制造与封装-原理图资料下载_第20页-面包板社区

晶台光耦KL3053可控硅光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

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KL3053由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器，它被设计用于电子控制和电源试验之间的接口,以控制115到240VAC操作的电阻和感应负载。产品特点

晶台光耦 KL3053 可控硅光耦产品规格书
晶台光耦KLT3043可控硅光耦(零交叉)产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KLT3043系列由一个砷化镓红外发射二极管和一个单晶硅芯片的过零光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器，它被设计用于与分立功率双向可控硅开关配合使用，将逻辑系统连接到由110至380VAC线路供电的设

晶台光耦 KLT3043 可控硅光耦零交叉产品规格书
超低功耗LCD液晶显示驱动芯片-VKL060 SSOP24资料

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时间：2021.11.30

上传者：crh18824662436

高抗干扰LCD液晶控制器及驱动系列:VK2C21A 2.4～5.5V 20seg*4com16*8
Mentor_利用自动验证消除原理图设计错误.pdf

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时间：2021.04.14

上传者：Argent

Mentor在电子电路设计，PCB设计制作在业内有很大的影响力，本专题是Mentor在电路原理图与PCB设计的参考资料，仅供参考。

Mentor 利用自动验证原理图设计错误 pdf
smartmedia-1828.pdf

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时间：2021.04.14

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电子产品日新月异，硬件电子工程师少不了画PCB，设计需考虑电子元器件封装，收集了诸多常用封装，有兴趣了解的网友，下载参考参考吧。

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时间：2021.04.14

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电子产品日新月异，硬件电子工程师少不了画PCB，设计需考虑电子元器件封装，收集了诸多常用封装，有兴趣了解的网友，下载参考参考吧。

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VK1625 LCD驱动芯片(ic)-3线接口，可通过指令进去省电模式

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时间：2021.11.10

上传者：crh18824662436

特点•工作电压2.4-5.2V•内置32kHzRC振荡器（上电默认）•可外接32kHz时钟源或32.768KHz晶体振荡器•偏置电压（BIAS）固定为1/4•COM周期（DUTY）固定为1/8•内置显

VK1625 lcd 驱动芯片 ic3 接口可通指令进去省电模式
高抗干扰/抗噪LCD液晶段码驱动IC-VK2C21C SOP20封装

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时间：2023.07.13

上传者：永嘉微电罗丹

SOP20(300mil)(12.8mmx7.5mmPP=1.27mm)

抗干扰抗噪 lcd 液晶段码驱动 IC 163088 SOP20 封装
高抗干扰/抗噪LCD液晶段码驱动IC-VK2C21B SOP24封装

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时间：2023.07.13

上传者：永嘉微电罗丹

SOP24(300mil)(15.4mmx7.5mmPP=1.27mm)

抗干扰抗噪 lcd 液晶段码驱动 ICVK2C21B SOP24 封装
晶台光耦KLT3081可控硅光耦(零交叉)产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KLT3081系列由一个砷化镓红外发射二极管和一个单晶硅芯片的过零光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器，它被设计用于与分立功率双向可控硅开关配合使用，将逻辑系统连接到由110至380VAC线路供电的设

晶台光耦 KLT3081 可控硅光耦零交叉产品规格书
【SI2333CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2333CDS-T1-GE3参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON)57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V),-0.81Vth(V),SOT23应用简介：SI2333CDS

SI2333CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
F-16战斗机战隼Fighting Falcon图纸.zip

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时间：2022.05.25

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T-45苍鹰教练机模型3D图纸 solidworks2014.zip

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时间：2022.05.25

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mi-10 米10直升机3D图纸.zip

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时间：2022.05.25

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mi10 10 直升机 3d 图纸 Zip
Talon无人机简易模型图纸.zip

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时间：2022.05.25

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施吕特贝尔222无线遥控直升机模型图纸(出售版).zip

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时间：2022.05.25

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施吕特贝尔222无线遥控直升机模型图纸(出售版).zip

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【IRF540NSTRPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：IRF540NSTRPBF丝印：VBL1104N品牌：VBsemi参数：N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO2

IRF540NSTRPBF VBsemi TO263 mos datasheet

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