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旁路电容在高频中的应用
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时间:2020.02.19
上传者:16245458_qq.com
旁路电容在高频中的应用TheBypassCapacitorinHigh-SpeedEnvironmentsSCBA007ANovember19961IMPORTANTNOTICETexasInstru
旁路
电容
在高
L1层协议gsm_gprs_rf_
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下载:0
大小:759.29KB
时间:2020.02.19
上传者:二不过三
L1层协议gsm_gprs_rf_,l1_rf_programming_guide……
programming
guide
【RQJ0303PGDQATL-E-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:RQJ0303PGDQATL-E-VB丝印:VB2355品牌:VBsemi参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-30V-最大连续漏极电流:-5.6A-静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):47m
RQJ0303PGDQATLEVB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
有关dft的一个不错的ppt
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大小:60.77KB
时间:2020.02.17
上传者:16245458_qq.com
有关dft的一个不错的ppt,DFT……
整理滑铁卢大学于明博士网站的多篇文章(28篇)
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时间:2020.02.19
上传者:微风DS
整理滑铁卢大学于明博士网站的多篇文章(28篇),YuMing……
射频滤波器中文手册
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大小:3.02MB
时间:2020.02.19
上传者:quw431979_163.com
射频滤波器中文手册,filter……
filter
ATF34143为例,详细介绍利用ADS设计LNA的方法
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大小:542.96KB
时间:2020.02.19
上传者:wsu_w_hotmail.com
中兴西安研究所-----利用ADS设计LNA利用ADS仿真设计低噪声放大器内容摘要:本文给出了利用ADS仿真设计低噪声放大器的设计方法及步骤,同时给出了该电路的优化仿真结果及电路性能在批量生产中的合格
中兴
西安
研究
开个收发信机设计分析的专场吧,我这里有好多资料想免费共享给大...
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时间:2020.02.19
上传者:wsu_w_hotmail.com
transceiverarchitectureforwirelessICsmixedsignalTransceiverarchitecturesforwirelessICsMostoftomorrow
transceiver
architecture
wireless
Introduction to MEMS
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时间:2020.02.19
上传者:quw431979_163.com
IntroductiontoMEMSCourseNo.04813190MEMSDEVICESANDDESIGN,Spring2004Lecture1:IntroductiontoMEMSHaixiaZ
introduction
用HFSS做过同轴滤波器过来看看
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大小:2.62MB
时间:2020.02.19
上传者:wsu_w_hotmail.com
用HFSS做过同轴滤波器过来看看,projects……
projects
全向天线
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时间:2020.02.19
上传者:rdg1993
全向天线http://www.paper.edu.cn全向天线技术陈燕林,阮成礼电子科技大学物理电子学院,四川成都(610054)E-mail:july1025@163.com摘要:本论文主要分析了各
全向
天线
Antenna and Antenna arrays
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时间:2020.02.19
上传者:wsu_w_hotmail.com
AntennaandAntennaarrays1AntennasandAntennaArrays1.1IntroductionAntennashavebecomeubiquitousdevicesan
antenna
arrays
接收系统设计
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时间:2020.02.19
上传者:16245458_qq.com
接收系统设计,接收系统设计……
接收
系统
设计
几份美国天线专利
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时间:2020.02.19
上传者:238112554_qq
USpat……
CST MWS 中文实例教程
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时间:2020.02.19
上传者:16245458_qq.com
CSTMWS中文实例教程,CSTMWS实例教程2……
实例
教程
【IRLM2502TRPBF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:IRLM2502TRPBF-VB丝印:VB1240品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:6A-导通电阻(RDS(ON)):24mΩ@4.5V,33m
IRLM2502TRPBFVB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
个人收藏分享:接收机结构和设计--TI公司receiver
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时间:2020.02.19
上传者:978461154_qq
SensitivityinReceiversforWirelessTechnicalBriefSWRA030UnderstandingandEnhancingSensitivityinReceiver
sensitivity
receivers
wireless
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