消费电子资料下载_第467页-面包板社区

射频电路应用设计

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射频电路应用设计,射频电路应用设计……

射频电路应用
经典RF资料

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经典RF资料,RFCircuitDesign_2009_0470167580……

circuit Design 0470167580
腔体滤波器温度补偿

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腔体滤波器温度补偿相关文章WE2C-6TEMPERATURECOMPENSATIONOFCOMBLINERESONATORSANDFILTERSChiWangandKawtharA.Zaki'tCel

腔体滤波器温
有史以来教育部向国务院呈报的第一份关于ＩＣ教育的文件

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时间：2020.02.17

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有史以来教育部向国务院呈报的第一份关于ＩＣ教育的文件,教育部向国务院呈报的文件……

教育部向国务
【SI7478DP-T1-GE3-VB】N沟道DFN8(5X6)封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：SI7478DP-T1-GE3-VB丝印：VBQA1606品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-最大连续电流：90A-静态开启电阻（RDS(ON)）：6mΩ@10V-门源

SI7478DPT1GE3VB 沟道 DFN85X6 封装 mos datasheet
PCB上螺旋，直角微带电感计算，绘制（准确快捷）

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时间：2020.02.19

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PCB上螺旋，直角微带电感计算，绘制（准确快捷）,PCB上螺旋，直角微带电感计算，绘制（准确快捷）……

上螺直角微带
台湾中山大学硕士论文--线性化射频功率放大器

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时间：2020.02.19

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台湾中山大学硕士论文--线性化射频功率放大器,线性化射频功率放大器之数位基频预失真技术之研究……

线性化射频功
RTL Coding and Optimization Gu...

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时间：2020.02.17

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RTLCodingandOptimizationGu...,IC经典PrinciplesofVerifiableRTLDesign……

经典 principles verifiable
RF部分的测试项目、指标及调试方法

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RF部分的测试项目、指标及调试方法PHS生产交接的内容提要（讲座部分）（注：测试线上的操作要点或内容提要遗漏处在本周完成后再形成书面报告）一．射频部分收发信机的测试项目及指标发射部分：1.载频频率、载

部分的测试项
功率合成器、阻抗变换器和方向耦合器的设计

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功率合成器、阻抗变换器和方向耦合器的设计,功率合成器、阻抗变换器和方向耦合器的设计……

功率合成阻抗
关于放大器AD8353方面的资料

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AD83531MHzto2.7GHzRFGainBlockAD8353FEATURESFixedgainof20dBOperationalfrequencyof1MHzto2.7GHzLinearou

ad8353
微型化平衡式放大器的设计与制作

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微型化平衡式放大器的设计与制作(:):100Tel:0952540040FAX:24528895E-mail:d8960136@knight.fcu.edu.tw[1]designsystem):[2

微型化平衡式
本振相位噪声及其对接收机性能的影响

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本振相位噪声及其对接收机性能的影响维普资讯http://www.cqvip.com４空间电子技术２００３年第１期本振相位噪声及其对接收机性能的影响Ｃ．ＪｏｈｎＧｒｅｂｅｎｋｅｍｐｅｒ著和新阳译摘要本文

本振相位噪声
网络分析仪一些基本技术知识(安捷伦系列)

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时间：2020.02.19

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网络分析仪一些基本技术知识(安捷伦系列),安捷伦的的网络分析仪……

安捷伦的的网
综合的PPT

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综合的PPT,dc_script……

script
LD MOS相关资料

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LDMOS相关资料,LDMOS……
【CEM6659-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:CEM6659-VB丝印:VBA5638品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N+P沟道(同时包含N沟道和P沟道)-额定电压:±60V-最大电流:6.5A(正向电流),-5A(反向电流)-静态导通

CEM6659VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet

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