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    时间:2022.01.21
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    上传者:smilefeng
    数字信号处理入门书籍,非常全面,清晰易懂
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    时间:2022.01.21
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    上传者:Eways-SIC
    碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。
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    时间:2022.01.21
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    上传者:Eways-SIC
    SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于SiC功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、
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    时间:2022.01.21
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    上传者:Eways-SIC
    SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于SiC功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、
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    时间:2022.01.21
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    SICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,适用于高温、
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    时间:2022.01.21
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    上传者:Eways-SIC
    SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
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    时间:2022.01.21
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    上传者:Eways-SIC
    碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。
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    上传者:Eways-SIC
    碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。
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    上传者:Eways-SIC
    SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
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    上传者:Eways-SIC
    SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
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    时间:2022.01.21
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    上传者:Eways-SIC
    ICMOSFET是第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,适用于高温、高频、大功
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    时间:2022.01.21
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    上传者:Eways-SIC
    碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。
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    时间:2022.01.21
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    上传者:hust-wdh_163697172
    PCB方面的工程设计、以及材料、制造等诸多信息
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    上传者:samewell
    数字设计原理与实践.zip
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    时间:2022.01.19
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    上传者:胡光亮上海雷卯电子
    电磁兼容方案和接口电路大全,都是经过客户验证的成熟电路,开发板外围电路设计
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    上传者:justheheda
    雷默连接器接口,1转4P。
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    时间:2022.01.19
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    上传者:samewell
    (视频教学)打电话点亮LED.zip
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