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西门子FM350-2入门手册
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时间:2019.05.27
上传者:crystal2k
西门子FM350-2入门手册
西门子FM350-2
入门手册
微型打印机方案(原理图+PCB+BOM表
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时间:2023.01.09
上传者:张红川
微型打印机方案(原理图+PCB+BOM表
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门禁系统方案
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时间:2019.06.18
上传者:东亚安防
现代门禁的发展,历经了从机械锁→数字机械锁→光孔锁→磁片锁→磁卡锁→接触式IC卡锁→非接触式智能卡门禁的漫长演变过程。非接触式智能卡门禁以其远优于接触式IC卡锁的下述三大优良特性,成为接触式IC卡锁的
会议室会议系统方案
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时间:2019.06.18
上传者:东亚安防
多功能会议室:2.1.1.采用一台高亮度投影机及120”作为主显示,另配备两台液晶电视作为辅助显示,在主席台还配有一套隐藏式可升降液晶显示器供领导观看。2.1.2.发言系统:主席台设会议系统主席机1只
网络摄像机培训-基础篇(大华IPC)
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时间:2019.06.18
上传者:东亚安防
摄像机:是一种把景物光像转变为电信号的装置,其结构大致可分为三部分:光学系统:主要指镜头光电转换系统:主要指摄像管或影像传感器件电路系统:主要指视频处理电路
1-程控交换机原理
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大小:1.22MB
时间:2019.06.17
上传者:东亚安防
通信网的分类PSTN的三级结构PSTN本地网二级结构大城市本地网分区双汇接中等城市汇接局全覆盖不同运营网关口局设置
STM32单片机控制BLDC无刷直流电机的电路原理图.pdf
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时间:2021.10.11
上传者:Argent
从二极管到三极管,从单片机到多核MCU,3G网络到5G产品的普及,不管电子产品的集成度怎么高,其产品还是少不了电阻电容电感,每个元器件在电路中必然有其作用。单片机是芯片开发的基础,相信从中会获得您意想
stm32
单片机控制
bldc
无刷直流电机
电路原理图
pdf
碳化硅MOS应用于双向DCDC(LLC,移相全桥,DAB)
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大小:1.16MB
时间:2022.01.27
上传者:Eways-SIC
碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。
双向
dcdc
llc
移相全桥
dab
无线覆盖网络工程实施注意事项.
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时间:2019.06.17
上传者:东亚安防
无线覆盖网络工程实施注意事项目录一、工程实施前.............................................................................
SIC碳化硅MOS应用 PD 快充
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大小:1.12MB
时间:2022.01.27
上传者:Eways-SIC
SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于SiC功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、
sic
碳化硅
mos
pd
快充
SIC MOS光伏储能
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时间:2022.01.21
上传者:Eways-SIC
SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
SIC MOS应用 充电机DC-DC总成
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时间:2022.01.27
上传者:Eways-SIC
SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
sic
mos
充电机DCDC总成
自制的无刷电机电调原理图.pdf
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时间:2021.10.11
上传者:Argent
从二极管到三极管,从单片机到多核MCU,3G网络到5G产品的普及,不管电子产品的集成度怎么高,其产品还是少不了电阻电容电感,每个元器件在电路中必然有其作用。单片机是芯片开发的基础,相信从中会获得您意想
自制
无刷
机电
原理图
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大型超市监控系统解决方案
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时间:2019.06.18
上传者:东亚安防
衡量一个建筑物或一个用户单位内安全防范系统的成功与否,并非仅仅取决于安全防范系统的规模大小、系统的先进性或集成度,而是取决于系统的设计和配置是否经济合理并且系统成功运行,系统的使用、管理和维护是否方便
蓝牙定位,米级定位精度,室外型4.2蓝牙网关95Power _VDB2610使用说明书
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时间:2020.04.24
上传者:帘卷笙声寂
基于蓝牙4.2/5.0版本研发,集成蓝牙4.2/5.0、WiFi、4G(LTE-TDD/LTE-FDD)三种无线通讯协议,支持4G网络、WiFi无线网络和RJ45有线网络3种联网方式上报数据。VDB2
SIC MOS光伏储能
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时间:2022.01.21
上传者:Eways-SIC
SICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,适用于高温、
GBT 17626.2-2006 电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验
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大小:1013.33KB
时间:2019.06.27
上传者:忆轻狂
国标中对于静电放电ESD实验的单项测试标准,包含测试等级、测试方法等内容
静电抗扰度
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