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【FDC6306P-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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FDC6306P详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-导通电阻：75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-1.2~-2.2V

FDC6306P VBsemi sot236 mos datasheet
【APM3048ADU4-VB】N+P沟道TO252-5封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：APM3048ADU4丝印：VBE5638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-最大耐压：±60V-最大电流：35A/-18A-导通电阻：38mΩ/58mΩ@10V,4

APM3048ADU4 NP VBsemi TO2525 mos datasheet
【IRF7470TRPBF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：IRF7470TRPBF丝印：VBA1410品牌：VBsemi参数：N沟道,40V,10A,RDS(ON),14mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V)；SOP8

IRF7470TRPBF VBsemi SOP8 mos datasheet
【AP2303GN-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：AP2303GN丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.6A-RDS(ON)：47mΩ@10V，56mΩ@4.5V-门源电压范围：±20

AP2303GN VBsemi sot23 mos datasheet
【IRFR4620TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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IRFR4620TRPBF详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：200V-额定电流：25A-导通电阻：54mΩ@10V,112mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：3.2Vth(V

IRFR4620TRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
【CPH3427-TL-E-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：CPH3427-TL-E丝印：VB1102M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：2A-导通电阻：246mΩ@10V,260mΩ@4.5V-门

CPH3427TLE VBsemi sot23 mos datasheet
【50N04-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：50N04丝印：VBE1405品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：40V-最大电流：85A-导通电阻：4mΩ@10V,5mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±

50N04 VBsemi TO252 mos datasheet
【AO4828-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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AO4828详细参数说明：-极性：2个N沟道-额定电压：60V-额定电流：6A-导通电阻：27mΩ@10V,32mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.5Vth(V)-封装类型：S

AO4828 VBsemi SOP8 mos datasheet
【XP152A12C0MR-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：XP152A12C0MR丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V-门源电压范围：

XP152A12C0MR VBsemi sot23 mos datasheet
【FR5305-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：FR5305丝印：VBE2625品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-50A-导通电阻：20mΩ@10V,25mΩ@4.5V-门源电压：20

FR5305 VBsemi TO252 mos datasheet
【SI4953DY-T1-E3-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：SI4953DY-T1-E3丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-频道类型：2个P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-RDS(ON)：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V-门源电

SI4953DYT1E3 VBsemi SOP8 mos datasheet
【AP4563GH-VB】N+P沟道TO252-5封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：AP4563GH丝印：VBE5415品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-最大耐压：±40V-最大电流：50A/-50A-导通电阻：15mΩ@10V,18.75mΩ@4

AP4563GH NP VBsemi TO2525 mos datasheet
【AO3415-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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AO3415详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-0.81Vth(V)-封装类

AO3415 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2318DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：SI2318DS-T1-GE3 丝印：VB1330 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：N沟道 -额定电压：30V -额定电流：6.5A&nb

SI2318DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SUD50P04-08-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：SUD50P04-08-GE3丝印：VBE2412品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5

SUD50P0408GE3 VBsemi TO252 mos datasheet
【FDG6321C-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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FDG6321C详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A/-1.5A-导通电阻：130mΩ/230mΩ@4.5V,160mΩ/280mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs

FDG6321C VBsemi SC706 mos datasheet
【MTD6P10ET4-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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MTD6P10ET4 VBsemi TO252 mos datasheet

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