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Verilog基础知识.pdf
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时间:2021.04.26
上传者:Argent
随着FPGA技术的不断发展,许多消费类产品都嵌入了FPGA程序,ZYNQ架构属于主流,搜集的部分有关FPGA学习资料,希望对您有所帮助,欢迎下载。
verilog
基础知识
pdf
VERIOL的基础知识.pdf
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时间:2021.04.26
上传者:Argent
随着FPGA技术的不断发展,许多消费类产品都嵌入了FPGA程序,ZYNQ架构属于主流,搜集的部分有关FPGA学习资料,希望对您有所帮助,欢迎下载。
VERIOL
基础知识
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VERIOL HDL语法进阶.ppt
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时间:2021.04.26
上传者:Argent
随着FPGA技术的不断发展,许多消费类产品都嵌入了FPGA程序,ZYNQ架构属于主流,搜集的部分有关FPGA学习资料,希望对您有所帮助,欢迎下载。
VERIOL
hdl
语法
进阶
ppt
Verilog HDL硬件描述语言05.PDF
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时间:2021.04.26
上传者:Argent
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verilog
hdl
硬件描述语言
05pdf
国产600S系列ATC射频电容规格书高Q电容
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时间:2021.12.09
上传者:宸远科技
典型功能应用:旁路,耦合,调谐,反馈、阻抗匹配和直流阻隔.典型电路应用:超高频/微波射频功率放大器、混频器、振荡器、低噪声放大器、滤波网络、定时电路、延时线
国产
600S
系列
atc
射频
电容
规格书
电容
关于手机的基础知识1(免费)
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时间:2020.02.11
上传者:wsu_w_hotmail.com
手机基础123手机维修基础1、2、3页码,1/27百度搜索您的查询字词都已标明如下:gsm相位误差(点击查询词,可以跳到它在文中首次出现的位置)(百度和网页http://www.hy668.com/h
手机
基础
手写绘图板(G题).pdf
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时间:2021.04.27
上传者:Argent
AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
手写绘图板
pdf
Verilog HDL005.pdf
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时间:2021.04.26
上传者:Argent
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verilog
HDL005pdf
CS5210参考电路|CS5210 demoboard参考电路|CS5210设计HDMI转VGA电路
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时间:2021.03.05
上传者:QQ1659747718
CS5210是台湾瑞奇达在2021年新推出的HDMI转VGA不带音频的方案设计芯片,其外围电路简单、器件较少,设计简单性价比较高,专门用于输入HDMI信号端,输出VGA信号产品当中。HDMI输入符合H
CS5210
CS5210参考电路
CS5210demoboard参考电路
CS5210设计
HDMI转VGA电路
快恢复二极管(免费)
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时间:2020.02.13
上传者:微风DS
快恢复二极管(快恢复二极管(快恢复二极管(
快恢
复二
极管
【SFT1342-TL-E-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
SFT1342-TL-E详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-60V-额定电流:-22A-导通电阻:48mΩ@10V,57mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1.5Vth(V
SFT1342TLEVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【AM2394NE-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AM2394NE(VB1102M)参数说明:N沟道,100V,2A,导通电阻246mΩ@10V,260mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压2V,封装:SOT23。应用简介:AM2394
AM2394NE
VBsemi
sot23
mos
datasheet
免费带通滤波器设计
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时间:2020.02.19
上传者:wsu_w_hotmail.com
051221TUTORIALAGENERALDESIGNPROCEDUREFORBANDPASSFILTERSDERIVEDFROMLOWPASSPROTOTYPEELEMENTS:PARTIBFig
051221
DDR2设计分享
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下载:6
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时间:2019.08.01
上传者:328230725_895182095
五张,DDR2设计原理图分享
ddr
滤波器电路了解(免费)
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下载:3
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时间:2020.02.13
上传者:givh79_163.com
滤波器电路了解(免费),滤波器电路……
滤波
器电
【ME35N06G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:ME35N06G丝印:VBE1638品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N沟道MOSFET-最大耐压:60V-最大电流:45A-导通电阻:24mΩ@10V,28mΩ@4.5V-门源电压:20
ME35N06GVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
TOSHIBA东芝TLP176AM产品规格书datasheet
所需E币:0
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大小:313KB
时间:2024.08.23
上传者:东芝铠侠代理
隔离电压:TLP176AM的隔离电压高达3750Vrms,确保电路免受电压尖峰和噪声的影响,非常适合高压应用场景。输出电流:TLP176AM能够处理高达30µA的输出电流,尽管数值不大,但足以驱动低功
toshiba
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TLP176AM
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