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CA-IS372x 测试板说明

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时间：2022.01.14

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此份文件描述了CA-IS372x系列双通道数字隔离器评估板的使用方法。使用户可以评估芯片性能且对隔离系统进行系统性分析，从而提高开发速度。该评估板可以兼容该系列双通道的SOIC8-G宽体封装的数字隔离

CAIS372x 测试川土微
晶台光耦KLCNY17F-2晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

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KLCNY17F-2系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成。它采用6引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•选取窄范围的CTRCur

晶台光耦 KLCNY17F2 晶体管光耦产品规格书
晶台光耦KLCNY17F-1晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

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KLCNY17F-1系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成。它采用6引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•选取窄范围的CTRCur

晶台光耦 KLCNY17F1 晶体管光耦产品规格书
晶台光耦KLCNY17F-3晶体管光耦产品规格书

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KLCNY17F-3系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成。它采用6引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•选取窄范围的CTRCur

晶台光耦 KLCNY17F3 晶体管产品规格书
晶台光耦KLCNY17F-4晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

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KLCNY17F-4系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成。它采用6引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•选取窄范围的CTRCur

晶台光耦 KLCNY17F4 晶体管产品规格书
晶台光耦KLCNY17-2晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

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KLCNY17-2系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成，它采用6引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•选取窄范围的CTRCurr

晶台光耦 KLCNY172 晶体管产品规格书
晶台光耦KLCNY17-3晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

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KLCNY17-3系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成，它采用6引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•选取窄范围的CTRCurr

晶台光耦 KLCNY173 晶体管产品规格书
晶台光耦KLCNY17-4晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KLCNY17-4系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成，它采用6引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•选取窄范围的CTRCurr

晶台光耦 KLCNY174 晶体管产品规格书
【SI2309CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2309CDS-T1-GE3(VB2658)参数说明：P沟道，-60V，-5.2A，导通电阻40mΩ@10V，48mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-2V，封装：SOT23。应用简介：S

SI2309CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
KL3H4 SSOP4 晶体管光耦(AC交流)产品规格书

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时间：2024.09.03

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KL3H4光耦合器由两个反向并联的红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器，采用4引脚小外形SMD封装的器件。产品特点•电流转换率CTR:Min.20%atIF=±1mA,VCE=5V•输入与输出间高

KL3H4 SSOP4 晶体管光耦 ac 交流产品规格书
【摄影补光灯照明方案】24V 2A无频闪线性调光 LED台灯驱动IC芯片FP7102

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时间：2021.04.12

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FP7102是一款LED恒流控制芯片，工作电压范围从3.6V到28V，占空比从0-100%，目前主要应用于安防大功率红外LED驱动（多灯，阵列式二代，三代),转换效率高达90%，LED电流精度控制在±
如何隔离I2C接口信号

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时间：2022.01.14

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集成电路（I2C）总线通信是一种短距离通信的双线半双工通信方法，由于其简单，已广泛应用于各种应用中。在I2C总线用于在两个模块之间通信，可能系统中存在高电压，就需要用到隔离。隔离可用于保护电路和操作员

数字隔离 I2C 接口信号川土微
【CMD5950-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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CMD5950详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-100V-额定电流：-40A-导通电阻：33mΩ@10V,36mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.92Vth(V)-封

CMD5950 VBsemi TO252 封装 mos datasheet
PWM 0/1-10V调光无屏闪方案外置MOS异步升压LED驱动IC芯片FP7208

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时间：2021.04.12

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FP7208是一颗异步升压LED驱动IC，控制外部开关NMOS，反馈电压默认为0.104V，最大是0.204V，反馈电压低，取样电阻功率损耗也降低，整体转换效率提升。软启动时间透过外部电容
【CEM4435-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：CEM4435丝印：VBA2317品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-RDS(ON)：23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V-门源

CEM4435 VBsemi SOP8 mos datasheet
【FDMC8026S-VB】N沟道DFN8(3X3)封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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FDMC8026S（VBQF1310）是一款电源应用型MOSFET产品，采用N沟道结构，封装为DFN8（3X3封装）。其参数包括：工作电压30V、最大电流40A、静态导通电阻RDS(ON)为11mΩ@

FDMC8026S VBsemi DFN83X3 mos datasheet
【FDG6321C-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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FDG6321C详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A/-1.5A-导通电阻：130mΩ/230mΩ@4.5V,160mΩ/280mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs

FDG6321C VBsemi SC706 mos datasheet

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