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PCB设计与工艺流程讲解

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时间：2024.01.22

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PCB设计规范PCB工艺流程讲解

pcb 设计工艺流程讲解
智能一体化电源用户手册 (中国移动, IEC-48-OH, IEC-OH-L, IEC-OH, IEC-O)

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时间：2024.01.22

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概述：本文档针对产品介绍、部件介绍与系统维护进行描述本文图片仅供参考，具体结构以实物为准。读者对象：本文档(本指南)主要适用于以下工程师销售工程师技术支持工程师维护工程师
笔记本电池电量显示原理.doc

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时间：2024.01.15

上传者：电子阔少

笔记本电池电量显示原理.doc

笔记本电池电量显示原理 doc
IEC61850标准PDF 全套资料

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时间：2024.01.12

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iec61850 标准 pdf 全套资料
超低功耗液晶显示屏-无需背光阳光下可视SHARP Memory LCD选型表

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时间：2024.01.10

上传者：瑞福科技

SHARPMemoryLCD是一类特殊液晶显示屏，它在每个像素点内置了显存记忆体，使得断电情况下仍然能保持显示状态，同时它是半透半反式的显示屏，无需背光在阳光下能超清晰显示，阳光越强对比度越好，由于这

超低功耗液晶显示屏背光阳光可视 SHARPMemoryLCD 液晶选型
C#+WPF模块化开发反应釜控制系统

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时间：2024.01.08

上传者：学习菜鸟小弟弟

1、什么是wpfWPF是微软新一代图形系统，运行在.NETFramework3.0及以上版本下，为用户界面、2D/3D图形、文档和媒体提供了统一的描述和操作方法。基于DirectX9/10技术的WPF

CWPF 模块化开发反应控制系统
【FDC3512-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：FDC3512丝印：VB7101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：3.2A-导通电阻：100mΩ@10V,127mΩ@4.5V-门源电压

FDC3512 VBsemi sot236 mos datasheet
【CED12N10-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

CED12N10详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：100V-额定电流：15A-导通电阻：115mΩ@10V,120mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.41Vth(V)-封

CED12N10 VBsemi TO251 mos datasheet
【CEM4435-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：CEM4435丝印：VBA2317品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-RDS(ON)：23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V-门源

CEM4435 VBsemi SOP8 mos datasheet
【NTS2101PT1G-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

NTS2101PT1G详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-3A-导通电阻：98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-0.6~-2

NTS2101PT1G VBsemi SC703 mos datasheet
【FDC6306P-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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FDC6306P详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-导通电阻：75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-1.2~-2.2V

FDC6306P VBsemi sot236 mos datasheet
【CPH3427-TL-E-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：CPH3427-TL-E丝印：VB1102M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：2A-导通电阻：246mΩ@10V,260mΩ@4.5V-门

CPH3427TLE VBsemi sot23 mos datasheet
【XP152A12C0MR-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：XP152A12C0MR丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V-门源电压范围：

XP152A12C0MR VBsemi sot23 mos datasheet
【FDG6321C-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

FDG6321C详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A/-1.5A-导通电阻：130mΩ/230mΩ@4.5V,160mΩ/280mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs

FDG6321C VBsemi SC706 mos datasheet
【CMD5950-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

CMD5950详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-100V-额定电流：-40A-导通电阻：33mΩ@10V,36mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.92Vth(V)-封

CMD5950 VBsemi TO252 封装 mos datasheet
【SI1967DH-T1-GE3-VB】2个P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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SI1967DH-T1-GE3详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-1.5A-导通电阻：230mΩ@4.5V,276mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：

SI1967DHT1GE3 VBsemi SC706 mos datasheet
【FDC5661N-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

FDC5661N详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：7A-导通电阻：30mΩ@10V,35mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1~3Vth(V)-封装类型：S

FDC5661N VBsemi sot236 mos datasheet

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