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ACS600多传动模块安装手册
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时间:2022.03.29
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ACS600多传动模块安装手册
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英威腾CHF100A矢量通用型变频器
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时间:2022.03.29
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英威腾CHF100A矢量通用型变频器
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8个检测点/八通道水位检测芯片(IC)VK36W8I-适用于饮水机、净饮机、咖啡机、水壶等需检水场景 ...
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时间:2022.03.02
上传者:crh18824662436
产品型号:VK36W8I产品品牌:永嘉微电/VINKA封装形式:SOP16/DIP16产品年份:新年份联系人:陈先生联系QQ:3618885898 联系手机:18824662436原厂直销,
CS5261替代RTD2171U最新版设计参考电路
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时间:2022.02.24
上传者:qq2755130042
CS5261替代RTD2171U设计电路,CS5261参考电路图,Type-C转HDMI方案芯片设计资料,CS5261完全替代AG9310电路图
CS5261
替代RTD2171U
CS5261设计参考
低功耗智能TWS 3键3通道触摸IC-VK36T3C-适用蓝牙耳机/音箱/触摸类产品
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时间:2022.02.22
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产品型号:VK36T3C产品品牌:VINKA/永嘉微电封装形式:DFN8产品年份:新年份联系人:陈先生QQ:3618885898联系手机:18824662436(信)深圳市永嘉微电科技有限公司,原厂直
SIC碳化硅MOS应用 PD 快充
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时间:2022.01.27
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SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于SiC功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、
sic
碳化硅
mos
pd
快充
SIC MOS光伏储能
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时间:2022.01.21
上传者:Eways-SIC
SICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,适用于高温、
SIC MOS光伏储能
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大小:1.1MB
时间:2022.01.21
上传者:Eways-SIC
SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
碳化硅MOS应用于双向DCDC(LLC,移相全桥,DAB)
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时间:2022.01.27
上传者:Eways-SIC
碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。
双向
dcdc
llc
移相全桥
dab
SIC MOS应用 充电机DC-DC总成
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时间:2022.01.27
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SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
sic
mos
充电机DCDC总成
LED数显数码管驱动芯片,LED驱动IC-VK1S68C/D适用LED显示屏驱动,内置RC震荡
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时间:2022.01.17
上传者:crh18824662436
产品型号:VK1S68C产品品牌:VINKA/永嘉微电/永嘉微封装形式:SSOP24VK1S68C是1/5~1/8占空比的LED显示控制驱动电路。由10根段输出、4根栅输出、3根段/栅输出,1个显示存
The.Mathemati
c
a.Book.-.5Thed
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The.Mathemati
c
a.Book.-.5Thed.By.Stephen.Wolfram
TheMathematicaBook5Thed
MATLAB数值计算 Cleve.B.Moler编 喻文健译
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MATLAB数值计算Cleve.B.Moler编喻文健译
matlab
数值
计算
CleveBMoler
喻文
健译
Mathemati
c
a使用指南 第2版 英文版
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Mathemati
c
a使用指南第2版英文版
mathematica
使用
指南
2版
英文版
Applied.Numeri
c
al.Methods.Using.Matlab
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Applied.Numeri
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al.Methods.Using.Matlab
Applied.E
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onometri
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s.using.MATLAB
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Applied.E
c
onometri
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s.using.MATLAB
AppliedEconometricsusingMATLAB
An Introdu
c
tion to Programming in MATLAB
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AnIntrodu
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tiontoProgrammingandNumeri
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alMethodsinMATLAB
an
introduction
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programming
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matlab
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