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TOSHIBA东芝TLP290-4产品规格书datasheet
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时间:2024.07.16
上传者:东芝铠侠代理
高电压和电流传输能力:集电极-发射极电压:最低80V电流传输比:最低50%隔离电压:最低2500Vrms这些规格确保了TLP290-4能够高效处理高电压和电流,非常适合各种工业应用。温度稳定性:工作温
toshiba
东芝
TLP2904
产品
规格书
datasheet
【AO3421E-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
详细参数说明:-型号:AO3421E-VB-丝印:VB2355-品牌:VBsemi-类型:P沟道场效应管-最大漏极电压(Vds):-30V-最大漏极电流(Ids):-5.6A-电阻开关特性:RDS(O
AO3421EVB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
【15N10 TO252-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:352.68KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:15N10TO252-VB丝印:VBE1101M品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-额定电流:18A-静态电阻:115mΩ@10V,121mΩ@4.5V-门源
15N10
TO252VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
LCC385 VGA转USB3.0采集卡
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下载:4
大小:352.45KB
时间:2024.04.15
上传者:lingka
LCC385是灵卡技术研发的⼀款VGA转HDMI输出的音视频采集卡。其VGA输入和HDMI输出均支持1920x1080p@60fps视频;其输出接口采用USB3.0,兼容USB2.0,可输出一路MJP
LCC385
vga
usb30
采集卡
VBZA9945微碧半导体(VBsemi)N沟道SOP8封装MOSFET
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下载:3
大小:351.21KB
时间:2023.08.16
上传者:VBsemi
VBZA9945是微碧半导体(VBsemi)一款N沟道SOP8封装的MOSFET产品型号
VBZA9945
微碧
VBsemi
n沟道
SOP8
mosfet
3.9 AD与DA接口电路.DOC
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下载:7
大小:351KB
时间:2021.04.27
上传者:Argent
AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
39
ad
da
接口电路
doc
全国产工业级二层以太网交换芯片
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下载:4
大小:350.28KB
时间:2022.11.04
上传者:longraise
抚琴SW8328M是成都朗锐芯科技发展有限公司开发具有自主知识产权的一款32G带宽的二层以太网交换芯片。SW8328M集成了8路千兆电口PHY,支持10/100/1000BASE-T功能和100BAS
国产
工业级
二层
以太网交换芯片
DM00155929.pdf
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大小:350.18KB
时间:2021.09.24
上传者:Argent
FPGA是一个技术密集型的行业,没有坚实的技术功底,很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展有广阔的空间,嵌入式开发需要了解不同领域的产品工作原理,包括快速读懂数据手册,搜集了部分数据手
DM00155929pdf
【DMC2038LVT-7-F-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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大小:348.83KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
DMC2038LVT-7-F(VB5222)参数说明:极性:N+P沟道;额定电压:±20V;最大电流:7A/-4.5A;导通电阻:20mΩ/70mΩ@4.5V,29mΩ/106mΩ@2.5V;门源电压
DMC2038LVT7F
NP
VBsemi
sot236
mos
datasheet
【APM2701ACC-TRG-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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大小:348.8KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
APM2701ACC-TRG(VB5222)参数说明:N+P沟道,±20V,7/-4.5A,导通电阻20/70mΩ@4.5V,29/106mΩ@2.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压0.71/
APM2701ACCTRG
NP
VBsemi
sot236
mos
datasheet
【FQD6N40CTM-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:348.75KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:FQD6N40CTM-VB丝印:VBE165R07S品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-最大耐压:650V-最大持续电流:7A-开通电阻(RDS(ON)):700mΩ@10Vgs-阈值电
FQD6N40CTMVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
20个快门声音的素材,免费!!
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时间:2020.02.25
上传者:微风DS
20个快门声音的素材,免费!!,快门声音……
快门
声音
libiberty.pdf
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时间:2021.09.24
上传者:Argent
FPGA是一个技术密集型的行业,没有坚实的技术功底,很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展有广阔的空间,嵌入式开发需要了解不同领域的产品工作原理,包括快速读懂数据手册,搜集了部分数据手
libibertypdf
DWD004N06兼容替代AOD2606和IRFR7540和IPD053N06N
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时间:2021.03.17
上传者:sandtech168
DWD004N06兼容替代AOD2606/IRFR7540/IPD053N06N/NCEP60T12AK,65V耐压,电流105A
DWD004N06
兼容
替代
AOD2606
IRFR7540
IPD053N06N
M5240.pdf
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下载:1
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时间:2021.04.23
上传者:Argent
音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品,好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛,与时俱进,增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料,欢迎下载。
M5240pdf
【IRF4905PBF-VB】P沟道TO220封装MOS管Datasheet
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大小:346.34KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:IRF4905PBF-VB丝印:VBM2625品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:P沟道-额定电压:-60V-最大电流:-50A-静态导通电阻(RDS(ON)):19mΩ@10V,26m
IRF4905PBFVB
沟道
to220
封装
mos
datasheet
【AP2310GG-HF-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet
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大小:345.9KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:AP2310GG-HF-VB丝印:VBI1695品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-最大耐压:60V-最大持续电流:5A-开通电阻(RDS(ON)):76mΩ@10Vgs、88mΩ@4.
AP2310GGHFVB
沟道
SOT893
封装
mos
datasheet
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