消费电子-原理图资料下载_第47页-面包板社区

【SI2305ADS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2305ADS-T1-GE3(VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，门源电压范围12V(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。

SI2305ADST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2305CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2305CDS-T1-GE3(VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。应用简介

SI2305CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【FDS6875-NL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：FDS6875-NL-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数说明：-类型：2个P沟道功率MOSFET-额定电压：-30V-额定电流：-7A-开通电阻：35mΩ（在10V）、48mΩ（在4

FDS6875NLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI2301BDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2301BDS-T1-GE3(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压

SI2301BDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【IRLML6401TRPBF-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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IRLML6401TRPBF(VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，门源电压范围12V(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。应用

IRLML6401TRPBF VBsemi sot23 mos datasheet
【Si2399DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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Si2399DS-T1-GE3参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V);SOT23应用简介：Si2399DS-

Si2399DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2301DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2301DS-T1-GE3(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：

SI2301DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2333CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2333CDS-T1-GE3参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON)57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V),-0.81Vth(V),SOT23应用简介：SI2333CDS

SI2333CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SM2300NSAC-TRG-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：SM2300NSAC-TRG-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：20V-最大持续电流（Id）：6A-导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V

SM2300NSACTRGVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【2SK3484-Z-E1-AZ-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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2SK3484-Z-E1-AZ参数：N沟道,100V,18A,RDS(ON)115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.6Vth(V),TO252应用简介：2SK3484-Z-E

2SK3484ZE1AZ VBseim TO252 mos datasheet
【AO7400-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO7400(VBK1270)参数说明:极性：N沟道；额定电压：20V；最大电流：4A；导通电阻：45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：1

AO7400 VBsemi SC703 mos datasheet
【FDN302P-NL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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FDN302P-NL(VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，门源电压范围12Vgs(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。应用简介

FDN302PNL VBsemi sot23 mos datasheet
【NTD3055L170T4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：NTD3055L170T4G-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：60V-最大电流：18A-静态开启电阻(RDS(ON))：73mΩ@10V,85mΩ@4.

NTD3055L170T4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AO3423-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO3423(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：-0.81V；封装

AO3423 VBsemi sot23 mos datasheet
【AO2301-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO2301(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：-0.81V；封装

AO2301 VBsemi sot23 mos datasheet
【SM4027PSU-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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型号：SM4027PSU-VB丝印：VBE2412品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-静态开启电阻(RDS(ON))：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-

SM4027PSUVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【BSS308PE-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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BSS308PE(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：BSS30

BSS308PE VBsemi sot23 mos datasheet

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