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【TM2314FN-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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TM2314FN(VB1695)参数说明：N沟道，60V，4A，导通电阻85mΩ@10V，96mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT23。应用简介：TM2314FN

TM2314FN VBsemi sot23 mos datasheet
【AO6801-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO6801(VB4290)参数说明：2个P沟道，-20V，-4A，导通电阻75mΩ@4.5V，100mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压-1.2~-2.2V，封装：SOT23-6。应用简介：

AO6801 VBsemi sot236 mos datasheet
【SI2302CDS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2302CDS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT2

SI2302CDST1GE3 VBssemi sot23 mos datasheet
针对电动车组线路布置与检测的线缆测试仪方案

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时间：2021.08.19

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自动线缆测试系统主要由上位计算机、测试主机、分布从机、电源总线及通讯总线和转接线缆组成。上位计算机进行程序编辑下载及与下位测试主机通讯;测试主机进行程序的执行和对分布从机进行通讯;分布从机通过转接线缆

电动车线路布置检测线缆测试仪方案
用EDA 设计LED 汉字滚动显示器.pdf

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时间：2021.04.26

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随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。

eda 设计 led 汉字滚动显示器 pdf
【AOD425A-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：AOD425A丝印：VBE2317品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-40A-导通电阻：18mΩ@10V,25mΩ@4.5V-门源电压：2

AOD425AVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SI2300DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2300DS-T1-GE3参数：N沟道,20V,6A,RDS(ON)24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.45~1Vth(V),SOT23应用简介：SI2300DS-T1-

SI2300DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
BA3612AKV.pdf

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时间：2021.04.23

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音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品，好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛，与时俱进，增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料，欢迎下载。

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【Si2342DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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Si2342DS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23

Si2342DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2302DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2302DS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23

SI2302DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【RU205B-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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RU205B(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用简介：RU2

RU205B VBsemi sot23 mos datasheet
继续免费上传RF书籍

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时间：2020.02.18

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wilkin
【50P04-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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50P04(VBE2412)参数说明：P沟道，-40V，-65A，导通电阻10mΩ@10V，13mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.6V，封装：TO252。应用简介：50P04适用于高功

50P04 VBsemi TO252 mos datasheet
汉邦DVR报警连接方法

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时间：2019.06.12

上传者：东亚安防

本主机支持常开和常闭两种报警输入，为方便用户，硬件采用同一种接法，用软件来调节常开，常闭，具体应用如下：1.报警硬件接法2.报警输入常开，常闭设置3.报警输出接法
【AP2306N-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AP2306N参数：N沟道,20V,6A,RDS(ON)24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.45~1Vth(V),SOT23应用简介：AP2306N是一款适用于中电流、低电压

AP2306N VBsemi sot23 mos datasheet
基于C P L D 的伪随机序列发生器.pdf

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时间：2021.04.26

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随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。

基于伪随机序列发生器 pdf
【CES2312-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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CES2312(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用简介：CE

CES2312 VBsemi sot23 mos datasheet

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