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Toshiba东芝TPH1500CNH N沟道MOSFET产品规格书datasheet

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时间：2024.09.03

上传者：东芝铠侠代理

高效率TPH1500CNH采用了先进的沟道结构设计，极大地降低了导通电阻（R<sub>DS(on)</sub>），使得在高电流工作环境下仍然能够保持极低的功耗。相较于传统的MO

toshiba 东芝 TPH1500CNH 沟道 mosfet 产品规格书 datasheet
VK1626最大32SEG×4COM-LCD驱动芯片(IC)资料分享

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时间：2021.11.10

上传者：crh18824662436

特点•工作电压2.4-5.2V•内置32kHzRC振荡器（上电默认）•可外接32kHz时钟源（OSCI）•偏置电压（BIAS）固定为1/5•COM周期（DUTY）固定为1/16•内置显示RAM为48x

VK1626 最大 32SEG 4COMLCD 驱动芯片 ic 资料分享
VKL076是超低功耗LCD液晶驱动芯片-超低工作电流，低休眠电流

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时间：2021.11.30

上传者：crh18824662436

VKL076 SSOP28是字段式液晶显示驱动芯片。功能特点:★液晶驱动输出：Common输出4线；Segment输出15线★内置DisplaydataRAM(DDRAM)★内置RAM容量：

VKL076 超低功耗 lcd 液晶驱动芯片超低工作电流休眠电流
x-nucleo-ihm07m1_bom.pdf

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时间：2021.10.11

上传者：Argent

从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻电容电感，每个元器件在电路中必然有其作用。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想

xnucleoihm07m1bompdf
【2N7002WT1G-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：2N7002WT1G-VB丝印：VBK162K品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：60V-最大电流：0.35A-导通电阻（RDS(ON)）：1800mΩ@10V,2

2N7002WT1GVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【ACE2302BBM+H-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datashee

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

ACE2302BBM+H(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用

ACE2302BBMH VBsemi sot23 mos Datashee
【AM4599C-T1-PF-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：型号：AM4599C-T1-PF-VB丝印：VBA5638品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N+P沟道-最大工作电压：±60V-最大工作电流：6.5A（正向）/-5A（反向）-RDS(

AM4599CT1PFVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO7400-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AO7400(VBK1270)参数说明:极性：N沟道；额定电压：20V；最大电流：4A；导通电阻：45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：1

AO7400 VBsemi SC703 mos datasheet
【AO7407-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AO7407丝印：VBK2298品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-3A-RDS(ON)：98mΩ@4.5V，117.6mΩ@2.5V-门源电压范围：12

AO7407VB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【AO7414-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号:AO7414-VB-丝印:VBK1270-品牌:VBsemi-参数:N沟道,20V,4A,RDS(ON):45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±

AO7414VB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【CMD5950-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

CMD5950详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-100V-额定电流：-40A-导通电阻：33mΩ@10V,36mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.92Vth(V)-封

CMD5950 VBsemi TO252 封装 mos datasheet
【CPH3427-TL-E-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：CPH3427-TL-E丝印：VB1102M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：2A-导通电阻：246mΩ@10V,260mΩ@4.5V-门

CPH3427TLE VBsemi sot23 mos datasheet
【DMC2038LVT-7-F-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

DMC2038LVT-7-F(VB5222)参数说明:极性：N+P沟道；额定电压：±20V；最大电流：7A/-4.5A；导通电阻：20mΩ/70mΩ@4.5V,29mΩ/106mΩ@2.5V；门源电压

DMC2038LVT7F NP VBsemi sot236 mos datasheet
【DMG1012T-VB】N沟道SC75-3封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

DMG1012T(VBTA1220N)参数说明：N沟道，20V，1A，导通电阻200mΩ@4.5V，230mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压0.6V，封装：SC75-3。应用简介：DMG10

DMG1012T VBsemi SC753 mos datasheet
【FDC602P-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FDC602P-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-4.8A-静态导通电阻（RDS(ON)）：49mΩ@1

FDC602PVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【FDC6306P-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

FDC6306P详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-导通电阻：75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-1.2~-2.2V

FDC6306P VBsemi sot236 mos datasheet
【FDC6312P-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：FDC6312P-VB-丝印：VB4290-品牌：VBsemi-参数： -2个P沟道 -工作电压：-20V -工作电流：-4A -导通电阻

FDC6312PVB 2个沟道 sot236 封装 mos datasheet