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【IRF540NPBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:IRF540NPBF-VB丝印:VBM1104N品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:55A-静态导通电阻(RDS(ON)):36mΩ@10V-静态导通电阻(
IRF540NPBFVB
沟道
to220
封装
mos
datasheet
玩具汽车原理图
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大小:95.75KB
时间:2023.01.06
上传者:张红川
无线遥控玩具汽车的原理图
玩具
汽车
原理图
基于MSP430F449的数字频率计设计
所需E币:2
下载:1
大小:1.37MB
时间:2019.06.05
上传者:feiniao2008
基于MSP430F449的数字频率计设计
AO6800 VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:255.2KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了AO6800型号的MOS管,其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管,具备出色的性能参数。最大工作电压为20V,最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻(RDS(ON))
AO6800
VBsemi
mosfet
datasheet
69-tbga-9.0x12.5.pdf
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大小:18.51KB
时间:2021.04.14
上传者:Argent
电子产品日新月异,硬件电子工程师少不了画PCB,设计需考虑电子元器件封装,收集了诸多常用封装,有兴趣了解的网友,下载参考参考吧。
69tbga90x125pdf
70-ssop-500.pdf
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时间:2021.04.14
上传者:Argent
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70ssop500pdf
26(24)-soj-300a.pdf
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时间:2021.04.14
上传者:Argent
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2624soj300apdf
GSM优化全方位讲解1
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时间:2019.06.03
上传者:东亚安防
第一节GSM网络优化概述GSM网络从1993年在我国商用,至今已有十多年的历史了.在这十多年里,我们的移动网络用户已经超过了3亿,网络规模和容量都居于世界第一.随着我国移动通讯的高速发展,通信网络面临
GSM优化全方位讲解3
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时间:2019.06.03
上传者:东亚安防
一般采用telnet工具进入CELLDOCTOR界面,以南阳的OMC为例说明:登陆网管,用户名一般为地市拼音缩写+omc1,密码为123456,如南阳用户名nyomc1,密码123456:
GSM优化全方位讲解4
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大小:4.81MB
时间:2019.06.03
上传者:东亚安防
经纬度格式:不需进行调整,采用默认值即可可选项:用于定义特殊的扇区,如室内覆盖,直放站等等,以CELL的最后一位区分扇区信息:GSM900后的3个框所添数据用于区分不同扇区,如图填写1,2,3则表示C
FPGA+TCP+W5300的原理图
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时间:2022.04.25
上传者:孚尔姆智能15019380404梁工
FPGA控制5300的原理图
fpga
tcp
w5300
原理图
幼儿园弱电智能化设计方案
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时间:2019.06.18
上传者:东亚安防
前言11.幼儿园情况12.项目需求13.设计思想1二、设计方案21.软件系统21.1智能幼儿园综合管理系统概述21.2系统介绍31.3系统优势51.4系统功能62.综合布线92.1网络系统102.2背
EMC传导干扰滤波电路的设计
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时间:2019.06.25
上传者:feiniao2008
EMC传导干扰滤波电路的设计
BH1750光照传感器模块设计包含原理图及PCB文件
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大小:583.64KB
时间:2023.05.26
上传者:木头1233
BH1750光照传感器模块设计包含原理图及PCB文件
BH1750
光照传感器
模块设计
包含
原理图
pcb
文件
变压器详解
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大小:1.08MB
时间:2019.06.11
上传者:feiniao2008
Transformer概述Transformer原理及特性Transformer等效线路及频率响应Transformer相关高频参数概念及计算Transformer测试
26(24)-soj-300b.pdf
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时间:2021.04.14
上传者:Argent
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28-sop-bd350-an.pdf
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时间:2021.04.14
上传者:Argent
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