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【NTD5867NLT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
NTD5867NLT4G(VBE1638)参数说明:N沟道,60V,45A,导通电阻24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压1.8V,封装:TO252。应用简介:NT
NTD5867NLT4G
VBsemi
TO252
mos
datasheet
【RJP020N06T100-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet
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大小:278.51KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
RJP020N06T100(VBI1695)参数说明:N沟道,60V,5A,导通电阻76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压1~3V,封装:SOT89-3。应用简介:RJP0
RJP020N06T100
VBsemi
SOT893
mos
datasheet
删除 012-IIC总线原理和模块化编程方法.ppt
所需E币:0
下载:1
大小:278.5KB
时间:2020.06.24
上传者:Argent
有没有使用过云龙51单片机,这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料,希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
012IIC
总线
原理
模块化编程
方法
ppt
【IRFR1205TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:278.36KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
IRFR1205TRPBF(VBE1638)参数说明:极性:N沟道;额定电压:60V;最大电流:45A;导通电阻:24mΩ@10V,28mΩ@4.5V;门源电压范围:20Vgs(±V)阈值电压:1.8
IRFR1205TRPBF
VBsemi
TO252
mos
datasheet
免费.放大器增益带宽积的讨论
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下载:2
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时间:2020.02.25
上传者:givh79_163.com
放大器增益带宽积的讨论
放大
器增
益带
【BSP250-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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大小:278.17KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:BSP250-VB丝印:VBJ2456品牌:VBsemi**参数说明:**-极性:P沟道-额定电压(Vds):-40V-额定电流(Id):-6A-静态导通电阻(RDS(ON)):42mΩ@10V
BSP250VB
沟道
SOT223
封装
mos
datasheet
VHDL例程E.pdf
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大小:278KB
时间:2021.04.26
上传者:Argent
随着FPGA技术的不断发展,许多消费类产品都嵌入了FPGA程序,ZYNQ架构属于主流,搜集的部分有关FPGA学习资料,希望对您有所帮助,欢迎下载。
vhdl
例程
epdf
【IPD640N06LG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:277.85KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
IPD640N06LG(VBE1638)参数说明:N沟道,60V,45A,导通电阻24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压1.8V,封装:TO252。应用简介:IPD
IPD640N06LG
VBsemi
TO252
mos
datasheet
【Si2343CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:277.73KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:Si2343CDS-T1-GE3-VB丝印:VB2355品牌:VBsemi参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-30V-最大连续漏极电流:-5.6A-静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):47m
Si2343CDST1GE3VB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
光伏发电原理及发展现状.pdf
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大小:276.56KB
时间:2020.12.30
上传者:Argent
光伏产业是现代新能源的代表性产物,本人收集了一些关于光伏知识的资料,能够让你全面认识光伏产业的工艺生产流程。随着太阳能电池转换率的不断提高,得到了不少消费者的认可。现在太阳能路灯应用广泛,有对光伏产业
光伏发电原理
发展现状
pdf
免費分享!探討LCD顯示器省電 節能設計
所需E币:0
下载:1
大小:276.5KB
时间:2020.03.04
上传者:微风DS
探討LCD顯示器省電節能設計探討LCD顯示器省電節能設計|||許家銘/DIGITIMES||2008/03/17||||前言:||身在一個科技發達的年代,周遭充斥各式電子商品,使用時碰上想打電話才發現
探討
顯示
器省
【SI2308DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:276.25KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
名称:SI2308DS-T1-GE3 型号:VB1695 品牌:VBsemi 参数:-频道类型:N沟道-额定电压:60V-额定电流:4A-RDS(ON):85mΩ@10V
SI2308DST1GE3
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【DMP3099L-7-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:275.9KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
型号:DMP3099L-7 丝印:VB2355 品牌:VBsemi 参数:-频道类型:P沟道 -额定电压:-30V -额定电流:-5.6A
DMP3099L7
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【AP2321GN-HF-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:275.87KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:AP2321GN-HF-VB丝印:VB2355品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-5.6A-导通电阻(RDS(ON)):47mΩ@10V,56
AP2321GNHFVB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
1127020224.pdf
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大小:275.1KB
时间:2021.04.23
上传者:Argent
音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品,好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛,与时俱进,增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料,欢迎下载。
1127020224pdf
LTK5129功率10W耐压7V的F类单声道音频放大器兼容ANT8109
所需E币:0
下载:4
大小:275.04KB
时间:2021.05.21
上传者:sandtech168
LTK5129功率10W耐压7V的F类单声道音频放大器兼容ANT8109
LTK5129
ANT8109
【UT100N03L-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet
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下载:0
大小:275.04KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:UT100N03L-VB丝印:VBM1303品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N沟道MOSFET-额定电压(Vds):30V-额定电流(Id):120A-导通电阻(RDS(ON)):3mΩ
UT100N03LVB
沟道
to220
封装
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datasheet
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