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【AO4805-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:267.65KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AO4805(VBA4317)参数说明:2个P沟道,-30V,-8.5A,导通电阻21mΩ@10V,28mΩ@4.5V,门源电压范围12V(±V),阈值电压-1.8V,封装:SOP8。应用简介:AO4
AO4805
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
【AO4435-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:253.74KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AO4435(VBA2317)参数说明:P沟道,-30V,-7A,导通电阻23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V),阈值电压-1.37V,封装:SOP8。应用简介:
AO4435
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
【AO4354-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:246.58KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AO4354(VBA1303)参数说明:N沟道,30V,18A,导通电阻5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压1.72V,封装:SOP8。应用简介:AO4354是一
AO4354
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
【AO3423-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:286.36KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AO3423(VB2290)参数说明:极性:P沟道;额定电压:-20V;最大电流:-4A;导通电阻:57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V;门源电压范围:12Vgs(±V)阈值电压:-0.81V;封装
AO3423
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【AO3407-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:284.82KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AO3407(VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1V,封装:SOT23。应用简介:AO3407适
AO3407
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【AO2301-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:286.27KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AO2301(VB2290)参数说明:极性:P沟道;额定电压:-20V;最大电流:-4A;导通电阻:57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V;门源电压范围:12Vgs(±V)阈值电压:-0.81V;封装
AO2301
VBsemi
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mos
datasheet
【2SK3484-Z-E1-AZ-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:287.94KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
2SK3484-Z-E1-AZ参数:N沟道,100V,18A,RDS(ON)115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.6Vth(V),TO252应用简介:2SK3484-Z-E
2SK3484ZE1AZ
VBseim
TO252
mos
datasheet
锂离子电池制造工艺原理与应用
所需E币:3
下载:40
大小:29.62MB
时间:2023.09.19
上传者:破晓
锂离子电池制造工艺原理与应用
锂离子电池
制造工艺
原理
应用
电子行业云MES系统解决方案
所需E币:0
下载:2
大小:993.94KB
时间:2023.09.19
上传者:万界星空科技
电子行业MES解决方案主要是针对目前电子生产制造企业面临的产品迭代升级中多品种小批量混线生产、存呆滞问题多;质量检查标准多、售后问题难追溯;生产进度难追踪、车间物料难管控、实际成本难计算等问题,提出的
电子行业
mes
MES系统解决方案
云MES
工业互联网
智能制造
电子工厂
万界星空科技
MES生产计划管理与ERP生产计划管理到底有什么不同?
所需E币:0
下载:12
大小:1.58MB
时间:2023.09.18
上传者:万界星空科技
即使ERP在企业管理方面比较强大,但是在生产管理方面确实也存在缺点,所以在生产制造行业人们一般都会将ERP和MES相提并论,相互配合使用。
mes
生产计划
生产管理
erp
万界星空科技
云MES
低代码云MES
万界星空科技云MES
拉曼光谱学与低维纳米半导体
所需E币:4
下载:15
大小:33.1MB
时间:2023.09.05
上传者:inch2012
拉曼光谱学与低维纳米半导体
拉曼
光谱学
低维
纳米半导体
等离子体放电原理与材料处理
所需E币:4
下载:31
大小:39.73MB
时间:2023.09.05
上传者:inch2012
等离子体放电原理与材料处理
等离子体
放电
原理
材料
处理
晶体管原理-第2版(郭澎)
所需E币:2
下载:61
大小:81.97MB
时间:2023.08.29
上传者:inch2012
晶体管原理-第2版(郭澎)
晶体管原理
第2版
郭澎
半导体器件物理基础(曾树荣)
所需E币:2
下载:28
大小:12.86MB
时间:2023.08.29
上传者:inch2012
半导体器件物理基础(曾树荣)
半导体器件
物理
基础
曾树荣
EULITHA_Introduction
所需E币:2
下载:1
大小:5.55MB
时间:2023.08.24
上传者:天易之道
EULITHA_Introduction
EULITHAIntroduction
VBZA9945微碧半导体(VBsemi)N沟道SOP8封装MOSFET
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下载:3
大小:351.21KB
时间:2023.08.16
上传者:VBsemi
VBZA9945是微碧半导体(VBsemi)一款N沟道SOP8封装的MOSFET产品型号
VBZA9945
微碧
VBsemi
n沟道
SOP8
mosfet
常见元器件封装对应的实物图
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时间:2023.07.31
上传者:Argent
常见元器件封装对应的实物图
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