
封装
mos
datasheet
【NCE6602-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:324.39KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:NCE6602-VB丝印:VB5222品牌:VBsemi参数:-N+P沟道-额定电压:±20V-最大电流:7A(正向)/4.5A(反向)-开态电阻(RDS(ON)):20mΩ@4.5V(正向)/
NCE6602VB
NP
沟道
sot236
封装
mos
datasheet
【2SJ355-VB】P沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:323.88KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:2SJ355-VB丝印:VBI2338品牌:VBsemi参数:-类型:P沟道-额定电压(Vds):-30V-最大持续电流(Id):-5.8A-导通电阻(RDS(ON)):50mΩ@10V-门源电
2SJ355VB
沟道
SOT893
封装
mos
datasheet
【AO6601-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:323.7KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:AO6601-VB丝印:VB5222品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N+P沟道-额定电压:±20V-最大连续电流:7A/-4.5A-静态开启电阻(RDS(ON)):20mΩ/70mΩ@4.5
AO6601VB
NP
沟道
sot236
封装
mos
datasheet
【AO6604-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:323.63KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
AO6604详细参数说明:-极性:N+P沟道-额定电压:±20V-额定电流:7A/-4.5A-导通电阻:20mΩ/70mΩ@4.5V,29mΩ/106mΩ@2.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值
AO6604
NP
VBsemi
sot236
mos
datasheet
【AO4406A-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:321.65KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
详细参数说明:-型号:AO4406A-VB-丝印:VBA1311-品牌:VBsemi-参数:N沟道,30V,12A,RDS(ON)为12mΩ(在10V时),15mΩ(在4.5V时),20Vgs的范围为
AO4406AVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【AM30N10-70D-T1-PF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:321.2KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:AM30N10-70D-T1-PF-VB丝印:VBE1104N品牌:VBsemi参数说明:-类型:N沟道MOSFET-工作电压:100V-额定电流:40A-开通电阻:30mΩ(10V)、31mΩ
AM30N1070DT1PFVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【ZVN2120GTA-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:320.92KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:ZVN2120GTA丝印:VBJ1201K品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):200V-额定电流(ID):1A-开通电阻(RDS(ON)):1100mΩ@
ZVN2120GTAVB
沟道
SOT223
封装
mos
datasheet
夏普烟雾传感器GP2Y1010AU0F应用手册
所需E币:2
下载:4
大小:320.78KB
时间:2019.05.22
上传者:xiatiezheng_555355118
夏普烟感传感器GP2Y1010AU0F,应用文档。
GP2Y1010AU0F
应用手册
【APM2701AC-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:320.16KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:APM2701AC-VB 丝印:VB5222 品牌:VBsemi 参数说明:-沟道类型:N+P沟道-最大电压:±20V-最大电流:7A正向,4.5A反向-开通电阻:
APM2701ACVB
NP
沟道
sot236
封装
mos
datasheet
【FDG6332C-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:319.99KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
FDG6332C(VBK5213N)参数说明:N+P沟道,±20V,2.5/-1.5A,导通电阻130/230mΩ@4.5V,160/280mΩ@2.5V,门源电压范围20V(±V),可调阈值电压范围
FDG6332C
NP
VBsemi
SC706
mos
datasheet
基于单片机的数字温度计资料
所需E币:2
下载:0
大小:319.79KB
时间:2019.06.06
上传者:feiniao2008
基于单片机的数字温度计资料
【15N10 TO251-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:316.87KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:15N10TO251丝印:VBFB1101M品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N沟道MOSFET-最大耐压:100V-最大电流:15A-导通电阻:115mΩ@10V,120mΩ@4.5V-
15N10
TO251VB
沟道
TO251
封装
mos
datasheet
【SFT1342-TL-E-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:314.32KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
SFT1342-TL-E详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-60V-额定电流:-22A-导通电阻:48mΩ@10V,57mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1.5Vth(V
SFT1342TLEVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
1 ...
38
39
40
41
42
43
44
45
46
... 71
/ 71 页
下一页
点击登录
全站已有
275979
份文档
上传我的文档
热门资料
基础知识
电源/功率
PCB
单片机/嵌入式
FPGA
模拟/数字
处理器/DSP
传感器
测试测量
通信/RF/网络
软件/EDA/IP
采购/供应链/管理
正在投票中:2025中国IC设计成就奖(企业奖&产品奖)
立即报名:IIC Shanghai 2025展会暨研讨会
【直播】创新芯片重塑机器人未来
【直播】可替代采样电阻的电流传感器技术
详解状态监控系统的数据采集技术
一次集齐!热门下载资料Top100
推荐白皮书
1
毫米波转换器方案评估
2
基于ADI最新射频器件的5G毫米波基站和NTN地面终端平台方案-睿查森电子演讲PPT资料
3
未来智能工业现场的关键技术
4
利用降噪技术改善开关模式电源
5
为智能工厂提供的解决方案
6
mPower基础:全新电源完整性设计方案
7
ADC和音频测试的全新方案
8
超详细指南:数字预失真故障排除和微调
热门专题
1
常用封装尺寸资料
2
单片机管理技术
3
一次集齐!2023热门下载资料Top100
4
单片机管理技术
5
电源资料
6
DSP控制资料的介绍
7
关于嵌入式开发必备的综合性资料
8
关于CPLD及EDA设计资料集合
下载排行榜
本周
本月
本年
用户贡献榜
本周
本月
本年
EE直播间
更多
Fabless100系列技术和应用直播 —实时控制、BMS:国产MCU迈向高性能应用
直播时间: 02月18日 10:00
高效协同与版本管理:是德科技设计数据管理软件助力现代芯片设计
直播时间: 02月26日 10:00
第三代功率半导体器件测试解决方案
直播时间: 03月06日 10:00
在线研讨会
更多
重塑机器人未来:揭秘创新芯片解决方案的颠覆力量
使用新型光耦隔离栅极驱动器优化系统效率及EMI表现
Allegro电流传感器替代采样电阻解决方案—实现更高效、更可靠的电流检测
迈来芯电流传感器:从汽车到工业与消费电子全面应用
上传
本网页已闲置超过10分钟,按键盘任意键或点击空白处,即可回到网页
X
最新资讯
从传统医药向智能硬件延伸,刷医保卡购买华为智能手表引争议
又一家国产EDA冲刺上市,芯和半导体开启辅导备案
豪掷2000亿欧元!欧盟AI超级工厂计划曝光
就业危机!美国科技行业1月失业人数超15万人,AI技术是“罪魁祸首”
恩智浦2个月收购3家公司,业绩承压或裁员应对