原理图资料下载_第34页-面包板社区

C8051F系列应用笔记AN015 软件 UART 示例

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C8051F系列应用笔记AN015软件UART示例
功率电感DCR检流的原理.docx

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功率电感DCR检流的原理.docx

功率电感 dcr 检流原理 docx
TD-SCDMA 物理层部分

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TD-SCDMA物理层部分
一种基于安卓和CAN总线虚拟仪表控制板

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时间：2019.06.28

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一种基于安卓和CAN总线虚拟仪表控制板
infoX-EIE V4.1 API接口说明(COM)

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时间：2019.06.04

上传者：东亚安防

为了企业用户更加简便同时又灵活地实现相关的业务，企业业务系统可以接入企业信息机的应用开发接口，这个接口以DLL的方式封装COM组件提供给企业应用系统调用。通过该COM组件封装的对象可以实现短信的发送、
orcad原理图设计规范.

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时间：2023.02.22

上传者：张红川

orcad原理图设计规范.

orcad 原理图设计规范
XPD319规格书 USB Type-C PD 多协议控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD319是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD3.0）以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DC

XPD319 规格书 usb TypeC pd 多协议控制器
深圳华为PCB设计规范

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时间：2019.05.22

上传者：feiniao2008

深圳华为PCB设计规范
CD4514BC点阵

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时间：2019.06.06

上传者：feiniao2008

CD4514BC•CD4515BC4-BitLatched/4-to-16LineDecoders
【QBCU 008-2010】中国联通绿色IDC技术规范v1.0

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时间：2019.06.17

上传者：东亚安防

【QBCU008-2010】中国联通绿色IDC技术规范v1.0
东芝2SC2712晶体管datasheet

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时间：2024.06.17

上传者：东芝铠侠代理

高电压和电流处理能力：东芝2SC2712晶体管拥有50V的高集电极-发射极电压(VCEO)，能够轻松应对各种电路中的高电压需求。同时，它还能承载150mA的最大集电极电流(IC)，在处理大电流负载时也

东芝 2SC2712 晶体管 datasheet
Microcontrol -- 采用MSP430 ADC外设实现高精度测量

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时间：2019.06.28

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Microcontrol--采用MSP430ADC外设实现高精度测量
CS5263替代IT6563开发DP to HDMI转换芯片设计原理图

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时间：2023.03.06

上传者：QQ1540182856

CS5263原理图，CS5263设计电路图，替代IT6563方案设计，DPtoHDMI转换芯片方案设计开发资料

CS5263 替代IT6563 DP 13083 cs5263芯片设计原理图
【NCE2014ES-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NCE2014ES-VB 丝印：VBA1206 品牌：VBsemi 参数说明：-类型：N沟道 -额定电压：20V -额定电流：15A

NCE2014ESVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
HiSpark_AI_Hi3516D_Core_VER.B_NoValueSCH

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时间：2022.04.02

上传者：Argent

HiSpark_AI_Hi3516D_Core_VER.B_NoValueSCH
PIC16F873-874-876-877_cn.pdf

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时间：2021.04.27

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AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

PIC16F873874876877cnpdf
【APM2321AAC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM2321AAC-TRL-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-最大连续电流：-5.6A-静态开启电阻（RDS(ON)）：47mΩ@10V,5

APM2321AACTRLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet

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