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M12028 内置快充协议、Type-C输入2-4节锂电池5A大电流充电管理IC方案.docx

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时间：2024.02.27

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目前Type-C正在成为为单节和多节电池供电设备充电的标准端口。移动蓝牙、移动电源、电动工具等应用已经从专有充电端口、传统USBA口和桶形插孔端口过渡到标准化Type-C接口。那如何通过Type-c输
LLC电源设计步骤资料

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时间：2024.02.27

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LLC电源设计步骤资料

llc 电源设计步骤资料
IEC61850协议移植笔记.docx

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时间：2024.02.27

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EC61850是变电站自动化系统（SAS）中通信系统和分散能源（DER）管理的国际标准。它通过标准的实现，实现了智能变电站的工程运作标准化。使得智能变电站的工程实施变得规范、统一和透明，在电力和储能系

iec61850 协议移植笔记 docx
BUCK拓扑EMI对策

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时间：2024.02.27

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BUCK拓扑EMI对策，通常可以通过以下几种方法来降低开关电源对外产生的电磁干扰。改善方法一：缩短开关电流回路，，，

buck 拓扑 emi
AI PC专题图文

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时间：2024.02.27

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AIPC专题图文到了2024年，随着结合端侧/个人大型模型的AIPC产品真正出现，我们终于可以在个人办公环境中拥有更智能、更安全的设备。这标志着我们将能够更好地利用AI的潜力，开启一个全新的“生产力时

ai pc 专题图文
CCM BOOST PFC电路设计浅析.doc

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时间：2024.02.27

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CCMBOOSTPFC电路设计浅析.doc

ccm boost PFC 电路设计浅析 doc
【FQD6N40CTM-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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型号：FQD6N40CTM-VB丝印：VBE165R07S品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：650V-最大持续电流：7A-开通电阻（RDS(ON)）：700mΩ@10Vgs-阈值电

FQD6N40CTMVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AO7800-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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型号：AO7800-VB丝印：VBK3215N品牌：VBsemi参数：-类型：2个N沟道-最大耐压：20V-最大电流：2A-静态开启电阻(RDS(ON))：150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V-

AO7800VB 2个沟道 SC706 封装 mos datasheet
【APM4828KC-TRL-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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型号：APM4828KC-TRL-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：30V-最大持续电流：12A-开通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10Vgs、15mΩ

APM4828KCTRLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI1304BDL-T1-GE3-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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型号:SI1304BDL-T1-GE3-VB丝印:VBK1270品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:4A-静态导通电阻(RDS(ON)):45mΩ@10V,

SI1304BDLT1GE3VB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【SM2300NSAC-TRG-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：SM2300NSAC-TRG-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：20V-最大持续电流（Id）：6A-导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V

SM2300NSACTRGVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【Si1922EDH-T1-GE3-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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型号：Si1922EDH-T1-GE3-VB丝印：VBK3215N品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：2个N沟道-额定电压（Vds）：20V-额定电流（Id）：2A-静态导通电阻（RDS(ON

Si1922EDHT1GE3VB 2个沟道 SC706 封装 mos datasheet
【APM2300CAC-TRL-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：APM2300CAC-TRL-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：20V-最大持续电流：6A-开通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5Vgs、33mΩ

APM2300CACTRLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【TSM2314CX-RF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：TSM2314CX-RF-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：20V-最大电流：6A-静态开启电阻(RDS(ON))：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-

TSM2314CXRFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【APM2301AC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM2301AC-TRL-VB 丝印：VB2290 品牌：VBsemi 参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-开通电阻：57

APM2301ACTRLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SM3113NSUC-TRG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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详细参数说明：-型号：SM3113NSUC-TRG-VB-丝印：VBE1303-品牌：VBsemi-类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：100A-RDS(ON)：2mΩ@10V,3mΩ@4.5V

SM3113NSUCTRGVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NCE6005AS-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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详细参数说明：-型号：NCE6005AS-VB-丝印：VBA3638-品牌：VBsemi-参数：2个N沟道,60V,6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.

NCE6005ASVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet

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