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LED 光源驱动设计及周边器件选择
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时间:2019.06.13
上传者:feiniao2008
LED光源驱动设计及周边器件选择
交通控制器设计资料
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时间:2019.06.05
上传者:feiniao2008
本设计以AT89S52单片机为核心,构成单片机控制电路,结合LM386芯片,显示15秒倒计时,并进行报警,同时完成对它们的自动调整和掉电保护,全部信息用数码管显示。软件控制程序实现所有的功能。整机电路
【AOD425A-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:AOD425A丝印:VBE2317品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:P沟道MOSFET-最大耐压:-30V-最大电流:-40A-导通电阻:18mΩ@10V,25mΩ@4.5V-门源电压:2
AOD425AVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【SI2300DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
SI2300DS-T1-GE3参数:N沟道,20V,6A,RDS(ON)24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.45~1Vth(V),SOT23应用简介:SI2300DS-T1-
SI2300DST1GE3
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【Si2342DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
Si2342DS-T1-GE3(VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,门源电压范围8V(±V),可调阈值电压范围0.45~1V,封装:SOT23
Si2342DST1GE3
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【SI2302DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
SI2302DS-T1-GE3(VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,门源电压范围8V(±V),可调阈值电压范围0.45~1V,封装:SOT23
SI2302DST1GE3
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【RU205B-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
RU205B(VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,门源电压范围8V(±V),可调阈值电压范围0.45~1V,封装:SOT23。应用简介:RU2
RU205B
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【50P04-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
50P04(VBE2412)参数说明:P沟道,-40V,-65A,导通电阻10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压-1.6V,封装:TO252。应用简介:50P04适用于高功
50P04
VBsemi
TO252
mos
datasheet
汉邦DVR报警连接方法
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时间:2019.06.12
上传者:东亚安防
本主机支持常开和常闭两种报警输入,为方便用户,硬件采用同一种接法,用软件来调节常开,常闭,具体应用如下:1.报警硬件接法2.报警输入常开,常闭设置3.报警输出接法
【AP2306N-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AP2306N参数:N沟道,20V,6A,RDS(ON)24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.45~1Vth(V),SOT23应用简介:AP2306N是一款适用于中电流、低电压
AP2306N
VBsemi
sot23
mos
datasheet
自动水满报警器设计资料
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时间:2019.06.05
上传者:feiniao2008
自动水满报警器是当今运用十分广泛的报警器产品,在消防部门,公司安全和人们的日常生活都发挥着重要的作用。该电路设计方法颇多,但其功能都是唯一的,实现水满后自动报警,而工作原理,分析方法,电路调试等都根据
【CES2312-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
CES2312(VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,门源电压范围8V(±V),可调阈值电压范围0.45~1V,封装:SOT23。应用简介:CE
CES2312
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【NDS331N-NL-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
NDS331N-NL(VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V),阈值电压0.45~1V,封装:SOT23。应用简介:NDS331N
NDS331NNL
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【50N04-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:50N04丝印:VBE1405品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N沟道MOSFET-最大耐压:40V-最大电流:85A-导通电阻:4mΩ@10V,5mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±
50N04
VBsemi
TO252
mos
datasheet
一种智能频率计的设计与制作(AVR)proteus仿真+程序资料
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时间:2019.06.05
上传者:feiniao2008
一种智能频率计的设计与制作(AVR)proteus仿真+程序资料
【NTD20P06LT4G-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:NTD20P06LT4G丝印:VBE2610N品牌:VBsemi参数:-频道类型:P沟道-额定电压:-60V-额定电流:-38A-RDS(ON):61mΩ@10V,72mΩ@4.5V-门源电压范
NTD20P06LT4GVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【IRF840APBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
详细参数说明:-型号:FDV303N-NL-VB-丝印:VB1240-品牌:VBsemi-参数:-N沟道-额定电压:20V-额定电流:6A-静态电阻:24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-门源电压:
IRF840APBFVB
沟道
to220
封装
mos
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