制造与封装-原理图资料下载_第23页-面包板社区

【AO4407A-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：AO4407A丝印：VBA2317品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-导通电阻：23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.

AO4407A VBsemi SOP8 mos datasheet
【AO4435-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO4435(VBA2317)参数说明：P沟道，-30V，-7A，导通电阻23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.37V，封装：SOP8。应用简介：

AO4435 VBsemi SOP8 mos datasheet
【AO4800-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：AO4800 丝印：VBA3328 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：2个N沟道 -额定电压：30V -额定电流：6.8A（最大值）、6.0

AO4800 VBsemi SOP8 mos datasheet
【AO4805-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO4805(VBA4317)参数说明：2个P沟道，-30V，-8.5A，导通电阻21mΩ@10V，28mΩ@4.5V，门源电压范围12V(±V)，阈值电压-1.8V，封装：SOP8。应用简介：AO4

AO4805 VBsemi SOP8 mos datasheet
【AO4828-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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AO4828详细参数说明：-极性：2个N沟道-额定电压：60V-额定电流：6A-导通电阻：27mΩ@10V,32mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.5Vth(V)-封装类型：S

AO4828 VBsemi SOP8 mos datasheet
【AO6400-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：AO6400丝印：VB7322品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：6A-导通电阻：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(

AO6400 VBsemi sot236 mos datasheet
【AO6604-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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AO6604详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：7A/-4.5A-导通电阻：20mΩ/70mΩ@4.5V,29mΩ/106mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值

AO6604 NP VBsemi sot236 mos datasheet
【AO6801-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO6801(VB4290)参数说明：2个P沟道，-20V，-4A，导通电阻75mΩ@4.5V，100mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压-1.2~-2.2V，封装：SOT23-6。应用简介：

AO6801 VBsemi sot236 mos datasheet
【AO7400-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO7400(VBK1270)参数说明:极性：N沟道；额定电压：20V；最大电流：4A；导通电阻：45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：1

AO7400 VBsemi SC703 mos datasheet
【AOB414-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AOB414(VBL1102N)参数说明：N沟道，100V，70A，导通电阻18mΩ@10V，22mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压2V，封装：TO263。应用简介：AOB414适用于高电流

AOB414 VBsemi TO263 mos datasheet
【AOD240-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AOD240(VBE1405)参数说明：N沟道，40V，85A，导通电阻4mΩ@10V，5mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.85V，封装：TO252。应用简介：AOD240适用于

AOD240 VBsemi TO252 mos datasheet
【AOD407-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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AOD407(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介：AOD4

AOD407 VBsemi TO252 mos datasheet
【AOD409-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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AOD409(VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。应用简介：AOD40

AOD409 VBsemi TO252 mos datasheet
【AOD4184-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：AOD4184丝印：VBE1405品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：40V-最大电流：85A-导通电阻：4mΩ@10V,5mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs

AOD4184 VBsemi TO252 mos datasheet
【AOD442-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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AOD442详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：45A-导通电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.8Vth(V)-封装类型：TO

AOD442 VBsemi TO252 mos datasheet
【AOD444-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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AOD444详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：18A-导通电阻：73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：2Vth(V)-封装类型：TO25

AOD444 VBsemi TO252 mos datasheet
【AOD484-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：AOD484 丝印：VBE1310 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：70A-RDS(ON)：7mΩ@10V，9mΩ@4.5

AOD484 VBsemi TO252 mos datasheet