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【FDS6875-NL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：FDS6875-NL-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数说明：-类型：2个P沟道功率MOSFET-额定电压：-30V-额定电流：-7A-开通电阻：35mΩ（在10V）、48mΩ（在4

FDS6875NLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI2301BDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

SI2301BDS-T1-GE3(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压

SI2301BDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
Verilog HDL004.pdf

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时间：2021.04.26

上传者：Argent

随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。

verilog HDL004pdf
FP130A中文應用說明書，宽共模范围的高侧轨电流测量芯片

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时间：2022.12.07

上传者：袁雅倩

FP130A中文應用說明書，宽共模范围的高侧轨电流测量芯片

FP130A 中文應用說明共模范围高侧轨电流测量芯片
【IRLML6401TRPBF-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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IRLML6401TRPBF(VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，门源电压范围12V(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。应用

IRLML6401TRPBF VBsemi sot23 mos datasheet
【Si2399DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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Si2399DS-T1-GE3参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V);SOT23应用简介：Si2399DS-

Si2399DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2301DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

SI2301DS-T1-GE3(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：

SI2301DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2333CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2333CDS-T1-GE3参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON)57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V),-0.81Vth(V),SOT23应用简介：SI2333CDS

SI2333CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
modelsim 使用指南.doc

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时间：2021.04.26

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随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。

ModelSim 使用指南 doc
【SM2300NSAC-TRG-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：SM2300NSAC-TRG-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：20V-最大持续电流（Id）：6A-导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V

SM2300NSACTRGVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
SVPWM的原理及法则推导和控制算法详解.pdf

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时间：2021.10.11

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从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻电容电感，每个元器件在电路中必然有其作用。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想

svpwm 原理推导控制算法详解 pdf
【2SK3484-Z-E1-AZ-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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2SK3484-Z-E1-AZ参数：N沟道,100V,18A,RDS(ON)115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.6Vth(V),TO252应用简介：2SK3484-Z-E

2SK3484ZE1AZ VBseim TO252 mos datasheet
FPGA设计（设计思想与技巧）.pdf

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时间：2021.04.26

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随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。

fpga 设计设计思想技巧 pdf
【AO7400-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO7400(VBK1270)参数说明:极性：N沟道；额定电压：20V；最大电流：4A；导通电阻：45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：1

AO7400 VBsemi SC703 mos datasheet
【FDN302P-NL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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FDN302P-NL(VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，门源电压范围12Vgs(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。应用简介

FDN302PNL VBsemi sot23 mos datasheet
CN3153规格书 1A锂电池充电管理集成电路

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时间：2024.09.03

上传者：国兴顺电子郑生

CN3153是可以对单节锂电池进行恒流/恒压充电管理的集成电路。该器件内部包括功率晶体管，应用时不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。CN3153只需要极少的外围元器件,非常适合于便携式应用的领域。热

cn3153 规格书 1a 锂电池充电管理集成电路
对讲机线路图(免费)

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时间：2020.02.27

上传者：quw431979_163.com

对讲机线路图QQ20-D.sch-1-ThuDec0717:58:052006QQ20-D.sch-2-ThuDec0717:58:132006QQ20-D.sch-3-ThuDec0717:58:1

对讲机线路图

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