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CS5262规格书V1.0.pdf
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下载:3
大小:338.33KB
时间:2021.08.03
上传者:qq2755130042
CS5262规格书,CS5262说明书,DP1.4转HDMI2.0和VGA转换器,CS5262AN瑞奇达DP转HDMI+VGA芯片,CS5262AN集成了DP1.4和HDMI2.0和VGA输出接口。D
CS5262
规格书
A33_Vstar固件制作说明.pdf
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下载:0
大小:338.12KB
时间:2021.03.26
上传者:Argent
全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
A33Vstar
固件
制作
说明
pdf
ANT8108功率5W防破音单声道D类音频功放
所需E币:0
下载:5
大小:338.09KB
时间:2021.03.31
上传者:sandtech168
ANT8108是一款超低EMI,高信噪比,防破音,5W单通道ClassD音频功放。在5V电源条件下,驱动2Ω负载可以输出5W功率
ANT8108
音频功放
RF计算软件(坚持免费)
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下载:4
大小:336.41KB
时间:2020.02.18
上传者:rdg1993
RF计算软件(坚持免费),高级射频工具箱软件……
高级
射频
工具
第六章 附录.doc
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下载:1
大小:336KB
时间:2021.04.26
上传者:Argent
随着FPGA技术的不断发展,许多消费类产品都嵌入了FPGA程序,ZYNQ架构属于主流,搜集的部分有关FPGA学习资料,希望对您有所帮助,欢迎下载。
六章
附录
doc
低噪聲放大器(LNA)(免费)
所需E币:0
下载:10
大小:335.89KB
时间:2020.03.02
上传者:givh79_163.com
低噪聲放大器(LNA)《射频集成电路设计》讲义低噪声放大器(LNA)LNA的功能和指标双极型晶体管(BJT)的噪声模型BJTLNA的噪声系数MOS晶体管的噪声模型CMOS最小噪声系数和最佳噪声匹配输入
低噪
聲放
大器
NS LM317.pdf
所需E币:0
下载:1
大小:334.47KB
时间:2021.04.23
上传者:Argent
音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品,好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛,与时俱进,增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料,欢迎下载。
NS
LM317pdf
LCC380高清HDMI转USB3.0音视频采集卡
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下载:2
大小:334.41KB
时间:2024.04.15
上传者:lingka
LCC380是灵卡技术研发的⼀款4K60HDMI输入与环出的音视频采集卡。其HDMI输入最高支持3840x2860@60fps的视频,并支持同源同质环出,输出接口采用USB3.0,兼容USB2.0,可
LCC380
高清
hdmi
usb30
视频采集卡
零静态功耗理想二极管介绍
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下载:4
大小:334.37KB
时间:2023.06.02
上传者:王萌
零静态功耗的理想二极管介绍
静态功耗
理想二极管
介绍
2SD2686东芝Toshiba电路图引脚产品规格书datasheet
所需E币:0
下载:1
大小:334.33KB
时间:2023.06.26
上传者:东芝铠侠代理
2SD2686是一款高性能的功率晶体管,适用于多种应用场景。产品参数:最大功率:150W最大电压:80V最大电流:15A封装形式:TO-3PSD2686具有良好的散热性能。相比之下,竞品型号的最大功率
音响 203
功放电路
功率晶体管
L79XX.pdf
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下载:1
大小:333.69KB
时间:2021.04.23
上传者:Argent
音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品,好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛,与时俱进,增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料,欢迎下载。
L79XXpdf
【STD10NF10T4-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:333.56KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:STD10NF10T4丝印:VBE1101M品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N沟道MOSFET-最大耐压:100V-最大电流:18A-导通电阻:115mΩ@10V,121mΩ@4.5V-
STD10NF10T4VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【SI1967DH-T1-GE3-VB】2个P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet
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大小:332.44KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
SI1967DH-T1-GE3详细参数说明:-极性:2个P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-1.5A-导通电阻:230mΩ@4.5V,276mΩ@2.5V-门源电压:12Vgs(±V)-阈值电压:
SI1967DHT1GE3
VBsemi
SC706
mos
datasheet
【IRF7343TRPBF-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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下载:0
大小:332.29KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
IRF7343TRPBF(VBA5638)参数说明:极性:N+P沟道;额定电压:±60V;最大电流:6.5A/-5A;导通电阻:28mΩ/51mΩ@10V,34mΩ/60mΩ@4.5V;门源电压范围:
IRF7343TRPBF
NP
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
【AO7800-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet
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大小:332.21KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:AO7800-VB丝印:VBK3215N品牌:VBsemi参数:-类型:2个N沟道-最大耐压:20V-最大电流:2A-静态开启电阻(RDS(ON)):150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V-
AO7800VB
2个
沟道
SC706
封装
mos
datasheet
【AO6602-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:332.17KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:AO6602-VB丝印:VB5222品牌:VBsemi参数:-N+P沟道-额定电压:±20V-最大电流:7A(正向)/4.5A(反向)-开态电阻(RDS(ON)):20mΩ@4.5V(正向)/7
AO6602VB
NP
沟道
sot236
封装
mos
datasheet
[免费] Mobile devices present in...
所需E币:0
下载:1
大小:331.91KB
时间:2020.02.25
上传者:978461154_qq
MobiledevicespresentintegrationchallengesMobileDevicesPresentIntegrationChallengesGregGothmarketrese
mobile
devices
present
1 ...
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