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【P2402CAG-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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P2402CAG(VB7322)参数说明:极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：6A；导通电阻：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V；门源电压范围：20Vgs(±V)阈值电压：1.2V；封装：SO

P2402CAG VBsemi sot236 mos datasheet
【2V7002KT1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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2V7002KT1G参数：N沟道,60V,0.3A,RDS(ON)2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.6Vth(V),SOT23应用简介：2V7002KT1G是一款适

2V7002KT1G VBsemi sot23 mos datasheet
【SI3442CDV-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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SI3442CDV(VB7322)参数说明：N沟道，30V，6A，导通电阻30mΩ@10V，40mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.2V，封装：SOT23-6。应用简介：SI344

SI3442CDV VBsemi sot236 mos datasheet
【ZXMN6A07ZTA-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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ZXMN6A07ZTA(VBI1695)参数说明：N沟道，60V，5A，导通电阻76mΩ@10V，88mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT89-3。应用简介：ZX

ZXMN6A07ZTA VBsemi SOT893 mos datasheet
【NTD5867NLT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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NTD5867NLT4G(VBE1638)参数说明：N沟道，60V，45A，导通电阻24mΩ@10V，28mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.8V，封装：TO252。应用简介：NT

NTD5867NLT4G VBsemi TO252 mos datasheet
【RJP020N06T100-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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RJP020N06T100(VBI1695)参数说明：N沟道，60V，5A，导通电阻76mΩ@10V，88mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT89-3。应用简介：RJP0

RJP020N06T100 VBsemi SOT893 mos datasheet
删除 012-IIC总线原理和模块化编程方法.ppt

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时间：2020.06.24

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有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。

012IIC 总线原理模块化编程方法 ppt
【IRFR1205TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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IRFR1205TRPBF(VBE1638)参数说明:极性：N沟道；额定电压：60V；最大电流：45A；导通电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V；门源电压范围：20Vgs(±V)阈值电压：1.8

IRFR1205TRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
免费.放大器增益带宽积的讨论

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时间：2020.02.25

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放大器增益带宽积的讨论

放大器增益带
【BSP250-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：BSP250-VB丝印：VBJ2456品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：P沟道-额定电压（Vds）：-40V-额定电流（Id）：-6A-静态导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ@10V

BSP250VB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
VHDL例程E.pdf

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时间：2021.04.26

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随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。

vhdl 例程 epdf
【IPD640N06LG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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IPD640N06LG(VBE1638)参数说明：N沟道，60V，45A，导通电阻24mΩ@10V，28mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.8V，封装：TO252。应用简介：IPD

IPD640N06LG VBsemi TO252 mos datasheet
【Si2343CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：Si2343CDS-T1-GE3-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-5.6A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：47m

Si2343CDST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
光伏发电原理及发展现状.pdf

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时间：2020.12.30

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光伏产业是现代新能源的代表性产物，本人收集了一些关于光伏知识的资料，能够让你全面认识光伏产业的工艺生产流程。随着太阳能电池转换率的不断提高，得到了不少消费者的认可。现在太阳能路灯应用广泛，有对光伏产业

光伏发电原理发展现状 pdf
免費分享！探討LCD顯示器省電節能設計

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时间：2020.03.04

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探討LCD顯示器省電節能設計探討LCD顯示器省電節能設計|||許家銘／DIGITIMES||2008/03/17||||前言：||身在一個科技發達的年代，周遭充斥各式電子商品，使用時碰上想打電話才發現

探討顯示器省
【SI2308DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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名称：SI2308DS-T1-GE3 型号：VB1695 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：4A-RDS(ON)：85mΩ@10V

SI2308DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【DMP3099L-7-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：DMP3099L-7 丝印：VB2355 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：P沟道 -额定电压：-30V -额定电流：-5.6A

DMP3099L7 VBsemi sot23 mos datasheet

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