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【TSM2314CX-RF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：TSM2314CX-RF-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：20V-最大电流：6A-静态开启电阻(RDS(ON))：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-

TSM2314CXRFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【TSM3404CX RF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：TSM3404CXRF-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：30V-最大电流：6.5A-静态开启电阻(RDS(ON))：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V-

TSM3404CX RFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【XP152A12C0MR-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：XP152A12C0MR丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V-门源电压范围：

XP152A12C0MR VBsemi sot23 mos datasheet
【ZXMC4559DN8TA-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：ZXMC4559DN8TA-VB丝印：VBA5638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-工作电压：±60V-电流：6.5/-5A-开态电阻：RDS(ON)为28/51

ZXMC4559DN8TAVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【ZXMP10A18KTC-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：ZXMP10A18KTC-VB丝印：VBE2102M品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-100V-最大连续电流：-10A-静态开启电阻（RDS(ON)）：188mΩ@10V,

ZXMP10A18KTCVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【ZXMP6A18KTC-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：ZXMP6A18KTC-VB丝印：VBE2658品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-60V-最大电流：-22A-导通电阻（RDS(ON)）：48mΩ@10V,57

ZXMP6A18KTCVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
东芝2SC2712晶体管datasheet

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时间：2024.06.17

上传者：东芝铠侠代理

高电压和电流处理能力：东芝2SC2712晶体管拥有50V的高集电极-发射极电压(VCEO)，能够轻松应对各种电路中的高电压需求。同时，它还能承载150mA的最大集电极电流(IC)，在处理大电流负载时也

东芝 2SC2712 晶体管 datasheet
东芝TB5128FTG步进电机驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.06.17

上传者：东芝铠侠代理

TB5128FTG拥有众多确保高性能、可靠性和灵活性的特性：BiCD工艺集成：在单片IC中结合了双极、CMOS和DMOS工艺，提升性能。多功能电机控制：能够通过PWM控制恒流驱动控制一个双极步进电机。

东芝 TB5128FTG 步进电机驱动 ic 产品规格书 datasheet
中触TP 7寸ZCC-2210 工程图 Model (1).pdf

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时间：2021.03.26

上传者：Argent

全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

中触 tp 7寸 ZCC2210 工程 model 1pdf
晶台光耦KL814晶体管光耦(AC)产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL814系列器件由两个反向并联的红外发射二极管与一个光电晶体管组成，构成光电耦合器。它们采用4引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•交流输入响应ACi

晶台光耦 814 晶体管光耦 ac 产品规格书
晶台光耦KLCNY17-2晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KLCNY17-2系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成，它采用6引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•选取窄范围的CTRCurr

晶台光耦 KLCNY172 晶体管产品规格书
晶台光耦KLCNY17-3晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KLCNY17-3系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成，它采用6引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•选取窄范围的CTRCurr

晶台光耦 KLCNY173 晶体管产品规格书
晶台光耦KLCNY17-4晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KLCNY17-4系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成，它采用6引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•选取窄范围的CTRCurr

晶台光耦 KLCNY174 晶体管产品规格书
晶台光耦KLCNY17F-1晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KLCNY17F-1系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成。它采用6引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•选取窄范围的CTRCur

晶台光耦 KLCNY17F1 晶体管光耦产品规格书
晶台光耦KLCNY17F-2晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KLCNY17F-2系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成。它采用6引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•选取窄范围的CTRCur

晶台光耦 KLCNY17F2 晶体管光耦产品规格书
晶台光耦KLCNY17F-3晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KLCNY17F-3系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成。它采用6引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•选取窄范围的CTRCur

晶台光耦 KLCNY17F3 晶体管产品规格书
晶台光耦KLCNY17F-4晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KLCNY17F-4系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成。它采用6引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•选取窄范围的CTRCur

晶台光耦 KLCNY17F4 晶体管产品规格书

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