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PWM 0/1-10V调光无屏闪方案外置MOS异步升压LED驱动IC芯片FP7208

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时间：2021.04.12

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FP7208是一颗异步升压LED驱动IC，控制外部开关NMOS，反馈电压默认为0.104V，最大是0.204V，反馈电压低，取样电阻功率损耗也降低，整体转换效率提升。软启动时间透过外部电容
硕盟SM-T54|TYPE C转HDMI+VGA+USB3.0+PD3.0

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时间：2021.08.12

上传者：TEL13632775601

硕盟SM-T54是一款USB-C扩展坞，您可以将含有USB3.1协议的电脑主机，通过此产品连接到具有HDMI或VGA的显示器、电视机或其他显示设备。产品可以接入硬盘、U盘、鼠标、键盘和光驱等HDMI或

硕盟SM-T54 TYPE 128887 四口拓展坞
【CEM4435-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：CEM4435丝印：VBA2317品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-RDS(ON)：23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V-门源

CEM4435 VBsemi SOP8 mos datasheet
PCB设计问题集.pdf

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时间：2021.04.27

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AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

pcb 设计问题集 pdf
VDA_Maturity level assurance (MLA) _3rd_2022

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时间：2022.12.21

上传者：powerstd

VDA_Maturitylevelassurance(MLA)_3rd_2022_English

VDAMaturity level assurance MLA 3rd2022
5V 3A内置MOS高清安防摄像头监控IC LED降压恒流驱动芯片FP8013

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时间：2021.04.12

上传者：yxl13828798872

FP8013是一种PWM控制降压转换器，大功率LED驱动提供一个简单，高效的解决方案，采用0.1V参考电压反馈控制，大限度地降低功耗，外部电阻根据驱动不同类型led所需的电流设置。该FP8013包括高
CS5513R低功耗频率1M@1A电流DC-DC降压稳压器

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时间：2021.05.21

上传者：sandtech168

CS5513R低功耗频率1M@1A电流DC-DC降压稳压器

CS5513R 降压稳压器
ACPL-K30T采用汽车级光伏驱动器和离散式光伏驱动器mosfet形成一个光隔离的固态继电器

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时间：2022.10.31

上传者：腾恩科技-彭工

本文介绍了ACPL-K30T采用汽车级光伏驱动器和离散式光伏驱动器mosfet形成一个光隔离的固态继电器

ACPLK30T 驱动器光隔离固态继电器
【FDMC8026S-VB】N沟道DFN8(3X3)封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

FDMC8026S（VBQF1310）是一款电源应用型MOSFET产品，采用N沟道结构，封装为DFN8（3X3封装）。其参数包括：工作电压30V、最大电流40A、静态导通电阻RDS(ON)为11mΩ@

FDMC8026S VBsemi DFN83X3 mos datasheet
CS803漏极开路输出，CS809/CS810用CMOS输出，低功耗微处理器电源监控复位电路

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时间：2021.07.27

上传者：ledsuperb

CS803漏极开路输出，CS809/CS810用CMOS输出，低功耗微处理器电源监控复位电路

CS803 CS809 CS810
AT8030功率2X15W 单芯片 2.0声道防破音 Class D功放

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时间：2021.03.30

上传者：sandtech168

AT8030是一款单芯片2.0声道classD音频功放，具有90%以上的效率，无需使用外置散热片，外围电路简洁。

AT8030 功放
FS312支持USBType-C端口PD快充协议智能触发芯片，FS312多种快充协议诱骗器

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时间：2021.12.22

上传者：ledsuperb

FS312支持USBType-C端口PD快充协议智能触发芯片，FS312多种快充协议诱骗器

FS312
纳祥科技8位移位寄存器74HC164D中文规格书，替代SN74HC164DR

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时间：2025.04.23

上传者：纳祥科技王工

纳祥科技74HC164D是一个具有与门控串行输入和异步清除（CLR）输入的8位移位寄存器。门控串行（A和B）输入允许完全控制输入数据；任一输入端的低电平抑制输入新数据，并在下一个时钟(CLK)脉冲将第
【FDG6321C-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

FDG6321C详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A/-1.5A-导通电阻：130mΩ/230mΩ@4.5V,160mΩ/280mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs

FDG6321C VBsemi SC706 mos datasheet
【DMC2038LVT-7-F-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

DMC2038LVT-7-F(VB5222)参数说明:极性：N+P沟道；额定电压：±20V；最大电流：7A/-4.5A；导通电阻：20mΩ/70mΩ@4.5V,29mΩ/106mΩ@2.5V；门源电压

DMC2038LVT7F NP VBsemi sot236 mos datasheet
【APM2701ACC-TRG-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

APM2701ACC-TRG(VB5222)参数说明：N+P沟道，±20V，7/-4.5A，导通电阻20/70mΩ@4.5V，29/106mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压0.71/

APM2701ACCTRG NP VBsemi sot236 mos datasheet
【SI1967DH-T1-GE3-VB】2个P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SI1967DH-T1-GE3详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-1.5A-导通电阻：230mΩ@4.5V,276mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：

SI1967DHT1GE3 VBsemi SC706 mos datasheet

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