最新下载-电子技术资料下载中心-面包板社区

C语言应用程序的静态漏洞检测

所需E币：5

下载：1

大小：931.68KB

时间：2024.03.05

上传者：htwdb

C语言是广泛使用的高级编程语言之一,其发展了30多年仍然有很强的生命力,由于其本身面向底层的特点,使得它存在可能被利用的安全漏洞.C程序漏洞有很大一部分是内存访问相关漏洞,而其中大多数是由C语言库函数

语言应用程序静态漏洞检测
基于C++语言的跨平台软件开发的设计与实现

所需E币：5

下载：1

大小：2.63MB

时间：2024.03.05

上传者：htwdb

本文通过总结实习中的项目，根据实用的代码详细论述C++语言在跨平台开发相关的技术和管理策略，包括代码编写、测试以及部署上的设计和考量。围绕本文的论题，本文将主要论述基于C++语言的多元化软件开发的设计

 跨平台软件开发设计实现
IPC-7525C-2021 中文版 CN 模板设计指导

所需E币：0

下载：35

大小：1.77MB

时间：2024.03.05

上传者：powerstd

IPC-7525C-2021中文版CN模板设计指导

IPC7525C2021 中文版 cn 模板设计指导
【APM4953KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：645.84KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：APM4953KC-TRL-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-2个P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-开通态电阻：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V

APM4953KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI1308EDL-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：265.79KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI1308EDL-VB丝印：VBK1270品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：20V-额定电流：4A-开态电阻：45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V-门源电压范围：

SI1308EDLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【APM1403ASC-TRL-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：1

大小：331.05KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明:-型号:APM1403ASC-TRL-VB-丝印:VBK2298-品牌:VBsemi-类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-3A-导通电阻:98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2

APM1403ASCTRLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【SM4307PSKC-TRG-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：252.68KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SM4307PSKC-TRG-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-工作电压：-30V-工作电流：-11A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs

SM4307PSKCTRGVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SSC8035GS6-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：272.14KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SSC8035GS6-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-最大耐压：-30V-最大漏极电流：-5.6A-漏极-源极电阻：47mΩ@10V、56mΩ@4.5V-最大栅极

SSC8035GS6VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【APM4927KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：247.19KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

APM4927KC-TRL-VB是一款由VBsemi品牌生产的型号，其丝印为VBA4317。该器件是一款双P沟道功率场效应晶体管，主要参数如下：-额定电压：-30V-额定电流：-8.5A-RDS(ON

APM4927KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【ZXMC4559DN8TA-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：299.29KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：ZXMC4559DN8TA-VB丝印：VBA5638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-工作电压：±60V-电流：6.5/-5A-开态电阻：RDS(ON)为28/51

ZXMC4559DN8TAVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO7414-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：354.44KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号:AO7414-VB-丝印:VBK1270-品牌:VBsemi-参数:N沟道,20V,4A,RDS(ON):45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±

AO7414VB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【AM4599C-T1-PF-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：387.65KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：型号：AM4599C-T1-PF-VB丝印：VBA5638品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N+P沟道-最大工作电压：±60V-最大工作电流：6.5A（正向）/-5A（反向）-RDS(

AM4599CT1PFVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【FDC6312P-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：283.09KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：FDC6312P-VB-丝印：VB4290-品牌：VBsemi-参数： -2个P沟道 -工作电压：-20V -工作电流：-4A -导通电阻

FDC6312PVB 2个沟道 sot236 封装 mos datasheet
【APM2701AC-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：320.16KB

时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：APM2701AC-VB 丝印：VB5222 品牌：VBsemi 参数说明：-沟道类型：N+P沟道-最大电压：±20V-最大电流：7A正向，4.5A反向-开通电阻：

APM2701ACVB NP 沟道 sot236 封装 mos datasheet
PCB设计之DFM检查表--PCB layout工程师必看

所需E币：0

下载：94

大小：527.41KB

时间：2024.02.28

上传者：zhusx123

PCB设计之DFM检查表--PCBlayout工程师必看

pcb 设计 dfm 查表 pcb layout 工程师必看
PCB设计应用教材-嘉立创

所需E币：1

下载：61

大小：14.08MB

时间：2024.02.28

上传者：zhusx123

PCB设计应用教材-嘉立创

pcb 设计应用教材嘉立创
Altium designer PCB画板速成教材 Ver1.1

所需E币：0

下载：115

大小：12.42MB

时间：2024.02.28

上传者：zhusx123

AltiumdesignerPCB画板速成教材Ver1.1

altium designer pcb 画板速成教材 VER11

1 ... 16 17 18 192021 22 23 24 ... 500 / 500 页下一页

热门资料

基础知识电源/功率 PCB 单片机/嵌入式 FPGA 模拟/数字处理器/DSP 传感器测试测量通信/RF/网络软件/EDA/IP 采购/供应链/管理

推荐白皮书

热门专题

下载排行榜

用户贡献榜

EE直播间

中小数字IC云仿真加速方案：弹性资源与验证效率提升直播时间： 05月22日 10:00
材料介电常数的精确表征和测试直播时间： 07月03日 10:00

在线研讨会

最新资讯