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Toshiba东芝TB6559FG双极步进电机驱动IC 产品规格书datasheet

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时间：2024.09.03

上传者：东芝铠侠代理

卓越的性能TB6559FG是一款高性能的双极步进电机驱动器，它采用PWM斩波控制方式，能够提供稳定且精准的电机控制。这款驱动器支持1/2步进模式，通过该模式可以实现更高的步进精度，有效减少电机在低速运
【2SK2782-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2SK2782-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：60V-最大电流：45A-静态开启电阻(RDS(ON))：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V-门源极电

2SK2782VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
CPM1A操作手册（免费）

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时间：2020.02.13

上传者：quw431979_163.com

CPM1A操作手册（免费）,CPM1A操作手册……

cpm1a 操作手册
微带线设计（免费）

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时间：2020.02.19

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微带
LCC382 高清SDI(串行数字接口)转USB 3.0音视频采集卡

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时间：2024.04.15

上传者：lingka

LCC382是灵卡技术研发的⼀款SDI输入与环出及HDMI输出的音视频采集卡。其输入接口采用BNC接头，最高支持3G-SDI标准格式输入，并支持同源同质环出和转HDMI输出。其输出接口采用USB3.0

LCC382 高清 sdi 串行数字接口 usb 30 视频采集卡
CS5213最新版中文规格书

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时间：2021.08.20

上传者：qq2755130042

CS5213，瑞奇达CS5213，CS5213方案应用，CS5213方案设计，CS5213电路设计，HDMI转VGA方案，HDMI转VGA带音频信号输出方案

CS5213 规格书 CS5213新版规格书
（免费）GPS模块资料分类整理

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时间：2020.03.03

上传者：rdg1993

A-GPS定位效能再升級A-GPS定位效能再升級|||新通訊2008年8月號90期||文．蔡金源||[pic]||全球衛星定位系統(GPS)的應用愈來愈普及，如個人導航裝置(PND)就已是3C賣場中的

免费 gps 模块资料分类整理
【SUD50P04-08-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：SUD50P04-08-GE3丝印：VBE2412品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5

SUD50P0408GE3 VBsemi TO252 mos datasheet
【AP4407GM-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：AP4407GM-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数说明：1.P沟道2.最大承受电压：-30V3.最大工作电流：-11A4.开阻抗：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V5.门源漏电压

AP4407GMVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AM2308N-T1-PF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

该型号AM2308N-T1-PF-VB是VBsemi品牌的N沟道MOSFET，具有30V电压、6.5A电流的额定参数。其RDS(ON)在10V下为30mΩ，在4.5V下为33mΩ，适用于20V的门源极

AM2308NT1PFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SUD50P04-09L-E3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SUD50P04-09L-E3是一款P沟道功率场效应管，具有以下参数：-最大耐压：-40V-最大漏极电流：-65A-导通时的电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-栅极电压（Vg

SUD50P0409LE3 VBsemi TO252 mos datasheet
【IRLML2502RP-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：IRLML2502RP丝印：VB1240品牌：VBsemi详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：20V-额定电流：6A-开通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-额定

IRLML2502RPVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
CN3704规格书 5A 四节锂电池充电管理集成电路

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时间：2024.09.03

上传者：国兴顺电子郑生

CN3704是PWM降压模式四节锂电池充电管理集成电路，独立对四节锂电池充电进行自动管理，具有封装外形小，外围元器件少和使用简单等优点。CN3704具有恒流和恒压充电模式,非常适合锂电池的充电。在恒压

cn3704 规格书 5A 四节锂电池充电管理集成电路
【HM3400PR-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：HM3400PR丝印：VBI1322品牌：VBsemi参数：N沟道,30V,6.8A,RDS(ON),33mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.9Vth(V)；SOT89-3

HM3400PRVB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
【MDD3754RH-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：MDD3754RH丝印：VBE2412品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-门源电压

MDD3754RHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
驱动MOS管设计开关电源.pdf

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时间：2021.04.28

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

驱动 mos 设计开关电源 pdf
【AOD4189-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

AOD4189详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-40V-额定电流:-65A-导通电阻:10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1.6Vth(V)-封装类

AOD4189VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet

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