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【BSP170P-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
BSP170P(VBJ2658)参数说明:P沟道,-60V,-6.5A,导通电阻58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),可调阈值电压范围-1~-3V,封装:SOT223。应用
BSP170P
VBsemi
SOT223
mos
datasheet
【BSP030-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
BSP030参数:N沟道,30V,7A,RDS(ON)25mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.5Vth(V),SOT223应用简介:BSP030是一款适用于中高功率应用的N沟道M
BSP030
VBsemi
SOT223
mos
datasheet
【BSH114-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
BSH114(VB1102M)参数说明:N沟道,100V,2A,导通电阻246mΩ@10V,260mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压2V,封装:SOT23。应用简介:BSH114是一
BSH114
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【BSH103-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
BSH103(VB1330)参数说明:N沟道,30V,6.5A,导通电阻30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),可调阈值电压范围1.2~2.2V,封装:SOT23。应用简介:
BSH103
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【APM4826KC-TRG-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
APM4826KC-TRG(VBA1311)参数说明:N沟道,30V,12A,导通电阻12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),可调阈值电压范围0.8~2.5V,封装:SOP8
APM4826KCTRG
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SOP8
mos
datasheet
【APM4435KC-TRL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
APM4435KC-TRL(VBA2317)参数说明:极性:P沟道;额定电压:-30V;最大电流:-7A;导通电阻:23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V;门源电压范围:20Vgs(
APM4435KCTRL
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SOP8
mos
datasheet
APM3095PUC-TRL-VB一种P沟道TO252封装MOS管
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
APM3095PUC-TRL(VBE2338)参数说明:P沟道,-30V,-26A,导通电阻33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1.3V,封装:TO252。应用
APM3095PUCTRL
VBsemi
TO252
mos
【APM2701ACC-TRG-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
APM2701ACC-TRG(VB5222)参数说明:N+P沟道,±20V,7/-4.5A,导通电阻20/70mΩ@4.5V,29/106mΩ@2.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压0.71/
APM2701ACCTRG
NP
VBsemi
sot236
mos
datasheet
【AP9575GM-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AP9575GM(VBA2658)参数说明:P沟道,-60V,-6A,导通电阻50mΩ@10V,61mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1.5V,封装:SOP8。应用简介:AP957
AP9575GM
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
【AP2306N-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AP2306N参数:N沟道,20V,6A,RDS(ON)24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.45~1Vth(V),SOT23应用简介:AP2306N是一款适用于中电流、低电压
AP2306N
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【AOI444-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AOI444(VBFB1630)参数说明:N沟道,60V,25A,导通电阻32mΩ@10V,36mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压2.4V,封装:TO251。应用简介:AOI444适
AOI444
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TO251
mos
datasheet
【AOD409-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
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AOD409(VBE2658)参数说明:P沟道,-60V,-22A,导通电阻48mΩ@10V,57mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1.5V,封装:TO252。应用简介:AOD40
AOD409
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TO252
mos
datasheet
【AOD407-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
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AOD407(VBE2610N)参数说明:P沟道,-60V,-38A,导通电阻61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1.3V,封装:TO252。应用简介:AOD4
AOD407
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TO252
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【AOD240-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AOD240(VBE1405)参数说明:N沟道,40V,85A,导通电阻4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压1.85V,封装:TO252。应用简介:AOD240适用于
AOD240
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TO252
mos
datasheet
【AOB414-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
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AOB414(VBL1102N)参数说明:N沟道,100V,70A,导通电阻18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压2V,封装:TO263。应用简介:AOB414适用于高电流
AOB414
VBsemi
TO263
mos
datasheet
【AO7400-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AO7400(VBK1270)参数说明:极性:N沟道;额定电压:20V;最大电流:4A;导通电阻:45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V;门源电压范围:12Vgs(±V)阈值电压:1
AO7400
VBsemi
SC703
mos
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【AO6801-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
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AO6801(VB4290)参数说明:2个P沟道,-20V,-4A,导通电阻75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V,12Vgs(±V),阈值电压-1.2~-2.2V,封装:SOT23-6。应用简介:
AO6801
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