制造与封装-原理图资料下载_第22页-面包板社区

KL4N37 DIP6 晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL4N37系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合，构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4

4n37 DIP6 晶体管光耦产品规格书
KL4N38 DIP6 晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL4N38系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合，构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4

4N38 DIP6 晶体管光耦产品规格书
LCD液晶段码显示驱动IC-VK1088B QFN32L封装4mm*4mm超小体积

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时间：2023.06.29

上传者：永嘉微电罗丹

封装：QFN32L(4.0mmx4.0mm PP=0.4mm)

QFN32L 超小体积
SI2323CDS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

SI2323CDS-T1-GE3(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用

SI2323CDST1GE3 VBsemi sot23 mos
VK1626最大32SEG×4COM-LCD驱动芯片(IC)资料分享

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时间：2021.11.10

上传者：crh18824662436

特点•工作电压2.4-5.2V•内置32kHzRC振荡器（上电默认）•可外接32kHz时钟源（OSCI）•偏置电压（BIAS）固定为1/5•COM周期（DUTY）固定为1/16•内置显示RAM为48x

VK1626 最大 32SEG 4COMLCD 驱动芯片 ic 资料分享
VKL076是超低功耗LCD液晶驱动芯片-超低工作电流，低休眠电流

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时间：2021.11.30

上传者：crh18824662436

VKL076 SSOP28是字段式液晶显示驱动芯片。功能特点:★液晶驱动输出：Common输出4线；Segment输出15线★内置DisplaydataRAM(DDRAM)★内置RAM容量：

VKL076 超低功耗 lcd 液晶驱动芯片超低工作电流休眠电流
【2SJ668-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：2SJ668丝印：VBE2610N品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-38A-导通电阻：61mΩ@10V,72mΩ@4.5V-门源电压：2

2SJ668 VBsemi TO252 mos datasheet
【2SK3484-Z-E1-AZ-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

2SK3484-Z-E1-AZ参数：N沟道,100V,18A,RDS(ON)115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.6Vth(V),TO252应用简介：2SK3484-Z-E

2SK3484ZE1AZ VBseim TO252 mos datasheet
【2SK4033-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：2SK4033丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数：N沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO252该产品具有以

2SK4033 VBsemi TO252 mos datasheet
【50N04-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：50N04丝印：VBE1405品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：40V-最大电流：85A-导通电阻：4mΩ@10V,5mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±

50N04 VBsemi TO252 mos datasheet
【AO2301-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO2301(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：-0.81V；封装

AO2301 VBsemi sot23 mos datasheet
【AO3401A-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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AO3401A详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.6A-导通电阻：47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1Vth(V)-封装类型

ao3401a VBsemi sot23 mos datasheet
【AO3407-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO3407(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：AO3407适

AO3407 VBsemi sot23 mos datasheet
【AO3419-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：AO3419 丝印：VB2290 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：P沟道 -额定电压：-20V -额定电流：-4A -RDS(O

AO3419 VBsemi sot23 mos datasheet
【AO3423-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO3423(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：-0.81V；封装

AO3423 VBsemi sot23 mos datasheet
【AO4354-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO4354(VBA1303)参数说明：N沟道，30V，18A，导通电阻5mΩ@10V，6.5mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.72V，封装：SOP8。应用简介：AO4354是一

AO4354 VBsemi SOP8 mos datasheet
【AO4407-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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AO4407详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-导通电阻：23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.37V

AO4407 VBsemi SOP8 mos datasheet