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【CED12N10-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet
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时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
CED12N10详细参数说明:-极性:N沟道-额定电压:100V-额定电流:15A-导通电阻:115mΩ@10V,120mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:1.41Vth(V)-封
CED12N10
VBsemi
TO251
mos
datasheet
用Protel 99SE布线的基本流程(免费)
所需E币:0
下载:7
大小:331.54KB
时间:2020.02.28
上传者:quw431979_163.com
用Protel99se布线的基本流程用 PROTEL99SE 布 线 的 基 本 流 程用PROTEL99SE布线的基本
protel
布线
的基
微波本振源噪声分析.doc 免费
所需E币:0
下载:1
大小:331.5KB
时间:2020.02.17
上传者:238112554_qq
微波本振源噪声分析刘宾容中国西南电子技术研究所,四川成都610036 摘要:微波本振源在微波转发设备中是一个关键部件,在现代转发设备中采用大规模单片锁相式频率合成作为本振源,其输
微波
本振
源噪
第五讲:搭建Hadoop的环境.pdf
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大小:331.18KB
时间:2021.10.11
上传者:Argent
从二极管到三极管,从单片机到多核MCU,3G网络到5G产品的普及,不管电子产品的集成度怎么高,其产品还是少不了电阻电容电感,每个元器件在电路中必然有其作用。单片机是芯片开发的基础,相信从中会获得您意想
五讲
搭建
hadoop
环境
pdf
【APM1403ASC-TRL-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet
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大小:331.05KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
详细参数说明:-型号:APM1403ASC-TRL-VB-丝印:VBK2298-品牌:VBsemi-类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-3A-导通电阻:98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2
APM1403ASCTRLVB
沟道
SC703
封装
mos
datasheet
【STS4DNF60L-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
STS4DNF60L(VBA3638)参数说明:2个N沟道,60V,6A,导通电阻27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压1.5V,封装:SOP8。应用简介:STS4DNF6
STS4DNF60L
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
12V转3V,12V转1.8V DC-DC 电源 .PW2162
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下载:12
大小:330.67KB
时间:2022.11.03
上传者:夸克微
无锡平芯微PW2162 12V转3V,12V转1.8VDC-DC电源. 代理商技术支持有原厂测试板 13076919501
12v
3V12V
18V
dcdc
电源
PW2162
单极霍尔开关HAL43F资料
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大小:330.06KB
时间:2021.06.22
上传者:hallwee
单极霍尔开关HAL43F资料下载
单极霍尔开关
HAL43F
资料
【MTD6P10ET4-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:329.85KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
MTD6P10ET4
VBsemi
TO252
mos
datasheet
【NTE4153NT1G-VB】N沟道SC75-3封装MOS管Datasheet
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大小:329.24KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
NTE4153NT1G详细参数说明:-极性:N沟道-额定电压:20V-额定电流:1A-导通电阻:200mΩ@4.5V,230mΩ@2.5V-门源电压:12Vgs(±V)-阈值电压:0.6Vth(V)-
NTE4153NT1GVB
沟道
SC753
封装
mos
datasheet
AOD403 VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:328.95KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了丝印型号为VBE2309的MOS管型号AOD403。这款MOS管属于P沟道类型,适用于广泛的电路应用。它具有出色的性能参数,包括最大承受电压为-30V,最大工作电流为-60A。在标准
AOD403
VBsemi
mosfet
datasheet
【2SK1485-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet
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下载:0
大小:328.77KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:2SK1485-VB丝印:VBI1101M品牌:VBsemi参数:-类型:N沟道-最大耐压:100V-最大电流:3.1A-静态开启电阻(RDS(ON)):126mΩ@10V,139mΩ@4.5V
2SK1485VB
沟道
SOT893
封装
mos
datasheet
OPA2134.pdf
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下载:1
大小:327.79KB
时间:2021.04.23
上传者:Argent
音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品,好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛,与时俱进,增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料,欢迎下载。
OPA2134pdf
室内覆盖工程器件介绍
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下载:4
大小:327.32KB
时间:2019.06.03
上传者:东亚安防
室内覆盖工程器件介绍---功分器
【40N06 TO252-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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下载:0
大小:327.2KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:40N06TO252-VB丝印:VBE1638品牌:VBsemi**参数说明:**-极性:N沟道-额定电压(Vds):60V-额定电流(Id):45A-静态导通电阻(RDS(ON)):24mΩ@
40N06
TO252VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
A33-Core2核心板外围电路设计参考.pdf
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大小:326.91KB
时间:2021.03.26
上传者:Argent
全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
A33Core2
核心板
外围电路
设计参考
pdf
CS5213最新版规格书|CS5213最新版说明书|CS5213设计说明
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下载:2
大小:326.46KB
时间:2021.01.13
上传者:QQ1659747718
CapstoneCS5213HDMI到VGA转换器结合了HDMI输入接口和模拟RGBDAC输出。带支持片上音频数模转换器,节省成本,优化电路板空间。嵌入式单片机基于工业标准8051内核。 C
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